XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
ПО ФИЗИКЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
Программа конференции
9 – 14 июня 2008 г.
Санкт-Петербург
Россия
1
Министерство образования и науки РФ
Российская академия наук
Научный Совет РАН по физике конденсированных сред
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ВКС – XVIII ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ 9 –14 июня 2008 г.
г. Санкт-Петербург 2 Организационный комитет Сопредседатели: К.С. Александров Д.В. Пузанков Заместители председателя В.П. Афанасьев В.В. Леманов А.С. Сигов Ученый секретарь И.Н. Чугуева Т.Р. Волк, Ю.А. Гороховатский, С.А. Гриднев, С.Ф. Карманенко, А.Б. Козырев, С.Г. Лушников, Е.Г. Максимов, В.К. Малиновский, Ю.Ф. Марков, Р.М. Печерская, Б.А. Ротенберг, В.П. Сахненко, Б.А. Струков, И.Н. Флеров, В.Я. Шур, Ю.И. Юзюк Программный комитет Председатель Т.Р. Волк Заместитель председателя О.Г. Вендик С.Б. Вахрушев, К.А. Воротилов, В.В. Гладкий, О.Е. Квятковский, Е.Д Политова, Л.А. Резниченко, В.П. Сах ненко, А.С. Сигов, А.И. Соколов, Б.А. Струков Локальный оргкомитет Председатель В.П. Афанасьев Секретари С.П. Зубко А.В. Тумаркин И.Б. Вендик, Г.П. Крамар, И.Г. Мироненко, Е.А. Ненашева, И.П. Пронин, А.М. Прудан, О.Л. Романова, А.А. Семенов Научные секции 1. Фазовые переходы, критические явления.
2. Структура и динамика кристаллической решетки.
3. Теория и моделирование.
4. Физические свойства сегнетоэлектриков (монокристаллы, керамика, композиты, жидкие кристаллы, новые материалы).
5. Оптические свойства сегнетоэлектриков, фоторефракция.
6. Спектроскопические методы исследования.
7. Сегнетоэлектрики – релаксоры.
8. Мультиферроики.
9. Доменная структура и процессы переключения.
10. Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры.
11. Сегнетоэлектрики на сверхвысоких частотах.
Регламент конференции Продолжительность пленарного доклада – 30-40 мин (с дискуссией) Продолжительность устного доклада – 15 мин (с дискуссией) Место проведения конференции Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, д.5.
Телефоны оргкомитета: (812) 346-46-37;
(812) 234-59- Интернет-сайт конференции: http://www.eltech.ru/science/conf.htm Электронный адрес: VKS18@eltech.ru А Дни 9 июня 10 июня 11 июня 12 июня 13 июня 14 июня Часы понедельник вторник среда четверг пятница суббота Регистрация участ Пленарное заседание Пленарное заседание Пленарное заседание Пленарное заседание 09.30 -11. ников конференции Церемония открытия Кофе-брейк Кофе-брейк 11.30-12. конференции Произносимые Произносимые доклады секции 2 доклады секции 1 Произносимые доклады Произносимые Произносимые секции Пленарное заседание Круглый стол 12.00-13. доклады секции 10 доклады секции 7 Произносимые доклады Произносимые Произносимые секций 5, доклады секции 9 доклады секции 14. Обед Обед Церемония закры 13.30-15. тия конференции Произносимые Произносимые Произносимые доклады секции 3 доклады секции 2 доклады секции 1 Произносимые доклады Произносимые Произносимые Произносимые секции 15.00-16. доклады секции 8 доклады секции 10 доклады секции 7 Произносимые доклады Произносимые Произносимые Произносимые секций 5, доклады секции 10 доклады секции 9 доклады секции Кофе-брейк Кофе-брейк 16.45 – 17. Произносимые Стендовые секции: Стендовые секции:
доклады секции 3 Стендовые секции:
секция 2 секция Произносимые секция секция 3 секция 17.00 - 19. доклады секции 8 секция секция 8 секция Произносимые секция секция 10 секция доклады секции Фуршет Банкет 19. 9 ИЮНЯ, ПОНЕДЕЛЬНИК 9.30 – 11.30 Регистрация участников конференции 11.30 – 12.00 Церемония открытия конференции Пленарное заседание Председатель - К.С. Александров 12.00 – 12.45 Пл-1. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПЕРЕХОД В ПЕРОВСКИТАХ:
CМЕЩЕНИЕ ИЛИ ПОРЯДОК – БЕСПОРЯДОК?
Е.Г. Максимов1, М.В. Магницкая2, Н.Л. Мацко Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН Институт физики высоких давлений им. Л.Ф.Верещагина РАН 12.45 – 13.30 Пл-2. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ И НАНОСТРУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ И МУЛЬТИФЕРРОИКОВ: УПРАВЛЕНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ В ПЛАНАРНОЙ ГЕОМЕТРИИ А.С.Сигов1, Е.Д.Мишина1, В.М.Мухортов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики Южный центр РАН, Ростов-на-Дону 13.30 – 15.00 Обед Зал заседаний № 1. Секция 3 - Теория и моделирование Председатели: Е.Г. Максимов, В.И. Зиненко 15.00 – 15.30 Пл3-1. РАСЧЕТЫ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ ГЕОМЕТРИИ И ЭЛЕК ТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА О.Е. Квятковский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН 15.30 – 15.45 У3-1. НЕСОРАЗМЕРНЫЕ ФАЗЫ, ИНДУЦИРУЕМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ. СЛУЧАЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА Д.Г. Санников Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Москва 15.45 – 16.00 У3-2. ФЛУКТУАЦИИ, ВЫСШИЕ АНГАРМОНИЗМЫ И ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В ТИТАНАТЕ БАРИЯ А.И.Соколов, А.С.Саласюк С-Петербургский государственный электротехнический университет 16.00 – 16.15 У3-3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ СЕМЕЙСТВА ТИТАНАТА БАРИЯ В.В. Посметьев, Д.Ф. Роговой, Ю.В. Бармин Воронежский государственный технический университет 16.15 – 16.30 У3-4. ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК SrTiO В.Б.Широков1, Ю.И.Юзюк1, В.В.Леманов Южный Федеральный Университет, Ростов-на-Дону;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С. Петербург 16.30 – 16.45 У3-5. НЕОДНОРОДНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НЕСОБСТВЕННОГО НЕСОРАЗМЕРНОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА С ИНВАРИАНТОМ ЛИФШИЦА С.А. Ктиторов1,2, Чэнь Сяосин2, Ф.А. Погорелов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С-Петербургский государственный электротехнический университет С-Петербургский государственный университет 16.45 – 17.00 Кофе-брейк 17.00 – 17.15 У3-6. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ ВТОРОГО РОДА С УЧЕТОМ КВАНТОВЫХ И ТЕПЛОВЫХ ФЛУКТУАЦИЙ З.П.Мастропас, Э.Н.Мясников, А.Э.Мясникова Южный федеральный университет, г. Ростов на Дону 17.15 – 17.30 У3-7. ЭЛЕКТРОКАЛОРИЧЕСКОЕ ПРЕВРАЩЕНИЕ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ ПРИ ДЕЙСТВИИ ПЕРИОДИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ А.В. Еськов1, С.Ф. Карманенко1, О.В. Пахомов2, А.С. Старков С-Петербургский электротехнический университет ;
