авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ  БИБЛИОТЕКА

АВТОРЕФЕРАТЫ КАНДИДАТСКИХ, ДОКТОРСКИХ ДИССЕРТАЦИЙ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

УНИВЕРСИТЕТ

ТЕХНОЛОГИЙ И УПРАВЛЕНИЯ

имени К.Г.Разумовского

Институт “Системной Автоматизации и Инноватики”

Кафедра “Физика”

НАУЧНАЯ ШКОЛА

“Высокоскоростная нано кристаллизация в лазерной плазме” Руководитель:

Максимовский С.Н. д.т.н., профессор Москва – 2013 2 ОГЛАВЛЕНИЕ 1. Предпосылки на создание научной школы....................................................................... 2. Цели и задачи научной школы.......................................................................................... 3. Основные направления научной школы........................................................................... 4. План работы научной школы на 2013–2015 годы............................................................ 5. Основные понятия, учения, история зарождения школы................................................. 6. Лидер научной школы....................................................................................................... 7. Участники научной школы.............................................................................................. 8. Научно-исследовательская работа студентов................................................................. 9. Основные темы исследования на 2013–2015 годы......................................................... Научные школы ФГБОУ ВПО “МГУТУ имени К.Г. Разумовского” 010401....................... 1. Предпосылки на создание научной школы.

Научная школа – группа учёных или коллектив исследователей, выполняющая в долгосрочном периоде под руководством лидера (главы школы) определенную научно-исследовательскую программу, решающую четко сформулированную научную задачу или комплекс задач.

Несколько научных школ могут решать одинаковые научные задачи, однако могут различаться в подходах к их решению (программах, методах, инструментах), научных принципах и, соответственно, в достигнутых результатах.

Научные школы, как правило, формируются на базе (внутри) институциональных единиц – академических кафедр или отделов научно исследовательских организаций, а главами школ выступают профессора, руководители данных институтов.

Во всех развитых странах научные школы подлежат государственному учёту и поддержке.

Обязательным условием функционирования научного объединения как научной школы является наличие учеников и последователей. Через учеников и последователей происходит передача научных представлений и традиций от одного поколения к другому, осуществляется связь между разными поколениями. Важным показателем зрелости научной школы является ее интеграционный потенциал, то есть способность объединять вокруг себя единомышленников и последователей, влиять на концептуальные представления представителей других научных объединений. Показателями эффективности функционирования научной школы является внесение научным коллективом значительного вклада в теорию и практику, а также применение собственной методики исследований.

Воспитательное и интеграционное влияние ведущих школ распространяется далеко за пределы их территориальной принадлежности, они формируют новые концепции. Местные школы представляют собой сравнительно небольшие коллективы, которые находятся под влиянием ведущих школ и заняты решением отдельных проблемных вопросов, не продуцируют собственные научные концепции, а развивают концепции, предложенные ведущими школами.

2. Цели и задачи научной школы.

Научная школа объединена не только тематическими и организационными рамками, но и общей системой взглядов, идей, научных традиций.

2.1. Постановка проблемы В настоящее время необходимо комплексно и эффективно стимулировать расширение связей между субъектами научной и образовательной деятельности, а также между секторами науки, образования и высоких технологий, активно использовать механизмы интеграции науки и образования. Одним из мероприятий, направленных на эффективное освоение молодыми исследователями и преподавателями лучших научных и методических отечественных достижений, является организация и проведение всероссийских и международных молодежных научных конференций и школ.

2.2. Цели и задачи:

Целью научной школы является эффективное освоение молодыми исследователями и преподавателями научных и методических отечественных достижений фундаментальной и прикладной науки.

Основными задачами являются:

Техническое обеспечение научных исследований по приоритетным направлениям;

Организационно-аналитическое обеспечение научных исследований по приоритетным направлениям;

Информационно-методическое обеспечение научных исследований по приоритетным направлениям.

Результаты деятельности научной школы могут быть использованы для:

повышения информированности общественности о результатах научной / научно-инновационной деятельности и проектах, реализуемых в рамках научной школы;

повышения эффективности научной / инновационной деятельности МГУТУ им. К.Г. Разумовского;

активизации участия молодых учёных, аспирантов, магистров, студентов в реализации научных и отраслевых программ;

подготовки предложений по повышению эффективности государственной политики Российской Федерации в сфере подготовки научно и научно-педагогических кадров;

подготовки предложений по повышению эффективности проектов, реализуемых в рамках Программы.

3. Основные направления научной школы.

Изучение процессов высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме на бумажных подложках.

Проведение расчётов в рамках создания модели высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме.

Проведение исследований по созданию новой технологии изготовления фотоприёмных устройств на пластиковых подложках.

Изучение возможности применения данной технологии для изготовления солнечных батарей нового поколения.

4. План работы научной школы на 2013–2015 годы.

Сборка запуск и установки лазерной плазмы на базе МГУТУ.

Создание физико-химической лаборатории для обеспечения работы лазерных систем.

Установление научных связей с Академией Наук в лице Физического Института имени П.Н. Лебедева, Министерством оборонной промышленности в лице предприятия ОАО НПО “Альфа”, РКК “Энергия” имени С.П. Королёва.

5. Основные понятия, учения, история зарождения школы.

Благодаря открытию нового явления в физике – высокоскоростной кристаллизации металла на аморфной подложке в газообразной среде, – стало возможным получение наноразмерных монокристаллических структур путём инициации химических процессов под действием импульсов лазерного излучения вне установок глубокого вакуума или установок со специальной газовой средой.

В основе этого явления лежат три фундаментальных физических эффекта, открытые в Физическом институте Российской Академии Наук имени П.Н. Лебедева Г.А. Аскарьяном:

1. Светогидравлический эффект – достижение высокого увеличения давления в жидкости от лазерного луча.

2. Самофокусировка лазерного луча в жидкости. Лазерный луч благодаря высокой напряжённости электрического поля сам меняет оптические свойства среды.

3. Ускорение частиц в лазерном луче. Заряженные частицы и ионы ускоряются под действием колебаний электрического поля мощной световой волны.

