авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ  БИБЛИОТЕКА

АВТОРЕФЕРАТЫ КАНДИДАТСКИХ, ДОКТОРСКИХ ДИССЕРТАЦИЙ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ

Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах полупроводников халькогенидов кадмия и свинца

На правах рукописи

Черевков Сергей Александрович

РЕЗОНАНСНОЕ КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В

НАНОСТРУКТУРАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ

КАДМИЯ И СВИНЦА

Специальность: 01.04.05 – Оптика

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург – 2013

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики»

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор, Баранов Александр Васильевич

Официальные оппоненты: Беспалов Виктор Георгиевич, доктор физико-математических наук, профессор, НИУ ИТМО, профессор кафедры ФиОИ Центер Марина Яковлевна, кандидат физико-математических наук, НИТИОМ ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова», старший научный сотрудник

Ведущая организация: Институт биоорганической химии им. М.М.

Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН

Защита состоится 17 декабря 2013 г. в 15 часов 50 минут на заседании диссертационного совета Д 212.227.02 при ФГБОУВПО «Санкт Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики» по адресу: 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский проспект, д. 49, ауд. 466.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФГБОУВПО «Санкт Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики».

Автореферат разослан «14» ноября 2013 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д 212.227.02 Ю.Э. Бурункова кандидат физико-математических наук, доцент

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Исследования, результаты которых проведены в данной диссертационной работе, относятся к актуальной области нанотехнологий и соответствуют приоритетному направлению развития науки, технологий и техники в Российской Федерации. Создание нового поколения функциональных элементов фотоники и оптоэлектроники с качественно улучшенными эксплуатационными параметрами основывается в большой степени на использовании различных наноразмерных и наноструктурированных материалов с требуемыми свойствами. В настоящее время коллоидные полупроводниковые нанокристаллы (квантовые точки (КТ), квантовые стержни (КС) и квантовые нанопластины (КП)) являются актуальным объектом для исследования фундаментальных физических свойств наноразмерных систем [1]. Благодаря эффектам размерного квантования оказывается возможным целенаправленно управлять оптическими и электрическими параметрами нанокристаллов (НК), что открывает возможности создания на их основе наноструктурированных материалов с уникальными оптическими и электрическими свойствами, недостижимыми для объемных материалов.

Дополнительные возможности предоставляет также зависимость физических параметров НК от их химического состава и формы. Для реализации представляющихся возможностей необходимым условием является получение надежной информации об энергетических спектрах фононных возбуждений в НК различных материалов, размеров и формы. Наиболее подходящей для решения этой задачи является техника спектроскопии микро-комбинационного рассеяния света (микро-КР), которая также широко используется для исследования химического состава и структуры нанокристаллов [2].

Информация о структурно-химических особенностях НК, а также об электрон фононном взаимодействии являются ключевыми для прогнозирования эффективности работы элементов нанофотоники, поскольку электрон фононное взаимодействие определяет соотношение между излучательными и безызлучательными каналами релаксации фотовозбужденных носителей в нанокристаллах, а также механизмы уширения спектральных линий. Поэтому такие исследования являются актуальной проблемой.

В настоящей работе спектроскопия микро-КР использована для исследования особенностей комбинационного рассеяния и определения структурно-химических параметров квантовых точек халькогенида свинца (PbS), квантовых точек и стержней тройного соединения CdxHg1-xSe, а также квантовых нанопластин халькогенида кадмия (CdSe). Исследования фононных спектров микро и нанокристаллов узкозонного полупроводника PbS, имеющих оптические переходы в ближней ИК области спектра, является весьма актуальным в свете прогнозируемого использования НК PbS для создания нового поколения устройств для визуализации ИК изображений и биологического картирования (окна прозрачности тканей 800 и 1100 нм), построения волоконно-оптических телекоммуникационных систем (1300 1600 нм) и использования в качестве эффективных приемников солнечной энергии (800-2000 нм). Однако в настоящее время имеет место явный недостаток информации о размерной модификации электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах PbS.

Обычно электронный энергетический спектр НК, определяющий спектральное положение полос поглощения и люминесценции, изменяется путем варьирования размера НК одного химического состава. Однако целенаправленное изменение энергий оптических переходов НК может быть достигнуто также путем контролируемого изменения их химического состава и формы. Полупроводниковые КТ и КС тройного соединения CdxHg1-xSe, где 0х1 - содержание Cd в составе соединения, изменяемое в ходе химического замещения атомов Cd ионами Hg, открывают такую возможность. Именно поэтому исследования их структурно-химических параметров является актуальной задачей для разработки функциональных оптических и оптоэлектронных материалов на основе нанокристаллов тройных соединений AxB1-xC.



Коллоидные квантовые нанопластины CdSe с фиксированными толщинами в 4, 5 или 6 монослоев и латеральными размерами в несколько десятков нанометров, подобно квантовым ямам, являются примером нанокристаллов с одномерным пространственным ограничением квазичастиц.

Предполагается, что на основе коллоидных КП возможно формирование более сложных самоорганизованных систем с улучшенными функциональными свойствами. Однако коллоидный синтез КП разработан только в самое последнее время, поэтому электронные и, особенно, фононные параметры таких анизотропных нанокристаллов практически не исследованы.

Экспериментальные исследования особенностей фононных подсистем в квантовых нанокристаллах полупроводников различного состава и формы в рамках данной диссертационной работы объединены использованием техники резонансного микро-комбинационного рассеяния света. Необходимые дополнительные данные об оптических и структурных параметрах исследуемых нанокристаллов, получены с использованием методов абсорбционной и люминесцентной спектроскопии.

Цели и задачи диссертационной работы Основными целями диссертационного исследования были:

1. Исследование фононных спектров микро и нанокристаллов (квантовых точек) узкозонного полупроводника PbS методом спектроскопии микро-КР;

установление размерных зависимостей фононного энергетического спектра и электрон-фононного взаимодействия в НК PbS.

2. Исследование структурно-химических параметров квантовых точек и стержней CdSe кубической и гексагональной структуры при образовании тройного соединения CdxHg1-xSe в результате химического замещения атомов Cd ионами Hg.