С-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий 17.30 – 17.45 У3-8. МОДЕЛЬ КОМПЛЕКСНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ А.М. Метальников, В.Ф. Тиллес, Е.С. Соловьева Пензенский государственный университет 17.45 – 18.00 У3-9. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ОХЛАДИТЕЛЯ С ЭЛЕКТОКАЛОРИЧЕСКИМИ АКТИВНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ А.В. Еськов1, О.В. Пахомов2, А.С. Старков2, J. Hagberg С-Петербургский электротехнический университет;
С-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий Университет г. Оулу, Финляндия Зал заседаний № 2. Секция 8 – Мультиферроики Председатели: В.П. Сахненко, В.А. Санина 15.00 – 15.30 Пл8-1. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ АНТИФЕРРОМАГНЕТИКИ В.П. Сахненко Научно-исследовательский институт физики Южного федерального универ ситета 15.30 – 15.45 У8-1. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В МУЛЬТИФЕРРОИКЕ BiFeO 3 ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ И.С.Любутин, А.Г.Гаврилюк Институт кристаллографии РАН, Москва 15.45 – 16.00 У8-2. ДИНАМИКА РЕШЕТКИ BiFeO 3 ПОД ГИДРОСТАТИЧЕСКИМ ДАВЛЕНИЕМ В.И.Зиненко, М.С.Павловский Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН, Красноярск 16.00 – 16.15 У8-3. ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ МОДЕЛЬНЫХ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ Р. В. Писарев1, А. С. Москвин Физико-технический институт им. А. И. Иоффе РАН Уральский государственный университет 16.15 – 16.30 У8-4. ФАЗОВОЕ РАССЛОЕНИЕ С ЗАРЯДОВОЙ САМООРГАНИЗАЦИЕЙ В НЕКОТОРЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАНГАНИТАХ – МУЛЬТИ ФЕРРОИКАХ В.А.Санина1, Е.И. Головенчиц1, В.Г. Залесский1, С.Г. Лушников1, С.Н.
Гвасалия1, H. Kawaji2, T. Atake Физико – технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Tokyo Institute of Technology, Japan 16.30 – 16.45 У8-5. ГИГАНТСКИЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ ИНДУЦИ РОВАННЫЙ Fe2+-ДЕФЕКТАМИ В ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ BiFeO В.С. Вихнин1, Р. Блинц2, Р. Пирц Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Институт «Жозеф Стефан», Любляна, Словения 16.45 – 17.00 Кофе-брейк 17.00 – 17.15 У8-6. МАГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МОДУЛИРОВАННОЕ МАГНИТНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ В MnWO Н.В. Тер-Оганесян Институт физики Южного федерального университета 17.15 – 17.30 У8-7. УНИКАЛЬНЫЕ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ПОЛЯРНЫЕ СОСТОЯНИЯ В МАНГАНИТАХ Р.Ф.Мамин Казанский физико-технический институт им.Е.К. Завойского КазНЦ РАН 17.30 – 17.45 У8-8. ПОЛУЧЕНИЕ И СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИ АЛЬНЫХ ПЛЕНОК ФЕРРИТА ВИСМУТА, ДОПИРОВАННОГО НИОБИЕМ Ю.И.Головко, В.М.Мухортов Южный научный центр РАН Зал заседаний № 3. Секция 10 - Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры Председатели: В. П. Афанасьев, К. А. Воротилов 15.00 – 15.30 Пл10-1. НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ПЛЕНКИ ЦИРКОНАТА - ТИТАНАТА СВИНЦА: ТЕХНОЛОГИЯ И СВОЙСТВА В.П.Афанасьев1, И. В. Грехов2, Л. А. Делимова2, А.А.Петров С-Петербургский государственный электротехнический университет Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН 15.30 – 15.45 У10-1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОСАЖДЕНИЯ СЕГНЕТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ СЛОЕВ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА( ПЛЮМБАТА) СВИНЦА Г. Суханек Институт твердотельной электроники, Технический университет г. Дрез дена, Германия 15.45 – 16.00 У10-2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ В УЛЬТРАТОНКИХ ПОЛИМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ К.А. Верховская1, А.А. Плаксеев2, А.М. Лотонов2, Н.Д. Гаврилова2, С.Г. Юдин Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова 16.00 – 16.15 У10-3. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР M/Pb(ZrTi)O 3 /M – КАК АДАПТИВНЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ Л.А. Делимова1, В.С. Юферев1, И.В. Грехов1, А.А. Петров2, К.А. Федоров2, В.П. Афанасьев Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С.-Петербургский государственный электротехнический университет 16.15 – 16.30 У10-4. УСТАЛОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СВИНЦА И ЦИРКОНАТА ТИТАНАТА СВИНЦА А.С. Сидоркин, Л.П. Нестеренко, А.Л. Смирнов, Г.Л. Смирнов, С.В. Рябцев, А.А. Сидоркин, Е.В. Ионова Воронежский государственный университет 16.30 – 16.45 У10-5. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК БЕТАИН ФОСФИТА BPI/SiO 2 и BPI/LiNbO Е.В. Балашова, Б.Б. Кричевцов, В.В. Леманов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН 16.45 – 17.00 Кофе-брейк 17.00 – 17.15 У10-6. ФОТО- И ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ОТКЛИКИ В ПЛЕНКАХ PZT А.А.Богомолов1, А.В.Солнышкин1, Д.А.Киселев1, Г.Суханек2, И.П.Пронин3, В.П.Афанасьев Тверской государственный университет Дрезденский технический университет Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН;
С.-Петербургский государственный электротехнический университет 17.15– 17.30 У10-7. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ СЕГНЕТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ЦТС ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ К.А. Воротилов1, В.А. Васильев1, А.С.Сигов1, О.М. Жигалина Московский государственный институт радиотехники, электроники и ав томатики (технический университет) Институт кристаллографии имени А.В.Шубникова РАН 17.30 – 17.45 У10-8. ВЛИЯНИЕ ОКСИДА СВИНЦА НА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ EX-SITU В.П. Афанасьев1, Е.Ю. Каптелов2, С.В. Сенкевич2, И.П. Пронин2, А.А.