При накачке энергией среды за короткое время (порядка 10 нс.) возникает высокая температура ~3200–3500°C (по данным прямых изменений). Среда начинает плавиться, и в жидкой фазе возникает самофокусировка луча, что приводит к ещё большей концентрации энергии, а за счёт светогидравлического эффекта образуется ударная волна, под действием которой происходит разлёт зародышей нанокристаллов и кристаллизация. Кристаллизация происходит со скоростью порядка 100 м/с.

Размер кристаллитов 30–50 мкм. К свойствам данной кристаллизации относится отсутствие требования кристаллографического соответствия между подложкой и кристаллизуемым материалом. При этом не требуется использование дорогостоящего высоковакуумного технологического оборудования или оборудования со специальной химической средой.

Кристаллизация осуществляется на воздухе в помещении, не требующем ультрачистых комнат.

6. Лидер научной школы.

Лидером и идейным вдохновителем научной школы является доктор технических наук Максимовский Сергей Николаевич.

Научные достижения и опыт работы ведущего учёного.

Научная деятельность ведущего учёного, его основные научные достижения 1. Разработана воспроизводимая технология изготовления монокристаллов и плёнок теллурида кадмия с управляемыми свойствами для детекторов радиоактивного излучения и фотоприёмников ИК–диапазона.

2. Разработана технология выращивания монокристаллов германия для гетеродинных фотоприёмников с предельной обнаружительной способностью и высоким быстродействием. Технология внедрена на предприятии “Сапфир”.

3. Разработана технология фотостимулированной эпитаксии для соединений A2B6 и A4B6.

На основе этой технологии впервые изготовлены лазеры ИК–диапазона с длиной волны от 2 до 50 микрон.

4. Отработана технология очистки полупроводниковой поверхности при помощи излучения ксеноновой лампы. Изготовлены ОЭС–фотокатоды для приборов ночного видения.

5. Разработана лазерная технология для высокоскоростной цифровой печати.

6. Разработана технология защиты ценных бумаг (банкнот) и пластиковых карт на основе открытого эффекта – высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме.

Премии и награды ведущего учёного, почетные звания 2000 год золотая медаль на выставке в Брюсселе;

55 международных патентов (США, Япония, Китай, Канада, Южная Корея, станы Европы) Результаты интеллектуальной деятельности ведущего учёного за 2008– годы Публикации ведущего учёного в журналах, индексируемых Web of Science № Название журнала Авторы (в порядке, Название публикации Год, том, п/п указанном в выпуск публикации) 1. ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ К. А. Богоносов, С. Высокоскоростная 2011, том НАУК Н. Максимовский нанокристаллизация 439, № 5, меди в с. 605– низкотемпературной 608.

№ Название журнала Авторы (в порядке, Название публикации Год, том, п/п указанном в выпуск публикации) лазерной плазме 2. Doklady Physics K. A. Bogonosov and High-Speed 2011, S. N. Maksimovskii Nanocrystallization Vol. 439, of Copper in a Low- No. 5, pp.

Temperature Laser 605–608.

Plasma ….

Перечень патентов, ноу-хау, авторских свидетельств, автором которых является ведущий учёный № Наименование Вид Дата Территория Охранный документ п/п объекта объекта приоритета (страна) и срок (патент, свидетельство о интеллектуальной действия регистрации) собственности № дата выдачи 1. Устройство для Патент на 18 ноября Россия 107101 10 августа создания полезную 2010 изображения из модель монокристаллов металлов и их сплавов в теле листового материала.

2.

Прочие научные публикации ведущего учёного за 2008–2012 годы № Название издания Авторы Название публикации Год, том, п/п выпуск 1. Сборник трудов II Ставцев А.Ю., Высокоскоростная 27. 2011.

международной Максимовский С.Н. нанокристаллизация С 242 научно-практической сверхпроводников в 244.

конференции лазерной плазме. ISBN «Инженерные 978-5 инновационные 902948 технологии 98-8. автоматизации и с.

управления в агропромышленном комплексе». Москва, МГУТУ имени К.Г.Разумовского 2. Научно-технический Богоносов К.А., Высокоскоростная 2011. № журнал Наука и Дмитриева В.Ф., нанокристаллизация в 3. С. 111 технологии в Максимовский С.Н., лазерной плазме. 114. промышленности. Ставцев А.Ю. с.

№ Название издания Авторы Название публикации Год, том, п/п выпуск Москва, ООО «Русинтер»

3.

Опыт ведущего учёного по руководству научным коллективом Опыт ведущего учёного по созданию лаборатории мирового уровня и управлению ее научной деятельностью Руководил технологической группой в составе 30 человек по изготовлению полупроводниковых материалов для лаборатории физики твёрдого тела ФИАН, руководимого академиком Б.М. Вулом.

Проекты, выполненные или выполняемые под руководством ведущего учёного № Название проекта Размер Источник Срок Основные результаты проекта п/п финанс финансиров выполнен ировани ания ия я проекта (млн.ру (начало– б.) окончани е) Предлагаемая технология позволяет 1. Контракт на 15 Фонд 2008 – получать монокристаллы размерами выполнение научно- Бортника несколько десятков микрон (30 – исследовательских и мкм) на подложках не имеющие опытно- кристаллографического сродства конструкторских работ подложки с кристаллизуемым материалом.

№ 5523р/7945 по теме:

На поверхности некоторых “Разработка монокристаллов образуются технологии защиты упорядоченные стрийные ценных бумаг наноструктуры.

(банкнот, денежных При выращивании кристаллов нет необходимости в высоковакуумном знаков) специальными оборудовании или оборудовании со методами печати на специальной газовой средой.

основе нано Созданы новые элементы защиты технологий” купюр денежных знаков, которые представляют собой оригинальное изображение с лицевой стороны купюры, образованное входными отверстиями глухих каналов в теле купюры с выпуклостями вокруг них, обрамленных с внешней стороны изображения контуром. Это изображение без перечисленных деталей видно невооруженным глазом, а со всеми деталями – при увеличении в отраженном свете. При этом сохраняется неповрежденная поверхность купюры с её оборотной № Название проекта Размер Источник Срок Основные результаты проекта п/п финанс финансиров выполнен ировани ания ия я проекта (млн.ру (начало– б.) окончани е) стороны напротив изображения с лицевой стороны.

Указанные защитные признаки являются оригинальными и не могут быть воспроизведены с помощью технологий, используемых в настоящее время для защиты купюр денежных знаков.