3. Исследование фононной структуры коллоидных квантовых нанопластин CdSe различной толщины и установление особенностей электрон-фононного взаимодействия в квантовых нанопластинах при нерезонансном и резонансном КР.

Для достижения этих целей решались следующие задачи:

Получение и анализ спектров микро-КР оптическими фононами в тонких поликристаллических пленках соединений PbS, PbSe, а также тройного соединения CdPbSe с целью отнесения полос в спектрах КР фононным модам микрокристаллов халькогенидов кадмия и свинца.

Регистрация спектров резонансного микро-КР микрокристаллами PbS и нанокристаллами PbS с размерами 6.6 и 3.8 нм;

проведение сравнительного анализа спектров КР микро- и нанокристаллов PbS для установления размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах (квантовых точках) PbS.

Получение и анализ спектров микро-КР оптическими фононами в квантовых точках CdSe кубической и гексагональной структуры, а также квантовых стержнях CdSe гексагональной структуры при химическом замещении атомов Cd ионами Hg с образованием нанокристаллов тройного соединения CdxHg1-xSe, где 0х1;

сопоставление со спектрами поглощения и люминесценции нанокристаллов CdxHg1-xSe различного химического состава.

Регистрация спектров поглощения, люминесценции и микро-КР коллоидных квантовых нанопластин CdSe с толщиной 4, 5 и 6 монослоев полупроводника;

сравнительный анализ спектров нерезонансного и резонансного микро-КР нанопластинами разных толщин для установления размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в КП CdSe.

Научная новизна работы Показано, что электрон-LO-фононное взаимодействие в квантовых точках PbS увеличивается по сравнению с объемным материалом и растет с уменьшением размеров нанокристаллов.

Установлено, что при контролируемом химическом замещении атомов Cd ионами Hg в нанокристаллах CdSe в коллоидном растворе происходит образование тройного соединения CdхHg1-xSe, демонстрирующего характерный двухмодовый характер колебаний решетки. Показано, что химическое превращение бинарных CdSe нанокристаллов в тройные Cd xHg1-хSе зависит от морфологии и кристаллической фазы исходных нанокристаллов CdSe.

Впервые получены спектры КР оптических фононов квантовых нанопластин CdSe различной толщины. Обнаружена анизотропия электрон-LO фононного взаимодействия в направлениях вдоль и перпендикулярно плоскости нанопластин.

Показано, что наличие у квантовых нанопластин аномально большой поверхности приводит к возможности формирования на ней монослоя CdS в результате реакции замещения лигандов.

Положения, выносимые на защиту:

Электрон-LO-фононное взаимодействие в нанокристаллах PbS 1.

увеличивается по сравнению с объемным материалом и растет с уменьшением размеров нанокристаллов.

2. При контролируемом химическом замещении атомов Cd ионами Hg в нанокристаллах CdSe в коллоидном растворе происходит образование тройного соединения CdхHg1-xSe, демонстрирующего характерный двухмодовый характер колебаний решетки. Химическое превращение бинарных CdSe нанокристаллов в тройные CdxHg1-хSе зависит от морфологии и кристаллической фазы исходных нанокристаллов CdSe.

Квантовые нанопластины CdSe обладают анизотропным электрон 3.

фононным взаимодействием в направлениях вдоль и перпендикулярно плоскости нанопластин.

4. В результате замещения лигандов в ходе реакции с тиогликолятом натрия на поверхности нанопластин CdSe формируется монослой CdS.

Апробация работы и публикации Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: SPIE «Optics + Photonics», 2013, Сан Диего, США;

1-м Всероссийском конгрессе молодых ученых, 2012 г., СПб НИУ ИТМО, г. Санкт Петербург;

III Международной научной конференции «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь», г. Санкт-Петербург;

V, VI, VII и VIII Всероссийских межвузовских конференциях молодых учёных, СПб НИУ ИТМО, 2008, 2009, 2010 и 2011 гг., Санкт-Петербург;

The 3-rd International Symposium «Molecular Photonics», 2012, St. Petersburg, Russia;

Международной конференции «Оптика-2011», СПб НИУ ИТМО, 2011 г., Санкт-Петербург, Россия;

14th International conference «Laser Optics – 2010», 2010, Saint-Petersburg, Russia;

International conference «Organic Nanophotonics»

(ICON-RUSSIA 2009), Saint-Petersburg, Russia;

5-й Международной конференции «Фундаментальные Проблемы Оптики – 2008». СПбГУ ИТМО, 2008 г., Санкт-Петербург, Россия.

Основные результаты диссертации изложены в 15 публикациях, из которых 7 опубликованы в рецензируемых научных журналах, входящих в перечень ВАК.





Практическая значимость результатов работы Практическая значимость работы состоит в том, что полученные результаты по размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в квантовых точках PbS и структурно-химическим параметрам квантовых нанокристаллов CdHgSe имеют большое значение для развития методов синтеза квантовых нанокристаллов с расширенным спектральным диапазоном излучения и создания элементов устройств ближнего ИК диапазона таких как люминофоры и детекторы, а также компоненты телекоммуникационных систем и солнечных батарей. Обнаружение в двумерных нанокристаллах CdSe анизотропного электрон-фононного взаимодействия представляет собой важный вклад в понимании фундаментальных физических процессов в анизотропных наноструктурах, формирующих их оптические свойства.

Результаты диссертационной работы использованы и используются в НИУ ИТМО при выполнении проектов в рамках государственных контрактов, грантов РФФИ и Правительства Санкт-Петербурга, аналитических ведомственных программ Министерства образования и науки РФ.

Материалы диссертационной работы используются в учебном процессе кафедры Оптической физики и современного естествознания НИУ ИТМО при подготовке студентов по двум профилям 200700 «Оптика наноструктур» и «Физика наноструктур».

Личный вклад автора Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Обсуждение результатов и подготовка к публикации полученных результатов проводилась совместно с соавторами, причем вклад диссертанта был определяющим. Общая постановка целей и задач исследований в рамках диссертационной работы проведена совместно с научным руководителем работы А.В. Барановым.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка цитированной литературы, включающего 131 наименование. Материал изложен на 116 страницах и содержит 31 рисунок.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулированы цели и задачи исследований, а также методы их решения, аргументирована научная новизна работы, представлены выносимые на защиту научные положения, показана практическая значимость полученных результатов, личный вклад автора в результаты диссертационной работы и определена структура диссертации.