Богомолов3, О.Н. Сергеева3, Д.А. Киселев С-Петербургский государственный электротехнический университет УРАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Тверской государственный университет Университет Авейро, Авейро, Португалия 19.00 Фуршет 10 ИЮНЯ, ВТОРНИК Пленарное заседание Председатель - В.В. Леманов Пл-3. ОПТИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОСТ 9.30 – 10. РУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, ЗАПОЛНЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАМИ И МЕТАЛЛАМИ В.С.Горелик Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Пл-4. ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ 10.10 – 10. ПЛЕНКАХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ И РОДСТВЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ В.К. Ярмаркин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Пл-5. ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ЭЛЕКТРООПТИКА СЕГ 10.50 – 11. НЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ С.П. Палто, Л.М. Блинов Институт кристаллографии им.А.В. Шубникова РАН 11.30 – 12.00 Кофе-брейк Зал заседаний № 1. Секция 2 - Структура и динамика кристаллической решетки Председатели: С.Г. Лушников, В.К. Малиновский Пл2-1. ДИНАМИКА РЕШЕТКИ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И 12.00 – 12. АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТИ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ PbB 1/2 Nb(Ta) 1/2 O 3 (B=Sc, Ga, In, Lu).
В.И. Зиненко Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН У2-1. ЛОКАЛЬНАЯ АТОМНАЯ СТРУКТУРА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 12.30 – 12. NaNbO 3 -KNbO 3 ПО ДАННЫМ РЕНТГЕНОВСКОЙ АБСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Р.В. Ведринский1, М.П. Лемешко1, О. Матон2, Е.С. Назаренко1, Л.А. Резниченко НИИ физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону BM29, European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, France У2-2. ДИНАМИКА РЕШЕТКИ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ 12.45 – 13. ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В УПОРЯДОЧЕННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ PbB 1/2 B 1/2 O 3 (B=Ga, In, Lu;
B=Nb, Ta) В.С. Жандун1, Н.Г. Замкова1, В.И. Зиненко Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН, Красноярск У2-3. ВЛИЯНИЕ КАТИОННОГО ЗАМЕЩЕНИЯ НА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИ 13.00 – 13. ЧЕСКУЮ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В КУБИЧЕСКОМ BaTiO 3, ДОПИРОВАН НОМ Bi+3, La+3 и Zr+4.
Н.Г.Замкова1, В.И.Зиненко Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН, Красноярск 13.30 – 15.00 Обед У2-4. ПИРОЭФФЕКТ И ДИСПЕРСИОННОЕ ПОВЕДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИ 15.00 – 15. ЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ СИСТЕМЫ PbZr r-x Ti x O 3 В МОРФОТРОПНОЙ ОБЛАСТИ Ю.Н. Захаров, И.Н. Андрюшина, А.А. Павелко, А.Г. Лутохин, Ю.B.
Юрасов Научно-исследовательский институт физики Южного федерального уни верситета У2-5. АНИЗОТРОПНЫЕ МОДЕЛИ МОНО - И ПОЛИСЛОЕВЫХ 15.15 – 15. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ А. В. Максимов, Р.А.Герасимов, О.Г. Максимова, И.В.Кушева Череповецкий государственный университет У2-6. СТРУКТУРНО-ФИЗИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ В МЕХАНИЗ 15.30 – 15. МЕ И КИНЕТИКЕ ОБРАЗОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИКОВ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ Б.И.Кидяров Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН У2-7. РЕНТГЕНОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ 15.45 – 16. НА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦАХ Hg 2 Cl 2 И Hg 2 Br Ю.Ф. Марков1, Е.М. Рогинский1, Д.Валлахер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Universitt des Saarlandes, Saarbrcken-6600, Germany У2-8. НЕРАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ АНГАРМОНИЧЕСКИХ 16.00 – 16. ФОНОНОВ МЯГКОЙ МОДЫ С.А. Ктиторов1,2, А.М. Прудан2, Чэн Сяосинь Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С-Петербургский государственный электротехнический университет У2-9. ДИНАМИКА РЕШЕТКИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 16.15 – 16. (Ba,Sr)TiO 3 И (Pb,Sr)TiO С.Н.Софронова, Е.М.Колесникова Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН Сибирский федеральный университет Зал заседаний № 2. Секция 10 - Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры Председатели: В.С. Горелик, В.К. Ярмаркин Пл10-1. КАЛОРИМЕТРИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ 12.00 – 12. НАНОСТРУКТУР С.Т. Давитадзе1, Б.А. Струков1, В.В. Леманов2, С.Г. Шульман2, И. Уесу3, С. Асанума3, Д. Шлом4, А. Сукасьян Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Университет Васеда, Япония Пенсильванский университет, США Пл10-2. СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ 12.30 – 13. НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК (Ba,Sr)TiO В.М. Мухортов, Ю.И.Головко Южный научный центр РАН 13.30 – 15.00 Обед У10-1. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОПОРИСТЫХ МАТРИЦ, 15.00 – 15. ЗАПОЛНЕННЫХ НИТРИТОМ НАТРИЯ С.В. Барышников1, Е.В. Чарная2,, Е.В. Стукова3, W. Bhlmann4, D.Michel4 1Благовещенский государственный педуниверситет, С-Петербургский государственный университет Амурский государственный университет University of Leipzig У10-2. АНОМАЛИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, УПРУГИХ И ТЕПЛОВЫХ 15.15 – 15. СВОЙСТВ В НАНОКОМПОЗИТЕ НИТРИТ НАТРИЯ - ПОРИСТОЕ СТЕКЛО Л.Н.Коротков1, В.С.Дворников1, О.А.Караева1, А.А.Набережнов2, Ewa Rysiakiewicz-Pasek 3, О.Н.Иванов, М.А.Лазебная Воронежский государственный технический университет ФТИ им А.Ф. Иоффе РАН, С.- Петербург Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, W. Wyspianskiego, Wroclaw, Poland;
Белгородский Государственный Университет, Белгород У10-3. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В НАНОКОМПОЗИТНОМ 15.30 – 15. НИТРИТЕ НАТРИЯ А.А. Набережнов1, С.Б. Вахрушев1, Ю.А. Кумзеров1, А.В. Фокин1, M.