Разработаны новые типы приёмников 2. Государственный 8 (Госконтра октября инфракрасного излучения, основанные контракт от 12 октября кт на использовании 2011 г. № заключён 2011 – 01 наноструктурированных сред.

16.513.11.3116 на между октября Предложены и апробированы новые выполнение научно- Минобрна 2012 безвакуумные методы формирования наноструктур вблизи поверхности исследовательских уки РФ и подложек, на которые наносился работ в рамках ФЦП ФИАН фоточувствительный слой.

“Исследования и имени Разработана технология формирования разработки по П.Н. наноструктурированных подложек приоритетным Лебедева). различного типа и проведения микроанализа сформированных направлениям структур. Изготовлены различные развития научно типы наноструктурированных технологического подложек из плавленого кварца и комплекса России на полистирола.

2007–2013 годы” по В результате выполнения НИР были изготовлены образцы ИК– теме: “Разработка и фоточувствительных создание технологии наноструктурированных сред нового ИК– типа, поглощающие излучение в фоточувствительных диапазоне длин волн от 350 нм до наноструктурированны нм. Полученные в результате НИР методы нанесения ТНП на различные х сред нового типа для типы подложек обеспечили повышение оптико-электронных эффективности ИК– модулей и систем с фоточувствительных предельными наноструктурированных сред, параметрами по регистрирующих электромагнитное излучение в ультрафиолетовом, разрешению, видимом и инфракрасном диапазонах быстродействию и (350 – 3000 нм).

чувствительности при Показано, что разработанные минимальном уровне фотоприёмники инфракрасного шумов”. излучения характеризуются повышенной спектральной чувствительностью и низкими шумами (1–5 мкВ). Расширен диапазон материалов, используемых в качестве подложек: плавленый кварц, стекло, полистирол, опаловые матрицы и плотно упакованные диэлектрические шарики с диаметром порядка 1 мм.

Созданные ИК–фоточувствительные наноструктурированные среды не имеют аналогов как в нашей стране, № Название проекта Размер Источник Срок Основные результаты проекта п/п финанс финансиров выполнен ировани ания ия я проекта (млн.ру (начало– б.) окончани е) так и за рубежом, что свидетельствует о высоком уровне работы, сопоставимом с лучшими достижениями в данной области.

3. Технологическая платформа “Материалы и технологии металлургии на период 2013-2020 гг.” 4. Заявка на конкурс по созданию высокотехнологичного производства Министерства образования и науки (совместно с СКБ, НПО “Альфа”, ООО “Куранты”) Опыт ведущего учёного по подготовке научных и педагогических кадров Опыт преподавательской деятельности ведущего учёного Заведующий кафедрой неорганической химии МГУТУ им. К.Г. Разумовского.

Профессор кафедры Физики МГУТУ им. К.Г. Разумовского.

Опыт ведущего учёного по подготовке докторов наук и кандидатов наук Под руководством д.т.н. Максимовского С.Н. защищены 4 кандидатские диссертации.

Общественная научная деятельность ведущего учёного Членство в программных и организационных комитетах международных конференций Международная конференция в Абхазии 2008–2011 год.

Международный конгресс по росту кристаллов 1980 год, Москва.

7. Участники научной школы.

Максимовский Сергей Николаевич.

1962 – Московский институт тонкой химической технологии имени М.В. Ломоносова. Кафедра технологии редкоземельных материалов и материалов для электроники.

1968 – кандидат технических наук.

1988 – доктор технических наук. Специализация: полупроводники и технологии сверхпроводников.

1962 – по настоящее время. Физический институт академии науки имени П.Н. Лебедева. Ведущий научный сотрудник, профессор.

Список основных публикаций 1. Sergey N. Maksimovsky, Gregory A. Radutsky, Anna V. Berdovchtchikova, Vadim D. Katzman, Oleg R. Kharin Direct Laser Printing: New Opportunities of Competition with Mechanical Printing Equipment. // Digitalisation and Print Media 32nd International iarigai Research Conference – Conference Papers – Porvoo – Finland – 4–7 September – 2005 – P. 127–131.

2. Sergei Nikolaevich Maximovsky, Grigory Avramovich Radutsky Method for Producing a Metalized Image on a Sheet Material and Device for Carrying out Said Method. PCT/RU2004/000264.

3. Максимовский С.Н. Радуцкий Г.А. Метод для получения металлизированных изображений в листовом материале и устройство для его выполнения. Патент РФ 22267408 (PCT/RU 2004/102722).

4. Максимовский С.Н. Радуцкий Г.А. Патент Японии 4575393.

5. L. K. Vodop’yanov, P. S. Kozlov, I. V. Kucherenko, S. N. Maksimovskii, and G. A. Radutskii Studying the Possibility of Applying the Light Hydraulic Effect to Digital Printing. Instruments and Experimental Techniques, Vol. 46, No. 4, 2003, pp. 549–553.

6. Атоян А.А., Максимовский С.Н., Радуцкий Г.А. Ставцев А.Ю.

Устройство для создания изображения из монокристаллов металлов и их сплавов в теле листового материала (полезная модель). Патент РФ на полезную модель 2011 № 107101. Заявка № 2010146745.

7. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю.

Высокоскоростная нанокристаллизация в лазерной плазме. Научно технический журнал “Наука и технологии в промышленности”.

Москва, ООО “Русинтер” 2011. № 3. С. 111-114. 128 с.

8. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю. О перспективах высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме. Международная конференция по высоким технологиям в честь 50-летия полёта Ю.А. Гагарина в космос. Абхазия. 2011.

9. Богоносов К. А., Максимовский С. Н. Высокоскоростная нанокристаллизация меди в низкотемпературной лазерной плазме. // Доклады академии наук. 2011. Том 439. № 5. С. 605–608.

Ставцев Алексей Юрьевич Квалификация:

1) Физик по специальности “Медицинская физика” 2) Экономист “Финансы и кредит”, “Финансовый менеджмент” Образование:

2000 – Окончание школы № 1246 с углубленным изучением английского языка (серебряная медаль).

2000 – 2006 гг. – Московский инженерно-физический институт (государственный университет), факультет экспериментальной и теоретической физики.