В первой главе представлено краткое классическое и квантово механическое изложение физических основ спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР), включая резонансное КР и низкочастотное КР, а также особенности использования различных методов КР при исследовании структурно-химических параметров наноструктур. Приведен аналитический обзор научно-технической литературы, содержащий общие сведения о полупроводниковых нанокристаллах и их оптических свойствах. Приведены общие представления о физических механизмах формирования размерных зависимостей электронного и фононного энергетического спектра нанокристаллов, где пространственное ограничение движения носителей заряда и фононов приводит к квантово-размерному эффекту, то есть к сдвигу и дискретизации энергетического спектра. В главе коротко описаны методики и техника абсорбционно-люминесцентной спектроскопии и спектроскопии микро-КР, применяемых для исследования в данной диссертационной работе.

Отдельные части методики измерений спектров КР, изложенные в первой главе диссертации, опубликованы в работах [A7, A15].

Вторая глава посвящена экспериментальному исследованию фононных спектров поликристаллических пленок PbS, PbSe и CdPbSe с размерами кристаллов в несколько микрометров методом резонансного КР, а также сравнительному анализу спектров резонансного КР микро- и нанокристаллов PbS с целью получения информации о размерной зависимости электрон фононного взаимодействия в нанокристаллах PbS.

На первом этапе работы были получены спектры резонансного микро комбинационного рассеяния света тонкими поликристаллическими пленками PbS, PbSe и CdPbSe. С учетом фононных дисперсионных кривых полупроводников, полосы в спектрах КР были отнесены соответствующим фононным модам материала и их составным тонам в разных критических точках зоны Бриллюэна. В качестве иллюстрации анализа полученных спектров на Рисунке 1 приведены спектры КР поликристаллической пленки PbSe и фононные дисперсионные кривые PbSe, используемые для отнесения полос КР.

(б) (a) поликристаллическая пленка PbSe Интенсивность КР, пр.ед.

Присваивание:

1 - 140 cм-1 LO(Г) 2 - 156.2 cм-1 2LA() 3 - 279.4 cм-1 2LO(Г) 4 - 420 cм-1 3LO(Г) 5 - 710 см-1 PbO 6 - 793 cм-1 SeO 0 200 400 600 800 - Стоксов сдвиг, см Рисунок 1 – Спектр КР (а) и фононные дисперсионные кривые (б) PbSe. На (а) показаны частоты полос и их отнесение к Г и - особым точкам зоны Бриллюэна (б);

LA и LO продольные акустический и оптический фононы В спектре комбинационного рассеяния пленки PbSe видны полосы первого, второго и третьего порядков LO-фонона на частотах 140, ~280 и ~420 см-1 в Г-точке зоны Бриллюэна, соответственно. Также наблюдалась полоса 2LA-фонона в -точке зоны Бриллюэна с частотой ~156 см-1. В спектрах КР образцов PbSe в высокочастотной области наблюдаются пики на частотах ~710 и 793 см-1, которые характерны для колебаний атомов кислорода, связанных с атомами на поверхности пленки: Pb-O и Se-O.

На Рисунке 2 приведены типичные спектры резонансного КР поликристаллической пленки PbS с кристаллитами микронных размеров (Рисунок 2а) и нанокристаллов PbS с диаметрами 6.6 нм (Рисунок 2б) и 3.8 нм (Рисунок 2в), использующиеся для получения информации о размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах PbS.

Видно, что в спектрах КР поликристаллической пленки наиболее интенсивны полосы первого и второго порядка LO-фонона (~206 и 410 см-1) в Г-точке зоны Бриллюэна, соответственно. Полоса с частотой ~462 см-1 соответствует обертону LO-фонона в L-точке зоны Бриллюэна, которая может наблюдаться во втором порядке КР. Отметим, что наблюдаемые полосы соответствуют ожидаемым в спектрах КР объемного материала.

Поликристаллическая пленка - 206 cм - 462 cм - a 410 cм Интенсивность КР, пр.ед.

Нанокристаллы б диаметр 6.6 нм Нанокристаллы в диаметр 3.8 нм -1 - 210 cм 420 cм 100 200 300 400 500 - Стоксов сдвиг, см Рисунок 2 – Сравнение спектров КР макрокристаллов (1) и нанокристаллов PbS двух разных размеров (2 и 3). Показаны результаты аппроксимаций спектров тремя гауссовыми функциями Сравнение спектров микро- и нанокристаллов показывает две важных качественных закономерности. Во-первых, видно, что в спектрах НК интенсивности линий LO и 2LO фононов Г-точки центра зоны Бриллюэна (~210 cм-1 и ~420 см-1) возрастают относительно линии 2LO фонона L-точки зоны Бриллюэна (~460 см-1) по сравнению с объемным материалом.

Опережающий рост интенсивности полос LO фононов Г-точки свидетельствует, что возникновение полосы LO() фонона и соответствующего обертона связано с индуцированным фрелиховским взаимодействием, «запрещенным» рассеянием на LO фононах, которое разрешается в условиях близости энергии возбуждающих КР фотонов к энергии межзонного перехода E1. В то же время интенсивность полосы 2LO(L) на 460 см-1 определяется особенностями в плотности соответствующих фононных состояний PbS.

Благодаря синему конфайнментному сдвигу энергии электронного перехода, для нанокристаллов расстройка между энергией возбуждающих КР фотонов и энергией межзонного перехода меньше, чем для объемного материала. Это приводит к увеличению вклада резонансного рассеяния в интенсивность полос LO(Г) и 2LO(Г) фононов, который растет при уменьшении размеров НК. В этом случае отношение интегральных интенсивностей линий 2LO(Г) фононов и LO(Г) можно использовать для получения информации о величине электрон фононного взаимодействия в нанокристаллах [3]. Так, чем больше относительная интенсивность линии 2LO(Г) фонона, тем больше величина этого взаимодействия. При этом из спектров видно, что отношение интенсивностей полос 2LO(Г) и LO(Г) фононов увеличивается при переходе от объемного материала к НК и растет по мере уменьшения размера нанокристаллов. Поэтому можно сделать качественный вывод о возрастании величины электрон-фононного взаимодействия с уменьшением размера нанокристаллов PbS в рассматриваемом диапазоне размеров. Этот вывод имеет большое значение для понимания процессов диссипации энергии фотовозбуждения в нанокристаллах PbS.