Tovar2, H. Kazuma3, K. Takeshi Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН Hanh-Meitner-Institut, Berlin ISSP, University of Tokyo У10-4. ВЛИЯНИЕ ОГРАНИЧЕННОЙ ГЕОМЕТРИИ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕ 15.45 – 16. СКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИТРИТА НАТРИЯ С.Б. Вахрушев1, С. Камба2, Е.Ю. Королева1, Д. Нужный2, Я.Петцельт2, С.А.Плясцов3, А.В. Филимонов ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Институт физики чешской академии наук, Прага, Чехия СПбГПУ, Санкт-Петербург, Россия У10-5. ВТОРИЧНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ГЛОБУЛЯРНЫХ ФОТОННЫХ 16.00 – 16. КРИСТАЛЛОВ, ЗАПОЛНЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАМИ Л.И.Злобина, Ю.П.Войнов, Н.Ф.Габитова, В.С.Горелик, П.П.Свербиль Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва У10-6. ГЕНЕРАЦИЯ ВТОРОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ГАРМОНИКИ В 16.15 - 16. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОПРОВОЛОКАХ В.И.Белотицкий, Ю.А.Кумзеров, А.В.Фокин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН У10-7. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ КОМПОЗИЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК 16.30 - 16. ПОЛУПРОВОДНИК ДЛЯ РАЗЛИЧНЫХ ПРИМЕНЕНИЙ В.П. Афанасьев1, С.А. Кукушкин2, И.Е. Титков3, И.П. Пронин С-Петербургский государственный электротехнический университет УРАН Институт проблем машиноведения УРАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Зал заседаний № 3. Секция 9 - Доменная структура и процессы переключения Председатели: Т.Р. Волк, В. Я. Шур Пл9-1. ИССЛЕДОВАНИЕ И ЗАПИСЬ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В СЕГ 12.00 – 12. НЕТОЭЛЕКТРИКАХ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ А.Л.Толстихина,Р.В.Гайнутдинов, Н.В.Белугина,Т.Р.Волк Институт кристаллографии РАН У9-1. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕ 12.30 – 12. НИЯ И ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ МЕТОДОМ ГЕНЕРАЦИИ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ Д.В.Исаков1, Т.Р.Волк2, Л. И. Ивлева Universidado do Minho, Braga, Portugal Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН Институт общей физики им. А. М Прохорова РАН У9-2. ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА В ТЕТРАБОРАТЕ СТРОНЦИЯ 12.45 – 13. А.И.Зайцев1, А.С.Александровский1,2, А.М.Вьюнышев1, А.В.Черепахин1,2, И.Е. Шахура2, А.В.Замков Институт Физики им. Л.В.Киренского СО РАН;
СибирскийФедеральныйУниверситет У9-3. СОЗДАНИЕ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР ДЛЯ 13.00 – 13. НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ В MgO:LiNbO И.С.Батурин1,2, В.Я.Шур1,2, Е.И.Шишкин1, Д.К.Кузнецов1, С.А.Негашев Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
ООО «Лабфер», Екатеринбург 13.30 – 15.00 Обед У9-4. ФОРМИРОВАНИЕ НАНО-ДОМЕННЫХ СТРУКТУР В МОНОКРИ 15.00 – 15. СТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ Д.К.Кузнецов1, В.Я.Шур1, С.А.Негашев1, А.И.Лобов1, Д.В.Пелегов1, Е.И.Шишкин1, П.С.Зеленовский1, А.Н.Орлов2, В.В.Платонов2, М.Г.Иванов2, В.В.Осипов Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
Институт электрофизики УрО РАН У9-5. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В 15.15 – 15. НИОБАТЕ ЛИТИЯ И ТАНТАЛАТЕ ЛИТИЯ С ПОМОЩЬЮ РЕГИСТРА ЦИИ ОПТИЧЕСКОГО РАССЕЯНИЯ М.С.Небогатиков, И.С.Батурин, В.Я.Шур, С.А.Негашев, А.И.Лобов, Е.А.Родина Уральский государственный университет им. А.М. Горького У9-6. КИНЕТИКА ДОМЕНОВ В НИОБАТЕ ЛИТИЯ С ПОВЕРХНОСТ 15.30 – 15. НЫМ СЛОЕМ, МОДИФИЦИРОВАННЫМ ПРОТОННЫМ ОБМЕНОМ И ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ Е.И.Шишкин1, В.Я.Шур1, M.A.Долбилов1, Д.К.Кузнецов1, М.Ф.Сарманова1, Е.В.Николаева1, О.А.Плаксин2, Н.В.Гаврилов3, S.Tascu4, P.Baldi4, M.P.De Micheli Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, Обнинск Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург;
Universite de Nice Sophia-Antipolis, Nice, France У9-7. ОСОБЕННОСТИ ДОМЕННОГО ВКЛАДА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ 15.45 – 16. ПРОНИЦАЕМОСТЬ ЧИСТЫХ И ДЕФЕКТНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТГС С.Н.Дрождин, О.М.Голицына, А.Ю.Кретинин Воронежский государственный университет У9-8. АБСОРБЦИОННЫЙ ТОК В НАГРУЖЕННОЙ СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ 16.00 – 16. В. Н.Нестеров, И.В.Кочергин, Л.В. Жога Волгоградский Государственный Архитектурно-Строительный Университет У9-9. ТЕОРИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ 16.15 – 16. С.А.Кукушкин, А.В.Осипов Институт проблем машиноведения РАН 16.45 – 19.00 Кофе-брэйк Стендовая секция Секция 2 - Структура и динамика кристаллической решетки:
С2-1. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЧНОСТИ КРИСТАЛЛОВ СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ Т.Н. Овчаренко, О.М. Кугаенко, О.А. Бузанов Московский Государственный Институт Стали и Сплавов(Технологический университет) С2-2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК КРИСТАЛЛА ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА, ЛЕГИ РОВАННОГО Cr3+ И L- АЛАНИНОМ, ПОДВЕРГНУТОГО МАЛЫМ ДОЗАМ -ОБЛУЧЕНИЯ В.А Федорихин, Н.В.Ратина Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет С2-3. РАМАНОВСКИЕ СПЕКТРЫ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ПЕРОВСКИТОВ Pb x Sr 1-x TiO 3 И Pb x Ca 1-x TiO А.Н. Чабанюк, В.И. Торгашев, Ю.И. Юзюк Южный федеральный университет С2-4. НЕЙРОСЕТЕВОЕ ПРОГНОЗИРОВАНИЕ АЦЕНТРИЧНОСТИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ А.С. Коротков, И.Е. Калабин, Б.И. Кидяров Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск С2-5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ В КРИСТАЛЛАХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕ СКОГО ПОЛИВИНИЛИДЕНФТОРИДА РАЗЛИЧНОЙ СТРУКТУРЫ В.В.Кочервинский1, И.А.Малышкина2, Н.В.Козлова1, Н.П.Бессонова Государственный научный центр Научно-исследовательский физико-химический инсти тут им. Л.Я.Карпова Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова С2-6. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В KNBO Ю.А. Куприна1, М.Ф. Куприянов2, А.В Турик2, Ю.В Кабиров2, Н.Б. Кофанова2, А.В. Назаренко НИИ физики ЮФУ Физический факультет ЮФУ С2-7. СЕГНЕТОЭЛАСТИЧЕСКИЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПЕРОВСКИТАХ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ОРБИТАЛЬНЫМ И РОТАЦИОННЫМ УПОРЯДОЧЕНИЕМ М.П. Ивлиев Научно-исследовательский институт физики Южного Федерального Университета С2-8. УТОЧНЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР РАЗНЫХ ФАЗ СМЕШАННОГО КРИСТАЛЛА [RbX(NH4)1-X]3H(SO4)2 МЕТОДОМ НЕЙТРОННОЙ МОНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКЦИИ Л.С.Смирнов1,2, А.И.Баранов 3, G.McIntyre4, D.Hohlwein5, J.U.Hoffmann5, I.Glavatskyy5, В.В.Долбинина3, М.В.Фронтасьева2, Е.В.Помякушина2, С.С.Павлов2, Ю.С.Панкратова ФГУП ГНЦ РФ Институт Теоретической и Экспериментальной Физики им.