Специальность: “Медицинская физика” 2006 – 2008 гг. – Московский инженерно-физический институт (государственный университет), аспирантура факультета экспериментальной и теоретической физики.

Специальность: 01.04.01 – “Приборы и методы экспериментальной физики”.

2007 – 2009 гг. – Московский инженерно-физический институт (государственный университет), гуманитарный факультет.

Специальность: “Финансы и кредит”, “Финансовый менеджмент”.

Опыт работы:

16.04.2009 – по настоящее время. Старший преподаватель кафедры физики Московского Государственного Университета Технологий и Управления имени К.Г.Разумовского.

12.10.2011–31.10.2012. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт П.Н. Лебедева Российской академии наук. Государственный контракт от 12 октября 2011 г. № 16.513.11. на выполнение научно-исследовательских работ в рамках ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы” по теме:

“Разработка и создание технологии ИК-фоточувствительных наноструктурированных сред нового типа для оптико-электронных модулей и систем с предельными параметрами по разрешению, быстродействию и чувствительности при минимальном уровне шумов”.

01.04.2008–31.01.2011. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт П.Н. Лебедева Российской академии наук. Выполнение научно–исследовательских и опытно–конструкторских работ №5523р/7945 по теме “Разработка технологии защиты ценных бумаг (банкнот, денежных знаков) специальными методами печати на основе нано технологий” 05.11.2008–02.03.2009. Сервисный инженер по ремонту и обслуживанию медицинского оборудования. ООО “МОТ” (Общество с ограниченной ответственностью “Медицинское Оборудование и Техника”) при Клинической Больнице Управления Делами Президента РФ.

01.11.2006–15.04.2008. Инженер деканата факультета “Т” (“Экспериментальной и теоретической физики”), МИФИ (Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Московский инженерно-физический институт (государственный университет)”) 15.07.2005–28.02.2006 Инженер деканата факультета “Т”, МИФИ 11.10.2004–30.06.2005 Инженер кафедры № 1 МИФИ.

Прочие умения и навыки:

Свободное владение английским языком (имею международный сертификат Pitman intermediate level), имею публикации в научных журналах (“Высшей нервной деятельности” и “Вопросы атомной науки и техники”), дипломант Курчатовской молодежной научной школы и научной сессии МИФИ, имею водительские права категории B, умение программировать в среде Microsoft Visual Basic, ведение презентаций и умение выступать на публике, не курю.

Личные интересы, хобби:

Фотография, велосипед, коньки, литературное творчество.

Достижения.

Август 2010. Диплом II степени. Победитель конкурса инновационных проектов за проект “Технология высокоскоростного выращивания высокотемпературных (более 77 K) сверхпроводящих материалов в лазерной плазме”.

Июнь 2012. 2-ой Национальный конкурс инновационных проектов 2012. Лауреат рейтинга “100 инновационных лидеров России”.

Промышленный сектор: химическая промышленность.

Список публикаций 1. Ставцев А.Ю. Выработка Критерия учета неоднородностей в головном мозге человека при локализации диполей для обратной задачи ЭЭГ на основе модельных экспериментов. Научная конференция молодых учёных С. 27-28. (Институт высшей нервной деятельности и нейрофизиологии РАН) от 6.10.2004. 33 с.

2. Ставцев А.Ю., Ушаков В.Л. Критерий учета неоднородностей в головном мозге при локализации диполей для обратной задачи ЭЭГ.

Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ-2005». Москва, МИФИ, 2005. Т. 5. С. 85-86. ISBN 5-7262-0555-3. 292 с.

3. Ставцев А.Ю., Ушаков В.Л. Влияние пространственных неоднородностей электрической проводимости в головного мозга на потенциалы ЭЭГ. Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ 2006». Москва, МИФИ, 2006. Т. 5. С. 54-56. ISBN 5-7262-0633-9. 208 с.

4. Беляев В.Н., Ставцев А.Ю. Разработка методов одностороннего контроля внутренней структуры объектов по отраженному рентгеновскому излучению. Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ-2006». Москва, МИФИ, 2006. Т. 5. С. 27-28. ISBN 5-7262-0633 9. 208 с.

5. Ушаков В.Л., Ставцев А.Ю., Крамер-Агеев Е.А., Климанов В.А.

Биофизика, радиационная физика и экология в МИФИ. V Съезд по радиационным исследованиям. Тезисы докладов. Москва, 10-14 апреля 2006 года. Т. 3. С. 143. 144 с.

6. Ставцев А.Ю. Учет вариаций электрической проводимости тканей мозга и окружающих его слоев при решении прямой задачи ЭЭГ. X Научная конференция молодых учёных. С. 40-41. (Институт высшей нервной деятельности и нейрофизиологии РАН) Москва, 11-12 октября 2006 г. 44 с.

7. Беляев В.Н., Ставцев А.Ю. Генераторы псевдослучайных чисел и их применимость для расчетов Монте-Карло в задачах обратного рассеяния рентгеновского излучения. Сборник аннотаций работ «4-я Курчатовская молодежная научная школа». Москва, РНЦ «Курчатовский институт», 20-22 ноября 2006. С. 102. 134 с.

8. Беляев В.Н. Ставцев А.Ю. Генераторы псевдослучайных чисел и их применимость для расчетов Монте-Карло в задачах обратного рассеяния рентгеновского излучения. Сборник трудов (на компакт диске) «4-я Курчатовская молодежная научная школа». Москва, РНЦ «Курчатовский институт», 2007. С. 331-335. 410 с.

9. Ставцев А.Ю. Соотношение вкладов рассеяний разной кратности для прошедшего и отраженного рентгеновского излучения. Сборник аннотаций работ «5-я Курчатовская молодежная научная школа».

Москва, РНЦ «Курчатовский институт», 19-21 ноября 2007. С. 92-93.

156 с.

10. Ставцев А.Ю., Ушаков В.Л., Верхлютов В.М. Моделирование влияния толщины слоев и проводимости тканей головы и мозга на потенциалы ЭЭГ с использованием метода конечных элементов. // Журнал высшей нервной деятельности имени И.П. Павлова. М.:

Наука, 2007. Т. 57. № 6. С. 742-752. 128 с.