Основные результаты, изложенные во второй главе диссертации, опубликованы в работах [А5, A6, A13, A14].

В третьей главе приведены результаты исследования структурно химических параметров квантовых точек и стержней СdSe кубической и гексагональной структуры при образовании тройного соединения CdxHg1-xSe в результате химического замещения атомов Cd ионами Hg, проведенные с использованием спектроскопии микро-КР, а также методов абсорбционной и люминесцентной спектроскопии. Данные исследования были направлены на изучение возможности расширения диапазона спектральной перестройки полос поглощения и люминесценции полупроводниковых нанокристаллов не только путем варьирования их размеров, но также и при контролируемом изменении их химического состава и формы. Полупроводниковые КТ и КС тройного соединения CdxHg1-xSe, где 0х1 - содержание Cd в составе соединения, изменяемое в ходе химического замещения атомов Cd ионами Hg, открывают такую возможность, поэтому исследования их структурно-химических параметров является актуальной задачей для разработки функциональных оптических и оптоэлектронных материалов на основе нанокристаллов тройных соединений AxB1-xC. Интересной особенностью исследуемых полупроводников является то, что CdSe существует в двух кристаллических структурах: кубической (ZB, сфалерит) и гексагональной (WZ, вюрцит), в то время как HgSe только в кубической. Поэтому увеличение содержания Hg в квантовых точках и стержнях WZ CdSe может привести к фазовому переходу, вызывающему неконтролируемые изменения оптических параметров формируемых нанокристаллов CdHgSe.

Исследовались образцы квантовых точек ZB и WZ CdSe с диаметром 3. нм, а также наностержни CdSe с диаметром 3.5 нм и длиной ~18 нм со структурой вюрцита. В них, согласно предложенной методике, атомами ртути было замещено 8, 30 и 60% атомов кадмия. Для сравнения использовались нанокристаллы полупроводников HgSe и CdSe.

Обнаружено, что по мере замещения атомов кадмия атомами ртути в нанокристаллах CdSe происходит сдвиг полос поглощения и люминесценции результирующих нанокристаллов в красную область спектра вплоть до 800 900 нм. Такое поведение соответствует ожидаемому при образовании нанокристаллов тройного соединения CdxHg1-xSe. Однако, реальный химический состав синтезируемых нанокристаллов и кристалличность их структуры оставались неясными. Для решения этой проблемы использована спектроскопия микро-КР.

На первом этапе работы были исследованы образцы квантовых точек полупроводников с кубической кристаллической решеткой. В этом случае фазовый переход невозможен, и образцы могут быть использованы в качестве модельных. На Рисунке 3 приведены спектры КР исследованных образцов CdxHg1-xSe с х=0.92, 0.7 и 0.4, а также образцов квантовых точек CdSe и HgSe с кубической кристаллической решеткой, используемых для сравнения. Значения параметра х для исследуемых образцов получены с помощью сканирующего электронного микроскопа Merlin (Zeiss) с опцией EDS микроанализа для определения элементного состава.

TO-HgSe LO-HgSe 2LO-HgSe ZB КТ HgSe Интенсивность КР, пр.ед.

TO-HgSe-like Cd0.4Hg0.6Se 2LO-HgSe Cd0.7Hg0.3Se LO-CdSe-like 2LO-CdSe LO-HgSe-like Cd0.92Hg0.08Se LO-CdSe SO-CdSe 2LO-CdSe ZB КТ CdSe 100 200 300 400 - Стоксов сдвиг, см Рисунок 3 – Набор спектров КР от нанокристаллов с кубической структурой (ZB): CdSe, HgSe и CdHgSe разного состава с содержанием ртути ~8, 30 и 60%. Указано разложение на отдельные полосы лоренцевскими функциями. Показано отнесение полос фононным модам материалов Анализ полученных спектров комбинационного рассеяния исследуемыми нанокристаллами позволил сделать следующие выводы:

1. Исходные нанокристаллы CdSe показывают спектры КР, характерные для квантовых точек этого полупроводника. Известно, что по спектрам КР нельзя отличить КТ CdSe кубической и гексагональной структуры. Наблюдаются полосы SO, LO и 2LO фононов на 186, 207.5 и 409 см-1, соответственно. Полоса ТО-фононов отсутствует, так как имеет место точный резонанс возбуждающего излучения с экситонным переходом. Частоты полос, полуширины и отношение интенсивностей 2LO/LO соответствуют известным данным.

2. Представленный для сравнения образец нанокристаллов HgSe показывает полосы ТО, LO и 2LO фононов с частотами 135, 175 и 346 см -1, соответственно, практически совпадающими с частотами объемного HgSe [4] (135, 173 и 345 см-1). В спектре присутствует полоса ТО-фононов, потому что частота возбуждающего излучения далеко от фундаментального перехода нанокристаллов. Ширина линий необычно большая (40 см-1), что свидетельствует о наличии неупорядоченностей в кристаллической решетке нанокристаллов HgSe.

3. Для нанокристаллов с минимальным содержанием ртути (8%) в низкочастотной области наблюдается слабая полоса 164 см-1 с шириной 41 см-1.

Отнести ее к TО-фонону CdSe (165 см-1 в объеме) нельзя, поскольку резонансные условия те же, что и в чистом CdSe. Поверхностной модой CdSe она не может быть, поскольку частота слишком мала. Единственное отнесение – HgSe-подобная LO-мода (LO-HgSe-like) в CdHgSe. Полосы 204 и 406.6 см- LO и 2LO моды CdSe. Важно, что частота LO-моды (и 2LO тоже) меньше, чем у CdSe точек. Это согласуется с ожидаемым поведением полосы CdSe-подобного LO-фонона (LO-CdSe-like) для смешанного двухмодового кристалла CdHgSe. С другой стороны, ширина этой полосы такая же, как и у CdSe точек, что свидетельствует об образовании на поверхности CdSe КТ тонкого слоя смешанного кристалла.