А.И.Алиханова, Москва, Россия Лаборатория Нейтронной Физики им. И.М.Франка, Россия Институт Кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН. Москва, Россия Institut Laue-Langevin, Grenoble, France The BENSC Hahn-Meitner-Institut, Berlin, Germany С2-9. МЕХАНИЗМЫ ОБМЕНА ЭНЕРГИЕЙ НЕРАВНОВЕСНЫХ ФОНОНОВ МЯГКОЙ МОДЫ И ТЕРМОСТАТА С.А. Ктиторов1,2, А.М. Прудан2, Чэнь Сяосинь Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С-Петербургский государственный электротехнический университет С2-10. ВЛИЯНИЕ ОДНООСНОГО МЕХАНИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ОРИЕНТАЦИЮ ФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ В КРИСТАЛЛАХ ВАTIO 3.
Р.М.Магомадов1, Х.С. Ахматов Ингушский государственный университет.
Чеченский государственный университет. Республика Ингушетия С2-11. СТРУКТУРНЫЕ МЕХАНИЗМЫ ПРОТОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ В КРИСТАЛЛАХ MMHN(XO4)(M+N)/ А.А.Симонов, И.П.Макарова, В.В.Гребенев, А.И.Баранов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва С2-12. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРИСТАЛЛОВ НИОБАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ С ПРИМЕСЯМИ РОДИЯ И ЕВРОПИЯ В.В.Иванов, Б.Б.Педько, В.В.Потемкин Тверской государственный университет Секция 3 - Теория и моделирование:
С3-1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ S- И T-НЕСОРАЗМЕРНЫХ ФАЗ В КВАРЦЕ Д.Г. Санников Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН С3-2. СТАБИЛИЗАЦИЯ КВАНТОВОЙ СИСТЕМЫ ПРИ ПОНИЖЕНИИ СИММЕТРИИ, КАК ОБЩЕЕ УСЛОВИЕ РЕАЛИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ В.М.Грабов, С.Ю.Трофимова Российский государственный педагогический университет им. А.И.Герцена С3-3. КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕГНЕТОАКТИВНЫХ ТВЕРДЫХ ТЕЛ С СЕТКОЙ ВОДОРОДНЫХ СВЯЗЕЙ РАЗЛИЧНОЙ РАЗМЕРНОСТИ С.П. Долин, А.А. Левин, Т.Ю. Михайлова Институт общей и неорганической химии РАН С3-4. ПОГРЕШНОСТИ МОДЕЛИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА, ОСНОВАННОЙ НА ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ Е.А.Печерская Пензенский государственный университет С3-5. МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОФИЛЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ПОЛИМЕРНОМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ ПРИ ПОСТОЯННОЙ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯ С. Н. Федосов, А. Е. Сергеева Одесская национальная академия пищевых технологий, Украина С3-6. ПРИМЕНИМОСТЬ ПРИНЦИПА СУПЕРПОЗИЦИИ ПРИ ЭЛЕКТРИЗАЦИИ ПОЛИМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ А. Ф. Бутенко, А. Е. Сергеева, С. Н. Федосов Одесская национальная академия пищевых технологий С3-7. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В КРИСТАЛЛЕ ABO 3 ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ В.В. Посметьев, Д.Ф. Роговой Воронежский государственный технический университет С3-8. О РАВНОВЕСИИ ФАЗ В СЕГНЕТОМАГНЕТИКАХ В.Н. Нечаев, А.В. Шуба Воронежский государственный технический университет С3-9. ХАОТИЧЕСКАЯ ДИНАМИКА В ПЬЕЗОАКТИВНЫХ СТАТИСТИЧЕСКИХ СМЕСЯХ А.И Чернобабов1, А.В.Турик2, Е.А. Толокольников1, М.Ю. Родинин2, Г.И. Темирчев Пятигорский государственный технологический университет;
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону С3-10. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ РЕЛАКСАЦИИ ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА М.П. Тонконогов1, Т.А. Кукетаев1, В.Я. Медведев Карагандинский государственный университет им. Е.А. Букетова Карагандинский государственный технический университет С3-11. КОМПЬЮТЕРНЫЙ РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ РЕЛАКСАТОРОВ В МАТЕРИАЛАХ С ВОДОРОДНЫМИ СВЯЗЯМИ М.П. Тонконогов, Т.А. Кукетаев, К.К. Фазылов Карагандинский государственный университет им. Е.А. Букетова С3-12. КВАНТОВЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ПРОТОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ М.П. Тонконогов, Т.А. Кукетаев, К.К. Фазылов Карагандинский государственный университет им. Е.А. Букетова С3-13. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ И ЭНЕРГОЁМКИХ НАКОПИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В.М.Богомольный1, А.И.Мухамедзянов Московский Государственный Университет Инженерной Экологии С3-14. КЛАСТЕРНЫЕ AB INITIO РАСЧЕТЫ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ SN 2 P 2 S А.Г. Гребенюк1, И.М.Ризак2, А.И.Чобаль3, В.М.Ризак Институт химии поверхности НАН Украины, Украина;
Днепропетровский национальный университет, Украина Ужгородский национальный университет, Украина С3-15. ПРОСТРАНСТВЕННАЯ КОРРЕЛЯЦИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ И РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В СЕНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРАХ С.П.Зубко С.-Петербургский государственный электротехнический университет С3-16. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАЗРАБОТКИ И ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ С ВОДОРОДНЫМИ СВЯЗЯМИ С ЗАДАННЫМИ СВОЙСТВАМИ М.П. Тонконогов, Т.А. Кукетаев, К.К. Фазылов Карагандинский государственный университет им. Е.А. Букетова С3-17. ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВЕРХРЕШЕТОК BaTiO 3 /SrTiO А.И.Лебедев Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова С3-18. РАСЧЕТЫ AB INITIO ЗАРЯДОВ БОРНА ДЛЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА О.Е. Квятковский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Секция 8 - Мультиферроики:
С8-1. СОЗДАНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Ba(Ti 1-х Mn х )O 3 И Pb(Ti 1-х Mn х )O КАК ПЕРСПЕКТИВНЫХ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ А.Г.Разумная, Ю.А.Куприна, Е.В.Чебанова, Ю.В.Кабиров, Э.В.Петрович, Н.Б.Кофанова, А.Г.Рудская Южный федеральный университет С8-2. ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ, ТЕПЛОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СЕГНЕТОМАГНЕТИКОВ BiFeO 3 и Bi 0.95 La 0.05 FeO А.А.Амиров1, З.М.Омаров1, С.Н.Каллаев1, А.Б.Батдалов1, А.Р.Билалов1, И.А.Вербенко2, Л.А. Резниченко Институт физики Дагестанского НЦ РАН НИИ Физики Южного Федерального Университета С8-3. ВЫСОКОДИСПЕРСНЫЕ СЛОЖНООКСИДНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ НА ОСНОВЕ ФЕРРИТА ВИСМУТА С.К.Корчагина, Л.Ф.Рыбакова, С.А.Иванов, M.Е. Миняев, В.Ю.Пройдакова, Н.В. Са довская, Е.Д.Политова Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова, г. Москва С8-4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МУЛЬТИФЕРРОИКА ErMn 2 O А.М.Янкин, Л.Б.Ведмидь, О.М.Федорова, В.Ф.Балакирев Институт металлургии УрО РАН С8-5. ЗАРЯДОВОЕ И ФАЗОВОЕ РАЗДЕЛЕНИЕ И СОЗДАНИЕ И ЛОКАЛЬНЫХ ПОЛЯРНЫХ СОСТОЯНИЙ В МАНГАНИТАХ Р.Ф.Мамин1, В.В.Кабанов2, И.К.Бдикин3, С.А.Мигачев1, Д.Михайлович2, Ю.Сткле2, А.Л.Холкин3, Р.В.Юсупов2, Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН Институт Йозефа Стефана, Словения Университет Авейро, Португалия Казанский государственный университет С8-6. ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ТВЕРДЫХ РАСТВО РАХ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ С ПОМОЩЬЮ МЕССБАУЭРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ С.П.Кубрин, Д.А.Сарычев, В.А.Сташенко, И.П.Раевский, М.А.Малицкая, С.И.Раевская, В.В.Титов, И.Н.Захарченко Департамент физики Южного федерального университета, г. Ростов-на-Дону С8-7. МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО В ДВУМЕРНЫХ СТАТИСТИЧЕСКИХ СМЕСЯХ А.В.Турик1, А.И Чернобабов2, Е.А. Толокольников2, М.Ю. Родинин Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону;
Пятигорский государственный технологический университет С8-8. ОДНО- И ДВУХФАЗНЫЕ МУЛЬТИФЕРРОИКИ: ИССЛЕДОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ МЕТОДАМИ НЕЛИНЕЙНОЙ ОПТИКИ Е.Д.Мишина1, В.М.Мухортов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики Южный центр РАН, Ростов-на-Дону Москва С8-9. ФЕРРОМАГНЕТИКИ СЕМЕЙСТВА Ni 2+x+y Mn 1-x Ga 1-y Т.М. Бречко1, Р.М. Гречишкин2, В.В. Нелаев3, М. Брамович Университет в Белостоке (Польша) Тверской государственный университет (Россия);
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Беларусь);
Варминско-Мазурский университет (Польша) С8-10. СТАБИЛИЗАЦИЯ СТРУКТУРНЫХ ПАРАМЕТРОВ СОЕДИНЕНИЙ СЛОИСТОГО ВИСМУТА А.Г. Рудская, Н.Б. Кофанова, Е.В. Дутова, М.Ф. Куприянов, Ю.В. Кабиров, С.Ю. Зулкарнеев Южный федеральный университет Секция 10 - Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры:
С10-1. ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАКЕТОВ В.В.Климов, Н.И.Селикова, А.Н.Бронников, И.К.Скирдина, А.С.Штонда Донецкий национальный университет С10-2. ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОКСИДА ТИТАНА С АДСОРБИРОВАННОЙ ВОДОЙ Ф.А.Королев, С.Н.Козлов Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова, Физический факультет С10-3. МИКРО- И НАНОСТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, ЛЕ ГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОИДАМИ М.Н.Палатников, О.Б.Щербина Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья КНЦ РАН С10-4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЬЕЗОАКТИВНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦТС С. В. Бирюков, С. И. Масычев, А. И. Шелепо Южный научный центр РАН С10-5. СИНТЕЗ НАНОПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ Л.А.Маслова, В.А.Филиков, Н.Д.Васильева, В.Н.Гордеев Московский Энергетический Институт (Технический Университет) С10-6. СОЗДАНИЕ УСТОЙЧИВОГО ПОЛЯРИЗАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ЦТС С. В. Бирюков, С. И. Масычев, А. П. Шелепо Южный научный центр РАН С10-7. ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КОЭРЦИТИВНОГО ПОЛЯ И ВНУТРЕННЕГО ПОЛЯ СМЕЩЕНИЯ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ А.С.Сидоркин, Л.П.Нестеренко, А.Л.Смирнов, Г.Л.Смирнов, С.В.Рябцев, А.А.Сидоркин Воронежский государственный университет С10-8. МОДЕЛЬ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА С УЧЕТОМ ВНУТРЕННИХ НАПРЯЖЕНИЙ И ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ С ПОДЛОЖКОЙ С.В.Павлов Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова С10-9. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТОВ С ВКЛЮЧЕНИЯМИ СЕГНЕТОВОЙ СОЛИ О.В.Рогазинская, С.Д.Миловидова, А.С.Сидоркин, Н.Г.Бабичева, В.В.Чернышов, Е.В.Ионова Воронежский Государственный Университет С10-10. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЦТС С ИЗБЫТКОМ ОКСИДА СВИНЦА РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНЫ А.А.Богомолов1, С.Н.Заливин1, О.Н.Сергеева1, П.А.Урбин1, Е.А.Каптелов2, И.П.Пронин Тверской государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С10-11. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ФОТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В ПЛЕНКАХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА-ПОЛУПРОВОДНИКА Sn 2 P 2 S А.А.Богомолов1, А.В.Солнышкин1, А.С.Трошкин1, И.П.Раевский2, Н.П.Проценко2, Д.Н.Санджиев Тверской государственный университет НИИ физики, Южный федеральный университет С10-12. ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ДВУМЕРНЫЕ ФОТОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ Н.Э.Шерстюк1, Е.Д.Мишина1, С.В. Семин 1, В.М.Мухортов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики Южный центр РАН, Ростов-на-Дону С10-13. НЕОДНОРОДНЫЕ СТРУКТУРНЫЕ СОСТОЯНИЯ ИЛИ «НАНОРАЗМЕРНЫЕ» ЭФФЕКТЫ ПРИ СИНТЕЗЕ KNBO Ю.А. Куприна1, М.Ф. Куприянов2, Ю.В Кабиров2, Н.Б. Кофанова2, П.Ю. Тесленко НИИ физики ЮФУ Физический факультет ЮФУ Ростов-на-Дону С10-14. КОРРЕЛЯЦИИ ОРИЕНТАЦИИ ЧАСТИЦ В МОНОСЛОЙНЫХ ПЛЕНКАХ ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕ И.В.Кушева, А.В.Максимов, Т.Е.Тюкалова Череповецкий Государственный университет С10-15. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ И ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦТС, ПОЛУЧЕННЫЕ В РЕЖИМЕ «ОСТАТОЧНОГО ГИСТЕРЕЗИСА»