11. Ставцев А.Ю., Ушаков В.Л., Верхлютов В.М. Влияние вариаций электрической проводимости тканей на потенциалы ЭЭГ. Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ-2008». Москва, МИФИ, 2008.

Т. 3. С. 130-132. ISBN 978-5-7262-0883-1. 232 с.

12. Ставцев А.Ю. Генераторы псевдослучайных чисел и их применимость для расчетов Монте-Карло. Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ-2008». Москва, МИФИ, 2008. Т. 3. С. 152-154. ISBN 978-5 7262-0883-1. 232 с.

13. Ставцев А.Ю. Последовательностные корреляции генераторов псевдослучайных чисел. Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ-2008». Москва, МИФИ, 2008. Т. 3. С. 155-156. ISBN 978-5 7262-0883-1. 232 с.

14. Ставцев А.Ю., Штоцкий Ю.В. О соотношении вкладов рассеяний разной кратности и флюенсе энергии обратно рассеянного рентгеновского излучения. Сборник научных трудов «Научная сессия МИФИ-2008». Москва, МИФИ, 2008. Т. 3. С. 46-47. ISBN 978-5-7262 0883-1. 232 с.

15. Ставцев А.Ю. Штоцкий Ю.В. Соотношение вкладов рассеяний разной кратности для прошедшего и отраженного рентгеновского излучения.

Сборник трудов (на компакт-диске) «5-я Курчатовская молодежная научная школа». Москва, РНЦ «Курчатовский институт», 2008. C. 269 273. 450 с.

16. Ставцев А.Ю. Отражение рентгеновского излучения от композиционных сред. Сборник аннотаций работ «6-я Курчатовская молодежная научная школа». Москва, РНЦ «Курчатовский институт», 17-19 ноября 2008. С. 127. 240 с.

17. Ставцев А.Ю., Штоцкий Ю.В. Обратное комптоновское рассеяние рентгеновского излучения в слоистых средах. // ВАНТ ТП Вопросы атомной науки и техники. Серия: Теоретическая и прикладная физика. Научно-технический сборник. Выпуск 3. Саров ФГУП “РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР – ВНИИЭФ” 2008. С. 49-53. ISSN 0234-0763. 56 с.

18. Ставцев А.Ю. Отражение рентгеновского излучения от композиционных сред. Сборник трудов (на компакт-диске) «6-я Курчатовская молодежная научная школа». Москва, РНЦ «Курчатовский институт», 2009. С. 269-273. ~450 с.

19. Ставцев А.Ю. Об определении структуры композиционных сред по отраженному рентгеновскому излучению (статья). Сборник научных трудов «Всероссийская научно-практическая конференция». М., МГУТУ, 22-24 октября 2009. 0,35 п.л.

20. Ставцев А.Ю. Определение структуры композиционных сред по отраженному рентгеновскому излучению (тезис). Сборник научных трудов «Всероссийская научно-практическая конференция». МГУТУ.

М.: МГУТУ 2009.

21. Ставцев А.Ю., Ушаков В.Л. Влияние взаимного расположения электрического диполя и пространственной неоднородности электрической проводимости на решение прямой задачи электроэнцефалографии с использованием метода конечных элементов. // Журнал Биофизика. М.: Наука Интерпериодика 2010.

Т. 55. Выпуск 2. С 311-316.

22. Stavtcev A.Yu., Ushakov V.L. Influence of Mutual Arrangement of the Electric Dipole and the Spatial Nonuniformity of Brain Electrical Conductivity on the Solution of the Direct Task of Electroencephalography Using the Method of Finite Elements. // Biophysics, 2010. Vol. 55. No 2. Pp. 263-268.

23. Ставцев А.Ю., аспирант;

Максимовский С.Н., д.х.н., профессор.

Кафедра “Физика”. Высокоскоростная нанокристаллизация сверхпроводников в лазерной плазме. Сборник тезисов I Международного научно-образовательного Форума “Формирование отраслевой инновационной среды на основе развития профессиональных сообществ и саморегулируемых организаций АПК, пищевой промышленности и индустрии питания”. Москва, 2010.

24. Ставцев А.Ю., аспирант;

Максимовский С.Н., д.х.н., профессор.

Кафедра “Физика”. Высокоскоростная нанокристаллизация сверхпроводников в лазерной плазме. Международная научно практическая конференция “Инженерные инновационные технологии автоматизации и управления в агропромышленном комплексе”.

Москва, МГУТУ, 2010 г.

25. РОСНАНО Высокоскоростная нанокристаллизация сверхпроводников в лазерной плазме. III международный форум по нанотехнологиям Rusnanotech 2010. Москва, Экспоцентр 1-3 ноября 2010.

26. Ставцев А.Ю. Высокоскоростная нанокристаллизация сверхпроводников в лазерной плазме. Каталог «Лучшие проекты окружного этапа всероссийского молодежного инновационного конвента по Центральному Федеральному округу 2010 г.» Иваново, Окружной молодежный инновационный конвент, 9-10 ноября 2010. С.

101. 144 с.

27. Ставцев А.Ю., Максимовский С.Н. Высокоскоростная нанокристаллизация сверхпроводников в лазерной плазме. Сборник трудов II международной научно-практической конференции «Инженерные инновационные технологии автоматизации и управления в агропромышленном комплексе». Москва, МГУТУ имени К.Г.Разумовского, 2011. С 242-244. ISBN 978-5-902948-98-8. 332 с.

28. Атоян А.А., Максимовский С.Н., Радуцкий Г.А., Ставцев А.Ю.

Устройство для создания изображения из монокристаллов металлов и их сплавов в теле листового материала. Патент РФ на полезную модель 2011 № 107101. Заявка № 2010146745. Приоритет полезной модели от 18 ноября 2010 г. Зарегистрировано в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 10 августа 2011 г.

29. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю.

Высокоскоростная нанокристаллизация в лазерной плазме. Научно технический журнал “Наука и технологии в промышленности”.

Москва, ООО “Русинтер” 2011. № 3. С. 111-114. 128 с.

30. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю. Перспективы использования высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме для инновационных отраслей промышленности.

Богоносов Константин Александрович Квалификация:

1) Инженер-физик по специальности “Физика конденсированного состояния вещества и фотоника” Образование:

2002 – Окончание школы № 4 г. Ковылкино, респ. Мордовия с углубленным изучением информатики (золотая медаль).