4. При увеличении содержания Hg до 30% в спектре наблюдаются 5 полос: 145, 169, 199.5, 336 и 398 см-1, которые относятся к ТO- и LO- HgSe-подобным, LO CdSe-подобным модам CdHgSe, и их обертонам. При росте содержания Hg от до 30% наблюдаются сдвиги полос TО и LО фононов HgSe и CdSe, ожидаемые для двухмодовых смешанных кристаллов CdHgSe. Это свидетельствует о внедрении атомов ртути в кристаллическую структуру CdSe. Ширины полос HgSe- и CdSe-подобных LO фононов увеличились, что свидетельствует о наличии неупорядочения в структуре смешанного кристалла.

5. В нанокристаллах ZB CdSe с содержанием Hg 60% в спектре видны полосы с частотами 140, 174, 198 и 348 см-1. Сдвиги ТО и LO полос HgSe идут в ожидаемом для двухмодовых смешанных кристаллов CdHgSe направлении, а интенсивность полосы CdSe-подобной LO-моды резко уменьшилась, что соответствует уменьшению содержания Cd.

На Рисунке 4 продемонстрирована зависимость частоты фононов от химического состава и кристаллической структуры исследуемых нанокристаллов.

210 LO-CdSe-like CdxHg1-xSe - LO-HgSe-like Частота, см Частота TO-HgSe-like локальной моды HgSe:Cd 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1, Содержание Hg, 1-x Рисунок 4 - Зависимость частоты фононов в спектре КТ CdxHg1-xSe разного состава от содержания Hg для нанокристаллов с кубической кристаллической решеткой В результате, на основании анализа спектров КР установлено, что замещение атомов Cd на атомы Hg приводит к монотонному уменьшению частоты полосы CdSe-подобного LO-фонона и увеличению частоты полосы LO-фонона. При этом наблюдается уменьшение HgSe-подобного интенсивности полосы CdSe-подобного LO-фонона и увеличение интенсивности полосы HgSe-подобного LO-фонона. Такая модификация спектров КР полностью соответствует ожидаемой для двухмодового смешанного кристалла и свидетельствует об образовании кристаллического тройного соединения CdхHg1-xSe, благодаря изоструктурности CdSe и HgSe.

Таким образом, установлен реальный химический состав синтезируемых нанокристаллов и показана кристалличность их структуры. Это позволяет сделать окончательные выводы о наличии корреляции между химическим составом нанокристаллов CdxHg1-xSe и их люминесцентными параметрами.

Анализ спектров КР образцов CdHgSe, получаемых из квантовых точек CdSe с гексагональной кристаллической решеткой, показывает, что их структура отличается от образцов, получаемых из квантовых точек CdSe с кубической решеткой. На Рисунке 5 представлены спектры КР нанокристаллов CdSe гексагональной структуры с различным содержанием атомов Hg.

LO-CdSe-like LO-HgSe-like TO-HgSe-like Интенсивность КР, пр.ед.

LO-HgSe + LO-CdSe 2LO-CdSe Cd0.4Hg0.6Se 2LO-HgSe Cd0.7Hg0.3Se 2LO-CdSe 10 Cd0.92Hg0.08Se LO-CdSe 2LO-CdSe SO-CdSe WZ КТ CdSe 150 300 Стоксов сдвиг, см- Рисунок 5 - Спектры КР от квантовых точек гексагональной структуры: CdSe и CdHgSe с разным содержанное Hg. Показано разложение перекрывающихся полос в спектре с использованием лоренцевских функций и отнесение полос фононным модам материалов Как и в случае квантовых точек с кубической структурой в спектрах исходных квантовых точек гексагональной структуры CdSe наблюдаются полосы SO, LO и 2LO фононов на 186, 204 и 410 см-1, соответственно. При замещении 8% кадмия на ртуть в низкочастотной области спектра наблюдается широкая полоса с частотой 173 см-1, относящаяся к HgSe-подобной LO-моде в CdHgSe. По сравнению с исходными НК CdSe частоты LO и 2LO мод уменьшаются, а соответствующие полосы уширяются. Все это согласуется с ожидаемым поведением CdSe-подобной LO-полосы для смешанного двухмодового кристалла CdHgSe.

При увеличении содержания Hg до 30% кроме полос с частотами 142, 169, 196 и 392 см-1, относящиеся к TO- и LO-HgSe-подобным, LO- и 2LO-CdSe подобным модам CdHgSe, в спектре наблюдаются полоса 363 см-1, которая относится к составному тону HgSe- и CdSe-подобных LO фононов и свидетельствует о внедрении атомов ртути в кристаллическую структуру CdSe.

В нанокристаллах с содержанием Hg около 60% в спектре виден тот же набор полос, что и в случае 30% замещения. Однако ожидаемых сдвигов ТО и LO полос HgSe относительно образца с 30% содержанием ртути практически нет, а интенсивность LO-CdSe-подобной полосы больше интенсивности LO HgSe-подобной полосы. Мы предполагаем, что такое поведение связано с тем, что внутри нанокристалла CdHgSe с гексагональной структурой происходит формирование области обогащенной HgSe с кубической структурой, сопровождающееся образованием большого количества дефектов кристаллической структуры.

При замещении атомов кадмия на атомы ртути в случае квантовых стержней CdSe с гексагональной решеткой в спектрах КР образцов, приведенных на Рисунке 6, наблюдаются изменения, аналогичные случаю квантовых точек с гексагональной кристаллической решеткой.

LO-CdSe-like LO-HgSe-like TO-HgSe-like LO HgSe + LO CdSe Cd0.4Hg0.6Se 2LO-CdSe Интенсивность КР, пр.ед.

Cd0.7Hg0.3Se 2LO-CdSeCd Hg0.08Se 0. LO-CdSe 2LO-CdSe SO-CdSe WZ КС CdSe 150 300 - Стоксов сдвиг, см Рисунок 6 – Спектры КР квантовых стержней CdSe и CdHgSe с различным содержанием ртути. Показано разложение перекрывающихся полос в спектре с использованием лоренцевских функций и отнесение полос фононным модам материалов Для КС с минимальным содержанием ртути (8%) в низкочастотной области наблюдается широкая полоса HgSe-подобного LO-фонона CdHgSe с частотой 171 см-1. При увеличении ширины полос, частоты LO и 2LO CdSe мод меньше, чем у CdSe наностержней. Правда уже при таком количестве замещенных атомов в спектре наблюдается составной тон с частотой 373 см -1, свидетельствующий о внедрении атомов ртути в кристаллическую структуру наностержней.