Д.А.Киселев1, О.Н.Сергеева2, А.А.Богомолов2, Е.Ю.Каптелов3, И.П.Пронин3, В.П.Афанасьев4, А.Л.Холкин Университет Авейро, Авейро, Португалия Тверской государственный университет, Тверь, Россия;
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе, СПб, Россия С-Петербургский государственный электротехнический университет,Спб, Россия С10-16. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ НАНОКОМПОЗИТА NАNO 2 – ОПАЛ Н.О. Алексеева, А.И. Ванин, С.В. Панькова, В.Г. Соловьев Псковский государственный педагогический университет С10-17. НЕЛИНЕЙНЫЕ СВОЙСТВА СРЕДЫ С ЭЛЛИПСОИДАЛЬНЫМИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ О.Г.Вендик, Н.Ю.Медведева, С.П.Зубко С.-Петербургский государственный электротехнический университет С10-18. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ПРОТОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ В СЛОЯХ НАНОМЕТРОВОЙ КРУПНОСТИ М.П. Тонконогов, Т.А. Кукетаев, К.К. Фазылов Карагандинский государственный университет им. Е.А. Букетова С10-19. ЭКСТРАКЦИОННО-ПИРОЛИТИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ГОМОГЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ Т.Н.Патрушева, Д.А.Гришеленок Сибирский федеральный университет Красноярск С10-20. ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯРИЗОВАННОСТИ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЛОКАЛЬНЫМИ ПОВЕРХНОСТНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ А.Н.Павлов, И.П.Раевский, М.А.Малицкая, С.И.Раевская Департамент физики Южного федерального университета С10-21. НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТЫ В ПЛЕНКАХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА-ПОЛУПРОВОДНИКА Sn 2 P 2 S А.А.Богомолов1, А.В.Солнышкин1, И.П.Раевский2, В.Ю.Шонов2, Д.Н.Санджиев Тверской государственный университет НИИ физики, Южный федеральный университет С10-22. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТЫХ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ЦТС В.В.Климов, Н.И.Селикова, А.Н.Бронников, И.К.Скирдина, А.С.Штонда Донецкий национальный университет С10-23. УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ МЕТОДОМ ТЕПЛОВЫХ ШУМОВ П.С. Бедняков, И.В. Шнайдштейн, Б.А. Струков Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова С10-24. ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА НА МИКРОСТРУКТУРУ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Д.Н. Хмеленин1, О.М. Жигалина1, К.А. Воротилов2, И.Г. Лебо2, А.С.Сигов Институт Кристаллографии имени А.В. Шубникова РАН Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (тех нический университет) С10-25. УСИЛЕНИЕ ПОЛЯ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В ДВУХ СЛОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ ЛИНЕЙНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК-СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК С.П. Палто, Л.М. Блинов, В.В. Лазарев, С.Г. Юдин Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН С10-26. НОРМАЛЬНЫЙ И АНОМАЛЬНЫЙ ГИСТЕРЕЗИС В СТРУКТУРЕ ПРОЗРАЧНОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА И.Е.Титков1, И.П.Пронин1, Е.Ю.Каптелов1, Л.А.Делимова1, А.А.Петров2, И.А.Линийчук1, И.В.Грехов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С-Петербургский государственный электротехнический университет 11 ИЮНЯ, СРЕДА Пленарное заседание председатель: А. С. Сигов 9.30 – 10.10 Пл-6. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ – РЕЛАКСОРЫ: СВОЙСТВА, ТЕХНОЛОГИЯ, ПРИМЕНЕНИЯ И.П.Раевский Научно-исследовательский институт физики и физический факультет Южного Федерального университета 10.10 – 10.50 Пл-7. ФОРМИРОВАНИЕ И ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭВОЛЮЦИЯ ПОЛЯРНЫХ НАНООБЛАСТЕЙ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ РЕЛАКСОРАХ С.Б.Вахрушев1,2, Р.Г.Бурковский2, А.П.Шаганов2,A.Ivanov3, S.Shapiro4, K.Ohwada Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С-Петербургский Государственный Политехнический университет Institut Laue-Langevin Brookhaven National Laboratory Japanese Atomic Energy Agency 10.50 – 11.30 Пл-8. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ НА СВЧ (ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ) А.Б.Козырев С.-Петербургский Государственный Электротехнический Университет 11.30 – 12.00 Кофе-брейк Зал заседаний № 1. Секция 1 - Фазовые переходы, критические явления Председатели: А. И. Соколов, И. Н. Флеров 12.00 – 12.30 Пл1-1. КАЛОРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В СЕГ НЕТОЭЛЕКТРИКАХ, СЕГНЕТОЭЛАСТИКАХ И ФЕРРОМАГНЕТИКАХ И.Н.Флёров Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН 12.30 – 12.45 У1-1. КАЛОРИМЕТРИЧЕСКИЕ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛА Rb 2 KTiOF В.Д.Фокина1, И.Н.Флёров1, М.С.Молокеев1, Е.В.Богданов1, Е.И. Пого рельцев2, В.Н. Воронов1, Н.М. Лапташ Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН;
Сибирский Федеральный Университет Институт химии ДВО РАН 12.45 – 13.00 У1-2. СУПЕРПРОТОННЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ – ТЕПЛОВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ Е.Д.Якушкин Институт кристаллографии РАН 13.00 – 13.15 У1-3. ОСОБЕННОСТИ СУПЕРИОННОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В La 2 Mo 2 O В. В. Гребенев1, А. И. Баранов 1, С. А. Минюков1, В. И.Воронкова Институт кристаллографии РАН, Москва, Физический факультет МГУ 13.30 – 15.00 Обед У1-4. ПАРАМЕТР ПОРЯДКА, ФЛУКТУАЦИИ И НАНОКЛАСТЕРЫ 15.00 – 15. В МОДЕЛЬНЫХ СЕГНЕТОЭЛАСТИКАХ Hg 2 Hal Ю.Ф. Марков1, К.Кнорр2, Е.М. Рогинский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Universitt des Saarlandes, Saarbrcken-6600, Germany У1-5. ИНДУЦИРОВАННЫЙ ДАВЛЕНИЕМ ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД 15.15 – 15. В КУБИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ScF К. С. Александров1, В. Н. Воронов1, А. Н. Втюрин1, А. С. Крылов1, М. С.