2002 – 2005 гг. – Рязанская государственная радиотехническая академия, факультет электроники Специальность: “Электронные приборы и устройства” 2005 – 2008 гг. – Московский инженерно-физический институт (государственный университет), специальный факультет физики (Высшая школа физиков МИФИ-ФИАН).

Специальность: “Физика конденсированного состояния вещества и фотоника” 2008 – 2011 гг. – Московский государственный университет технологий и управления, аспирантура кафедры физики.

Специальность: 01.04.01 – “Приборы и методы экспериментальной физики”.

Опыт работы:

02.07.2008 – по настоящее время. Старший преподаватель кафедры физики Московского Государственного Университета Технологий и Управления имени К.Г.Разумовского.

12.10.2011–31.10.2012. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт П.Н. Лебедева Российской академии наук. Государственный контракт от 12 октября 2011 г. № 16.513.11. на выполнение научно-исследовательских работ в рамках ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы” по теме:

“Разработка и создание технологии ИК-фоточувствительных наноструктурированных сред нового типа для оптико-электронных модулей и систем с предельными параметрами по разрешению, быстродействию и чувствительности при минимальном уровне шумов”.

01.04.2008–31.01.2011. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт П.Н. Лебедева Российской академии наук. Выполнение научно–исследовательских и опытно–конструкторских работ №5523р/7945 по теме “Разработка технологии защиты ценных бумаг (банкнот, денежных знаков) специальными методами печати на основе нано технологий” Прочие умения и навыки:

Имеются публикации в научных журналах ВАК, свободное владение пакетом программ OFFICE, ведение презентаций и умение выступать на публике, отсутствие вредных привычек.

Личные интересы, хобби:

Боевые искусства, логические игры, велосипед, роликовые коньки.

Достижения.

Август 2010. Конкурс проектов Селигер 2010. Диплом на прохождение стажировки на заводе LG Electronics Ноябрь 2011. Участник IV Международного Форума по нанотехнологиям РОСНАНО 2011.

Ноябрь 2011. Финалист Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий.

Апрель 2012. Лауреат конкурса проектов молодых ученых МГУТУ им.

К.Г. Разумовского «Дни студенческой науки-2011».

Список основных публикаций 1. Богоносов К.А., Максимовский С.Н. Высокоскоростная нанокристаллизация меди в низкотемпературной лазерной плазме // ДАН, 2011, том 439, № 5, с. 605–608.

2. Богоносов К.А., Максимовский С.Н. Высокоскоростная кристаллизация меди на жидкой подложке // Краткие сообщения по физике (направлено в печать).

3. K.A. Bogonosov and S.N. Maximovsky. High-speed nanocrystallization in a laser plasma // Journal of Physics: Conference Series 345 (2012) (http://iopscience.iop.org/1742-6596/345/1/012020).

4. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю.

Высокоскоростная нанокристаллизация в лазерной плазме // Наука и технологии в промышленности, 2011, №3, с. 111-114.

5. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н. Расчет энергии лазерного излучения при высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме // Тезисы III научно-практической конференции «Севершенствование качества и безопасности отечественных продуктов питания, как важный аспект в развитии АПК в период кризиса» / Можайск. 2010. с. 134-136.

6. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н. Технология высокоскоростного выращивания диэлектриков на аморфных подложках // Тезисы докладов XII Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики — 2011) / РГПУ им. А.И.

Герцена, С-Пб: Изд-во РГПУ им. А.И. Герцена, 2011.

7. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю. О перспективах высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме // Труды Международной конференции по новым технологиям в честь 50-летия полета Гагарина Ю.А. // Абхазия, г.Пицунда, 2011.

8. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н. // Материалы научно-практической конференции "Концепция инновационного развития автоматизированных систем управления и обработки информации на предприятиях АПК" (VI-я Московская научно практическая конференция "Студенческая наука") / Москва, 2011.

9. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н. … // Сборник трудов II международной научно – практической конференции “Инженерные инновационные технологии автоматизации и управления в агропромышленном комплексе” / Москва, 10. Богоносов К.А., Дмитриева В.Ф., Максимовский С.Н., Ставцев А.Ю. Перспективы использования высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме для инновационных отраслей промышленности.

8. Научно-исследовательская работа студентов.

Студенты и аспиранты изучили основы теории лазерной плазмы. Были изучены виды плазмы, а также определено место лазерной плазмы, способы ее получения и описания ее свойств.

Студенты и аспиранты ознакомились с основными работами, посвященными высокоскоростной («взрывной», «ударной») кристаллизации металлов и полупроводников.

Был собран экспериментальный макет установки, произведена ее юстировка и настроен одномодовый режим генерации лазера. Установка, представленна на рисунке 1.

Рис. 1. Лазерная установка.

Студентами лаборатории было произведено измерение рабочих характеристик макета. Для измерения параметров лазерного излучения использовались измеритель средней мощности и энергии лазерного излучения ИМО-2Н и цифровой осциллограф Tektronix.

Диапазон измерения ИМО-2Н:

- средней мощности 3.10 – 1 Вт (с ослабителем мощности, поставляемым по требованию заказчика, до 100 Вт) - энергии 3.10 – 10 Дж спектральный диапазон – 0,4 – 10,6 мкм Основные характеристики осциллографа Tektronix:

полоса пропускания 40 МГц, 60 МГц и 100 МГц.

частота дискретизации до 1 Гвыб/с, в реальном масштабе времени 2 канала.

Студентами лаборатории были проведены эксперименты по выращиванию кристаллитов металлов на различных подложках (бумага, пластик, кварц и др.) Результаты были исследованы на микроскопе. Для исследования образцов на пластике и кварце использовался атомно-силовой микроскоп, а для исследований образцов на бумаге – электронный микроскоп с низким вакуумом (Исследования проводились в ЦКП при НИТУ «МИСиС»). На рисунках представлены исследуемые образцы.

Рис. 2. Изображение в атомно-силовом микроскопе на бумаге.

Рис.3. Изображение в атомно-силовом микроскопе на пластике.

Рис.4. Изображение в электронном микроскопе.

В дальнейшем была отработана повторяемая технология выращивания кристаллитов металлов на различных подложках.