Спектры КР для образцов с содержанием Hg 30 и 60% содержат 5 полос, относящихся к TO- и LO-HgSe-подобным, LO- и 2LO-CdSe-подобным модам CdHgSe, а также составному тону HgSe- и CdSe-подобных LO фононов. При этом в обоих случаях не наблюдается сдвиг полосы HgSe-подобного LO фонона, при уменьшении частоты CdSe-подобного LО-фонона. А относительная интенсивность полосы HgSe-подобного LO-фонона меньше интенсивности полосы CdSe-подобного LO-фонона.

Сделано предположение, что, как и в случае квантовых точек с гексагональной структурой, наблюдаемые изменения в спектрах КР вызваны формированием областей с высоким содержанием ртути и кубической решеткой внутри области с высоким содержанием кадмия, то есть наногетероструктур которые можно рассматривать как квантовые точки, внедренные в квантовые стержни. Для окончательного заключения необходим анализ кристаллической структуры НК с использованием просвечивающего электронного микроскопа высокого разрешения.

В результате работы был установлен факт контролируемого замещения атомов Cd атомами Hg в нанокристаллах CdSe с образованием тройного соединения CdхHg1-xSe. Показано, что предлагаемый метод химического замещения в нанокристаллах CdSe части атомов кадмия атомами ртути, действительно может быть использован для получения нанокристаллов тройного состава CdxHg1-xSe с полосами люминесценции в ближней ИК области спектра. Это возможно как при кубической, так и гексагональной решетках исходных CdSe нанокристаллов, хотя кристаллическая структура и дефектность формируемых нанокристаллов CdxHg1-xSe зависит от морфологии и кристаллической фазы исходных нанокристаллов CdSe.

Основные результаты, изложенные в третьей главе диссертации, опубликованы в работах [A4, А11, А12].

В четвертой главе диссертации приведены результаты исследования особенностей процесса комбинационного рассеяния света в коллоидных квантовых нанопластинах CdSe с толщиной 4, 5 и 6 монослоев (МС) CdSe и фундаментальным экситонным переходом на 460, 515 и 550 нм, соответственно.

Предполагается [5], что на основе коллоидных нанопластин возможно формирование более сложных самоорганизованных систем с улучшенными функциональными свойствами для оптоэлектроники. Однако, электронные и, особенно, фононные параметры таких сильно анизотропных нанокристаллов практически не исследованы.

Целью работы было исследование зависимости фононной структуры коллоидных квантовых нанопластин CdSe от их толщины и установление особенностей электрон-фононного взаимодействия при нерезонансном и резонансном КР.

На Рисунке 7 приведены спектры поглощения и люминесценции исследованных образцов КП различной толщины.

Погл 4MC нанопластины CdSe Интенсивность ФЛ, пр.ед.

Погл 5MC Поглощение, пр.ед.

Погл 6MC ФЛ 4MC ФЛ 5MC ФЛ 6MC 400 450 500 550 600 Длина волны, нм Рисунок 7 – Спектры поглощения (сплошные линии) и люминесценции (пунктирные линии) образцов нанопластин CdSe с толщиной 4, 5 и 6 монослоев CdSe с фундаментальным экситонным переходом на 460, 515 и 550 нм, соответственно.

Стрелками показаны длины волн возбуждающих КР излучений Поскольку образцы сильно люминесцировали, для измерения спектров резонансного КР была разработана методика тушения люминесценции путем присоединения к поверхности нанопластин молекул бензоселена.

Спектры КР нанопластин CdSe были получены впервые. Спектры возбуждались излучением с длинами волн 457, 514.5 и 632.8 нм, первые два из которых находятся в точном резонансе с экситонными переходами нанопластин с толщиной 4 и 5 монослоев. Излучение 514.5 нм также близко к переходу 550 нм нанопластин с толщиной 6 монослоев, в то время как излучение 632. нм можно рассматривать как нерезонансное для всех трех образцов.

На Рисунке 8 приведены спектры нерезонансного КР трех исследованных образцов нанопластин CdSe.

нерезонансное Интенсивность КР, пр.ед.

LO-фонон Интенсивность КР, пр.ед.

SO-фонон - 207 см КР - 187 см 6 MC LO 5 MC 4 MC SO 150 200 - Стоксов сдвиг, см 2LO 6 MC 3LO 5 MC 4 MC 200 400 - Стоксов сдвиг, см Рисунок 8 – Спектры нерезонансного КР образцов нанопластин CdSe с толщинами 4, 5 и монослоев, при возбуждении излучением с длиной волны 633 нм. Обозначены полосы, соответствующие продольным оптическим фононам (LO) и их обертонам (2LO и 3LO), а также поверхностным оптическим фононам (SO). На вставке более детально показаны полосы SO и LO фононов образцов и их аппроксимация двумя лоренцевскими функциями В спектрах всех образцов доминирует полоса LO-фононов CdSe с частотой ~207 см-1, близкой к характерной частоте в ~210 см-1 для объемного полупроводника. На низкочастотном крыле полосы LO-фонона в спектрах КР наблюдается полоса с частотой ~187 см-1, которая относится к рассеянию на поверхностных SO фононах нанопластин. Энергии LO-фононов для всех трех образцов одинаковы, то есть не зависят от толщины нанопластин. Это свидетельствует о преобладании в процессе нерезонансного КР фононов, распространяющихся вдоль плоскости нанопластин, где отсутствует эффект пространственного ограничения для оптических фононов.

Совсем иная картина наблюдается в спектрах резонансного КР образцов, возбуждаемых излучением 514.5 и 457.9 нм и представленных на Рисунке 9.

Как и ранее, области спектра, содержащие перекрывающиеся полосы SO и LO фононов, были аппроксимированы двумя лоренцевскими функциями. Здесь наблюдается монотонная зависимость частот LO и SO фононов (LO и SO) от толщины нанопластин (d), измеренной в монослоях, что показано в приведенной на Рисунке 9а вставке.

d (МС) A (нм) EX (нм) SO (см-1) LO (см-1) (б) (a) LO Интенсивность КР, пр.ед.

4 460 457.9 188.5 199. Интенсивность КР, норм резонансное КР 5 515 514.5 187.5 202. 6 550 514.5 187 204. SO LO 6MC SO 2LO 6MC 5MC 5MC 4ML 4MC 160 180 200 150 300 450 -1 - Стоксов сдвиг, см Стоксов сдвиг, см Рисунок 9 - (а) спектры резонансного КР образцов нанопластин CdSe с толщиной 4, 5 и монослоев, соответственно. На вставке указаны толщина (d) и длины волн возбуждающего КР излучения (EX), соответствующих длине волны фундаментального экситонного перехода (A), а так же частоты LO и SO фононов (LO и SO). (б) Области спектра, содержащие перекрывающиеся полосы SO и LO фононов, были аппроксимированы двумя лоренцевскими функциями. Прямые линии иллюстрируют зависимость частот LO и SO фононов от толщины нанопластины Найдено, что в случае резонанса возбуждающего излучения с конфайнментным экситонным переходом нанопластин CdSe разной толщины имеет место низкочастотный сдвиг полосы LO-фононов по сравнению с нерезонансным возбуждением, достигающий 2.5, 4.2, и 7.5 см-1 для 6, 5 и 4 МС, соответственно. При уменьшении толщины нанопластин с 6 до 4 монослоев происходит уменьшение частоты LO-фонона с 204.5 до 199.5 см-1 (см. вставку на Рисунке 9а), как это показано на Рисунке 9б. Одновременно с этим наблюдается уширение LO-фононной полосы с 16 до 20.4 см-1. Уменьшение частоты LO-фонона в зависимости от толщины нанопластин CdSe вызвано проявлением эффекта пространственного ограничения оптических фононов в направлении перпендикулярном плоскости пластин.

Анализ резонансных и нерезонансных спектров КР нанопластин CdSe показывает, что основной вклад в нерезонансное КР вносят LO-фононы, распространяющиеся вдоль латеральных плоскостей нанопластин, где эффект пространственного ограничения оптических фононов незначителен, в то время как конфайментные LO-фононы, с энергиями зависящими от толщины и распространяющиеся перпендикулярно плоскостям, вносят основной вклад в КР в условиях резонанса возбуждающего света и нижайших по энергии конфайментных экситонов.

Причина, по которой оптические фононы, отвечающие за рассеяние, в случае нерезонансного КР распространяются вдоль плоскости нанопластин, а при резонансных условиях в рассеянии в основном участвуют ограниченные оптические фононы, распространяющиеся в перпендикулярном направлении, объясняется тем фактом, что в нерезонансных условиях все LO-фононы участвуют в процессе КР одинаково эффективно. Поскольку фононы, распространяющиеся вдоль плоскости нанопластин и имеющие частоту, близкую к объемному CdSe, составляют большинство, то они и доминируют в нерезонансном КР. В случае резонансного возбуждения более эффективным становится взаимодействие с ограниченными LO-фононами. Действительно, сравнение резонансных и нерезонансных спектров КР нанопластин толщиной и 6 монослоев, представленных на Рисунках 8 и 9, показывает, что при резонансном возбуждении происходит увеличение относительной интегральной интенсивности 2LO-фононной полосы практически вдвое, что указывает на более сильное электрон-фононное взаимодействие. Надо отметить, что сравнение резонансных спектров комбинационного рассеяния, представленных на Рисунке 9, показывает снижение интенсивности отношения полос 2LO к LO с уменьшением толщины нанопластин, что указывает на ослабление LO-фононного взаимодействия с увеличением квантования, как это наблюдалось для нанопластин CdSe в работе Achtstein и др. [5].

Ожидалось, что наличие аномально большой поверхности у нанопластин должно приводить к интенсификации поверхностных химических реакций.

Действительно, с использованием спектроскопии резонансного КР показано, что в результате реакции с тиогликолятом натрия на поверхности квантовых нанопластин CdSe легко формируется монослой CdS - полупроводника с более широкой запрещенной зоной, который, как и в случае квантовых точек типа ядро/оболочка, может приводить к повышению квантового выхода фотолюминесценции нанокристаллов.

Основные результаты, изложенные в четвертой главе диссертации, опубликованы в работах [A1-А3, А8-А10].

В Заключении диссертации перечислены основные результаты работы:

1. Анализ спектров КР тонких поликристаллических пленок PbS, PbSe, а также тройного соединения CdPbSe с учетом вида фононных дисперсионных кривых PbS и PbSe позволил установить соответствие полос в спектрах LO фононным модам и их обертонам различных критических точек зон Бриллюэна полупроводников, а также LO и LA фононам, их обертонам и составным тонам.

2. Сравнительный анализ спектров резонансного КР микро- и нанокристаллов PbS разных размеров показал возрастание электрон-LO фононного взаимодействия в нанокристаллах PbS по сравнению с объемным материалом и с уменьшением размеров нанокристаллов.

3. Установлено, что при контролируемом химическом замещении атомов Cd ионами Hg в нанокристаллах CdSe в коллоидном растворе происходит образование тройного соединения CdхHg1-xSe, демонстрирующего характерный двухмодовый характер колебаний решетки. Показано, что химическое превращение бинарных CdSe нанокристаллов в тройные Cd xHg1-хSе зависит от морфологии и кристаллической фазы исходных нанокристаллов CdSe.

4. Установлено, что в спектрах нерезонансного КР квантовых нанопластин CdSe частоты полос SO и LO фононов не зависят от толщины нанопластин, тогда как при резонансном возбуждении имеет место явная зависимость частоты фононов от толщины, аналогичная наблюдавшейся для оптических фононов в квантовых точках CdSe разных размеров. Сделан вывод, что наблюдаемый эффект вызван анизотропией электрон-фононного взаимодействия в квантовых нанопластинах в направлениях вдоль и перпендикулярно плоскости нанопластин.

5. Показано, что в результате реакции замещения лигандов на поверхности квантовых нанопластин CdSe формируется монослой CdS.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

Статьи в журналах:

А1. Cherevkov S.A., Baranov A.V.;

Fedorov A.V., Litvin A.P., Artemyev M.V., Prudnikau A.V. Optical properties of two-dimensional (2D) CdSe nanostructures // Proc. of SPIE. - 2013. – Vol. 8807. – Р. 88070A (1-6).