Планируется произвести измерение спектральных характеристик получаемых образцов.

9. Основные темы исследования на 2013–2015 годы.

Общая информация по проекту. Область наук.

ФИЗИКА. Оптика. Лазерная физика и лазерные технологии.

Направление научного исследования Индустрия наносистем и материалов. Нанотехнологии и наноматериалы.

Цель проекта Разработка базовой технологии изготовления и конструкции дешёвых, высокоэффективных источников энергии на основе фотовольтаических преобразователей солнечного и инфракрасного излучения (ФоПСИИ), использующих в своей основе полупроводниковые гетеропереходы кремний–фоточувствительный материал.

Задачи проекта Создание современного высокотехнологического производства изготовления недорогих, эффективных источников энергии на основе преобразователей солнечного и инфракрасного излучения.

Ожидаемые результаты проекта Реализация Проекта должна сыграть существенную роль в выполнении работ по всему направлению “Энергоэффективность и ресурсосбережение”, утвержденному в качестве одного из приоритетных Комиссией при Президенте Российской Федерации по модернизации и технологическому развитию экономики России. Это связано:

во-первых, с перспективой увеличения выработки электроэнергии за счет увеличения КПД солнечных элементов, которое может быть достигнуто в результате расширения спектрального диапазона их работы;

во-вторых, значительно расширяются возможности “малой” энергетики – получения электроэнергии в результате работы преобразователей от источников излучения с относительно невысокой температурой. Такие преобразователи могут использоваться, например, для подзарядки аккумуляторов бытовой электронной техники, устройств мобильной связи и т.д., в частности, в условиях недостаточной солнечной освещенности. К этому следует добавить возможность резкого сокращения расхода дефицитного монокристаллического кремния, стоимость которого во многом определяет стоимость электроэнергии, производимой с помощью солнечных элементов.

Разрабатываемые преобразователи особенно актуальны в критических ситуациях для подзарядки аккумуляторов, например, в ночное время от пламени костра или фонарного столба, для необходимости обеспечения использования различных устройств мобильной связи, ноутбуков, радиоприемников, фонарей и др. техники. Для северных районов нашей страны, занимающих огромные территории и отличающихся продолжительной полярной ночью, получение электроэнергии от низкотемпературных источников излучения может представлять особый интерес. Но особенно важно, что создаваемые устройства могут быть полезны для работы спецподразделений по таким приоритетному направлениям развития науки, технологий и техники в Российской Федерации, утвержденным Президентом Российской Федерации 21 мая 2006 г. № Пр-843, как “Безопасность и противодействие терроризму” и “Перспективные вооружения, военная и специальная техника”.

Описание предлагаемого научного исследования Данная работа является продолжением работ по высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме. В основе этого явления лежат три фундаментальных физических эффекта, открытые в Физическом институте Российской Академии Наук имени П.Н. Лебедева Г.А.

Аскарьяном:

1. Светогидравлический эффект – достижение высокого увеличения давления в жидкости от лазерного луча.

2. Самофокусировка лазерного луча в жидкости. Лазерный луч благодаря высокой напряжённости электрического поля сам меняет оптические свойства среды.

3. Ускорение частиц в лазерном луче. Заряженные частицы и ионы ускоряются под действием колебаний электрического поля мощной световой волны.

На основе фундаментальных открытий в Физическом институте имени Лебедева уже были получены результаты кристаллизации для металлов в структуре бумаги с целью создания принципиально новых степеней защиты денежных знаков и ценных бумаг. Данная технология уже запатентована в России и ряде технологически развитых зарубежных государств. Поэтому её предлагается использовать и для создания солнечных батарей с расширенным в ИК–диапазон спектром.

Главная научно–техническая цель Проекта – создание современного высокотехнологического производства изготовления недорогих, эффективных источников энергии на основе преобразователей солнечного и инфракрасного излучения. Принципиальная новизна таких преобразователей заключается в том, что генерация фототока происходит в результате использования гетероперехода, образованного тонкими микрокристаллическими пленками кремния (Si) и фоточувствительного материала (ФЧМ), изготовленного виде наноструктурированных гетеропереходов, чувствительных в области спектра 3–5 мкм. При этом становится возможной реализация следующих эффектов:

во-первых, в пленке ФЧМ поглощается излучение с длиной волны до 3–5 мкм (в кремнии только до 1,1 мкм), а при работе преобразователя от солнечного излучения число квантов, поглощаемых материалов увеличивается более чем вдвое. При этом возможно резкое увеличение активной поверхности за счёт наноструктур;

во-вторых, появляется возможность генерации фототока при воздействии излучения от тел с температурой, значительно меньшей, чем температура Солнца;

в–третьих, имеются теоретические проработки, показывающие, что при использовании гетеропереходов становится возможным механизм образования более чем одной пары фотовозбужденных носителей при поглощении одного кванта излучения. Это ведёт к существенному увеличению КПД преобразователя;

в–четвёртых, поглощение квантов излучения происходит в пленке ФЧМ, который имеет более высокий коэффициент поглощения, чем кремний. Поэтому толщина кремния не влияет на поглощение, что позволяет заменить пластину из монокристаллического кремния на тонкую пленку. Это создает возможность большой экономии относительно дорогостоящего и дефицитного материала;

в–пятых, при изготовлении тонкоплёночных гетеропереходов используются достаточно простые, хорошо отработанные технологические методы получении тонких плёнок, что позволяет обеспечить низкую себестоимость производства преобразователей.

В целом, расширение спектрального диапазона работы и увеличение КПД преобразователей определяют техническую значимость выполняемого проекта, поскольку круг условий, в которых они могут эффективно использоваться для получения электроэнергии, существенно расширяется по сравнению с обычными солнечными элементами. В частности, новые преобразователи могут работать при пониженных уровнях солнечной засветки, при использовании других источников излучения, имеющих меньшую температуру, чем солнце (электрические осветительные приборы, открытое пламя костров, газовых горелок и др.).

Проведённая оценка поглощения солнечного излучения (Т=6000К) показала, что использование гетероперехода Si–ФЧМ позволяет получить выигрыш в мощности солнечных батарей до 70%.

При понижении температуры источника излучения доля мощности батареи, обусловленная ФЧМ, возрастет и при температуре 2000К (пламя от форсунок, горелок, костра и других световых источников) на два порядка превосходит долю, обусловленную кремнием. Это позволит значительно улучшить работу солнечных элементов, прежде всего в условиях ограниченной видимости, в сумерки и в пасмурную погоду, а также использовать гетеропереходы для преобразователей относительно низкотемпературного излучения. Реализация проекта особенно будет полезной в случае необходимости выработки электроэнергии для обеспечения работы устройств малой мощности, например, различных электронных устройств, применяемых в различных критических ситуациях.

Описание научных подходов и методов, используемых для решения поставленных задач К ключевым научно-техническим и технологическим задачам, решаемым в рамках Проекта, относятся:

– расчетная оценка достижимых значений КПД преобразователей с гетеропереходом Si–ФЧМ при работе от различных источников излучения;

– определение оптимальных характеристик кремниевых пленок и выбор метода получения пленок, отработка технологии их изготовления;

– выбор технологии изготовления наноструктурированных гетеропереходов;

– отработка технологии изготовления контактных и пассивирующих покрытий;

– разработка методов измерения характеристик гетеропереходов и преобразователей излучения на их основе;

– создание комплекта аппаратуры для измерения характеристик гетеропереходов и преобразователей излучения на их основе.

Благодаря открытию нового физического явления, которое основывается на трех фундаментальных открытиях, – высокоскоростной кристаллизации металла на аморфной подложке в газообразной среде – стало возможным получение наноразмерных монокристаллических структур путем инициации химических процессов под действием импульсов лазерного излучения вне установок глубокого вакуума или установок со специальной газовой средой.

Согласно новому направлению нано–технологии в подложку (листовой материал) вводят специальный раствор, содержащий материал для образования монокристаллов, а затем воздействуют на заданные точки подложки импульсами лазерного излучения. Возникающая в зоне лазерного пятна низкотемпературная плазма создаст в области своего существования газообразную среду (атомный водород), в которой происходит восстановление материала монокристалла до чистого материала в результате его кристаллизации на жидкой подложке по мере остывания плазмы.

Процесс кристаллизации может происходить как на поверхности подложки, так и внутри каналов, образованных в ее теле.

В случае заполнения раствором нанопор в теле подложки, в них будут образовываться срощённые с материалом подложки монокристаллические квантовые точки, что позволяет создавать не только двухмерную решетку кластеров, но и трехмерную, а также срощённые между собой кластеры из различных материалов.

Аналогично могут быть созданы проволоки в наноуглублениях подложки, проволоки из различных материалов, а также квантовые точки внутри пленок из органического материала.

Это направление позволяет:

– исключить необходимость в использовании специального дорогостоящего оборудования, устанавливаемого в чистых помещениях и имеющего рабочие камеры с глубоким вакуумом или специальной газовой средой;

– обеспечить высокую производительность, порядка 100 м/сек, процесса выращивания монокристаллов металлов, сплавов металлов, полупроводников, с размерами от десятков ангстрем, до нескольких десятков микрон.

Описание научного задела по проекту и связанных с ним научных результатов коллектива исполнителей Лаборатория ФИАН располагает двумя лазерными установками с твердотельным лазерами на NdYaG на ИК диапазон и третью гармонику (УФ диапазон) с системой сканирования и компьютерным управлением. 6 млн. руб.

Патентная защита технологии высокоскоростной нанокристаллизации в лазерной плазме защищена международными патентами. Сумма вложений более 180 тысяч долларов США.

Патентование финансировалось Российской Академией Наук.

Патенты. Совокупность данных патентов позволяет создать новое направление в технологии:

Патенты РФ: № 2080005;

№ 2082615;

№ 2096183;

№ 2267408;

№ 2279400;

реализуют открытые в ФИАНе новые физические явления светогидравлический эффект и высокотемпературную кристаллизацию материалов на жидкой подложке в условиях низкотемпературной плазмы.

Низкотемпературная высокоскоростная кристаллизация.

РФ № 2267408 (PTC/RU 2004000264) Method for Producing a Metalized Image on a Sheet Material and Device for Carrying out Said Method.

№ 2279400 (PCT/RU/2005/000514) Специальные виды печати для нанесения на подложку элементов электро– и оптоэлектронных систем защищены способами и устройствами прямой лазерной печати.

Патент РФ 22267408 (PCT/RU 2004/102722). Метод для получения металлизированных изображений в листовом материале и устройство для его выполнения.

Патент США № 6,056,388;

6,270,194 B1;

6,330,857 B1.

Патент Японии 4575393.

Научные школы ФГБОУ ВПО “МГУТУ имени К.Г. Разумовского” № Название Ведущие Год Количество Количество Количество Количеств Количеств Количество Количество Объём направле учёные в защищённых изданных изданных о изданных о свидетельств о международн финансирова ния данной области диссертаций по штатными штатными и патентов, регистрации ых и (или) ния научных научной (1-3 человека) данному преподават преподавателям принятых к выданных объекта российских исследований школы научному елями и статей в публикаци на интеллектуальной научных и за 6 лет (в направлению монографи журналах, и статей в разработк собственности, (или) научно- тыс. руб.) штатными й за рекомендованн зарубежны и: выданных за практических фундаменталь преподавателями последние 6 ых ВАК х изданиях российски разработки за конференций ных, за последние 6 лет лет за х, последние 6 лет в течение 6 прикладных последние зарубежн лет;

из них с разработок Доктор Кандид 6 лет ых изданием ских атских сборников трудов 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13.

1 Накнотех К.т.н., 2 нология профессор, 2007 0 2 3 2 1 1 1 идентифи заведующий кации кафедрой 1 материал “Физика” 2008 0 3 1 4 0 1 0 ов Дмитриева когерентн Валентина 2 ого Феофановна 2009 0 2 2 4 1 0 0 модулиро ванного Д.т.н., 1 лазерного профессор 2010 0 3 2 5 1 0 0 излучени кафедры я “Физика” 1 Максимовский 2011 0 2 3 6 1 0 0 Сергей Николаевич 5 2012 0 2 2 4 5 2 0

 




 
2013 www.netess.ru - «Бесплатная библиотека авторефератов кандидатских и докторских диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.