А2. Cherevkov S.A., Fedorov A.V., Artemyev M.V., Prudnikau A.V., Baranov A.V. Anisotropy of electron-phonon interaction in nanoscale CdSe platelets as seen via off-resonant and resonant Raman spectroscopy // Physical Review B. – 2013. – Vol. 88.

– No. 4. – P. 041303(1-5).

А3.. Dyakov A., Perova T.S., Miao C.Q., Xie Y.-H., Cherevkov S.A., and Baranov A.V. Influence of the buffer layer properties on the intensity of Raman scattering of graphene // Journal of Raman Spectroscopy. - 2013. – Vol. 44. – No. 6. – P. 803-809.

А4. Prudnikau A.;

Artemyev M., Molinari M., Troyon M., Sukhanova A., Nabiev I., Baranov A., Cherevkov S., Fedorov A. Chemical substitution of Cd ions by Hg in CdSe nanorods and nanodots: spectroscopic and structural examination // Materials Science and Engineering B. – 2012. – V. 177. – P. 744-749.

А5. Baranov A., Cherevkov S., Polischuk V., Slavov D., Petrov L., Todorov G..

Fluorescence from Pb1-XCdXSe polycrystalline films exited by nonmonochromatic light at max 0.9 m // Proc. of SPIE. – 2011. – Vol. 7747. P. 774707 (1-6).

А6. Баранов А.В., Черевков С.А., Богданов К.В., Ушакова Е.В., Федоров А.В., Tscharntke S.. Сравнительный анализ спектров комбинационного рассеяния макро- и нанокристаллов PbS // Оптика и спектроскопия. – 2010. – Т. 109. –№ 2. – С. 1368–1372.

А7. Черевков С.А., Баранов А.В.. Техника микро-рамановского анализа материалов // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. – 2008. – Т. 51. – С.

286-293.

Публикации в трудах конференций:

А8. Черевков С.А., Баранов А.В., Артемьев М.В., Прудников А.В.

Спектроскопия комбинационного рассеяния CdSe двумерных (2D) наноструктур.

Сборник тезисов докладов III Международной научной конференции «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь», 19- ноября 2012, - СПб: ООО «Издательство ЛЕМА», 2012. С. 493.

А9. Cherevkov S.A., Baranov A.V., Prudnikau A.V., Artemyev M.V. Optical properties of two-dimensional (2D) CdSe nanostructures. Book of

Abstract

of the 3-rd International Symposium «Molecular Photonics», June 24-29 2012, - St. Petersburg:

VVM publishing Ltd., 2012. P. 171.

А10. Черевков С.А., Мухина М.В. Оптические свойства 2D наноструктур на основе CdSe Сборник тезисов докладов I Всероссийского конгресса молодых ученых, Выпуск 2. Труды молодых ученых. - СПб: НИУ ИТМО, 2012. С. 364-366.

А11. Черевков С.А., Ушакова Е.В., Богданов К.В., Баранов А.В., Артемьев М.В. Анализ структурно-химических особенностей полупроводниковых квантовых нанокристаллов CdHgSe методом комбинационного рассеяния света.

Сборник трудов Международной конференции и семинаров. Т.1. «Оптика-2011» / Под ред. проф. В.Г. Беспалова, проф. С.А. Козлова.– СПб: НИУ ИТМО, 2011. С.

79-81.

А12. Черевков С.А., Ушакова Е.В., Богданов К.В., Баранов А.В.

Спектроскопия комбинационного рассеяния нанокристаллов полупроводников CdxHg1-xSe. Сборник тезисов докладов конференции молодых ученых, Выпуск 2.

Труды молодых ученых. - СПб, СПбГУ ИТМО 2011. С. А13. Черевков С.А., Ушакова Е.В., Богданов К.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния нанокристаллов PbS. Сборник тезисов VII Всероссийской межвузовской конференции молодых ученых, 20-23 апреля 2010, Санкт-Петербург. – СПб: СПбГУ ИТМО 2010. С.181.

А14. Cherevkov S.A., Ushakova E.V., Bogdanov K.V., Baranov A.V., Fedorov A.V., Tscharntke S. Raman spectroscopy of PbS nanocrystals. Proc.14th Int. Conf.

"Laser Optics 2010", St.Petersburg, Russia, June 28 - July 02, 2010. – СПб: РИЦ ГУАП 2010. Р. ThR6-p25.

А15. Cherevkov S.A., Baranov A.V. New method for film thickness measurement //Научное издание, Сборник трудов Международного оптического конгресса «Оптика – XXI век», Санкт-Петербург, 2008. – СПб: СПбГУ ИТМО. С. 209.

Цитированная литература 1. А.В. Федоров, А.В. Баранов. Оптика квантовых точек // В Оптика наноструктур. Под. ред. А.В. Федорова. – СПб.: Недра, 2005. – С. 181-274.

2. Gouadec G., Colomban P. Raman spectroscopy of nanomaterials: how spectra relate to disorder, particle size and mechanical properties // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. – 2007. – V. 53. – №. 1. – P. 1-56.

3. Fedorov, A.V., Baranov, A.V., Inoue, K., Exciton-phonon coupling in semiconductor quantum dots: Resonant Raman scattering // Physical Review B. 1997. - V. 56. - №.12. - P. 7491-7502.

4. Kumazaki K. Resonant Raman Scattering near E1+ 1 in CdxHg1xSe // physica status solid (b). – 1989. – V. 151. – №. 1. – P. 353-362.

5. Achtstein A. W. et al. Electronic Structure and Exciton–Phonon Interaction in Two-Dimensional Colloidal CdSe Nanosheets // Nano letters. – 2012. – V. 12. – №. 6. – P. 3151-3157.

Тиражирование и брошюровка выполнены в учреждении «Университетские телекоммуникации»

197101, Санкт-Петербург, Кронверкский пр.,49.

Тел. (812) 233 Объем 1,0 у.п.л. Тираж 100 экз.



 

Похожие работы:





 
2013 www.netess.ru - «Бесплатная библиотека авторефератов кандидатских и докторских диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.