Павловский1, С. В. Горяйнов2, А. Н. Лихачева2, А. И. Анчаров Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Институт геологии и минералогии СО РАН Институт химии твердого тела СО РАН У1-6. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА ТЕПЛОЕМКОСТЬ 15.30 – 15. И КОЭФИЦИЕНТ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ SN 2 P 2 S О.Андерссон1, И.М.Ризак2, А.И.Чобаль3, В.М.Ризак Лаборатория експериментальной физики,Умеа, Швеция;
Днепропетровский национальный университет, Украина Ужгородский национальный университет, Украина У1-7. ЯВЛЕНИЯ БЛИЖНЕГО И ДАЛЬНЕГО ПОРЯДКА, ИНДУЦИРОВАН 15.45 – 16. НОГО В КВАНТОВЫХ ПАРАЭЛЕКТРИКАХ М.Е.Гужва, В.В.Леманов, П.А.Марковин, А.Г.Раздобарин, В.А.Трепаков Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН У1-8. ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В КРИСТАЛЛАХ ЛИЗОЦИМА 16.00-16. А.В.Сванидзе1, С.Г.Лушников1, С.Коджима Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Institute of Materials Science, University of Tsukuba, Japan У1-9. ВТОРИЧНЫЕ ФЕРРОИДНЫЕ СВОЙСТВА 16.15 – 16. В СЕГНЕТОКРИСТАЛЛАХ С.В.Акимов, Е.Ф.Дудник Научно-внедренческий центр нетрадиционных технологий «Элент А», Ук раина Днепропетровск У1-10. ПЛОСКАЯ СЛОЖНАЯ ФАЗОВАЯ ГРАНИЦА В BaTiO 16.30 – 16. В.А. Непочатенко1, В.М. Дуда2, И.А. Непочатенко Белоцерковский национальный аграрный университет, Днепропетровский национальный университет Зал заседаний № 2. Секция 7 - Сегнетоэлектрики – релаксоры Председатели: С.Б. Вахрушев, И.П. Раевский 12.00 – 12.15 У7-1. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНОГО ПОРЯДКА В СТРУКТУРЕ Na 1/2 Bi 1/2 TiO 3 (NBT) МЕТОДОМ ЯМР 23Na И.П. Александрова1, А.А. Суховский1, Ю.Н. Иванов1, Ю.Е Яблонская1, С.Б. Вахрушев Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН 12.15 – 12.30 У7-2. ОСОБЕННОСТИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ PMN-xPT, ЛЕЖАЩИХ НА МОРФОТРОПНОЙ ФАЗОВОЙ ГРАНИЦЕ Л.С.Камзина1, H.Luo2, J.Xu Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences*** 12.30 -12.45 У7-3. ЭВОЛЮЦИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ ( SrTiO 3 – PMN, SrTiO 3 –BiFeO 3 ) Е.П.Смирнова1, А.В.Сотников1,2,Н.В.Зайцева1,M. Weihnach2, В.В.Леманов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, D 01069Dresden, Germany 12.45 – 13.00 У7-4. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ РЕЛАКСОРНОЙ СИСТЕМЫ PbZn 1/3 Nb 2/3 O 3 – PbMg 1/3 Nb 2/3 O 3 – PbTiO 3, ЛЕГИРОВАННОЙ БАРИЕМ И.А.Вербенко, О.Н.Разумовская, К.П.Андрюшин, В.В.Килесса Научно-исследовательский институт физики ЮФУ 13.00 - 13.15 У7-5. ВЛИЯНИЕ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОГО ЗАМЕЩЕНИЯ БАРИЯ ЛАНТАНОМ И ВИСМУТОМ НА ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ, ПОЛЯРИЗАЦИЮ И ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ СТРУКТУРНЫХ ИЗМЕНЕНИЙ В КЕРАМИКЕ BaTiO М.В.Горев1, И.Н.Флеров1, В.С.Бондарев1, Ph.Sciau2, M.Maglione3, A.Simon Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН CEMES-CNRS, Toulouse, France 3ICMCB-CNRS, Universite de Bordeaux, France 13.30 – 15.00 Обед 15.00 – 15.15 У7-6. МЯГКАЯ МОДА И ДИФФУЗНОЕ РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ В ПАРАФАЗЕ КРИСТАЛЛА Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O Р.Г.Бурковский 2, С.Б Вахрушев.1, Физико-Технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет 15.15 – 15.30 У7-7. ЛОКАЛЬНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ И КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ СПЕКТР РЕЛАКСОРОВ Т.А.Смирнова1, С.Г.Лушников2, С-Петербургская государственная медицинская академия им.И.И.Мечникова Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН 15.30 – 15.45 У7-8. ИЗУЧЕНИЕ ДИНАМИКИ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В КРИСТАЛ ЛЕ Na 1/2 Bi 1/2 TiO 3 С ПОМОЩЬЮ МАНДЕЛЬШТАМ-БРИЛЛЮЭНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА А.И.Федосеев1, С.Г.Лушников1, С.Н.Гвасалия1,2, П.П.Сырников1, С.Коджима Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Laboratory for Neutron Scattering ETHZ & Paul-Scherrer Institut, PSI Switzerland Institute of Materials Science, University of Tsukuba, Japan 15.45 – 16.00 У7-9. ДИНАМИЧЕСКИЙ ПИРОЭФФЕКТ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПОСТО ЯННОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В КЕРАМИКЕ PbFe 1/2 Nb 1/2 O 3 –PbTiO А.А. Павелко, Ю.Н. Захаров, Л.Е. Пустовая, А.Г. Лутохин, И.П. Раевский, В.З. Бородин Научно-исследовательский институт физики ЮФУ 16.00– 16.15 У7-10. РЕЛАКСАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ В КРИСТАЛЛАХ Bi 12 SiO 20, ЛЕГИРОВАННЫХ Cr И Mn Т. В. Панченко, Л. М. Карпова Днепропетровский национальный университет 16.15 – 16.30 У7-11. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ SBN ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ В.А.Шихова1, В.Я.Шур1, Д.В.Пелегов1, Д.К.Кузнецов1, Д.М.Коротин1, М.С.Небогатиков1, Е.В.Николаева1, Е.Л.Румянцев1, О.В.Якутова1, T.Granzow Уральский государственный университет им. А. М. Горького;
Institute of Materials Science, Darmstadt University of Technology Зал заседаний № 3. Секция 11 - Сегнетоэлектрики на сверхвысоких частотах Председатели: О. Г. Вендик, В. М. Мухортов 12.00 – 12.30 Пл11-1. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ОБЪЕМНЫЕ АКУСТИЧЕСКИЕ РЕЗОНАТОРЫ С ИНДУЦИРОВАННЫМ ПЬЕЗОЭФФЕКТОМ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ И.Б.Вендик С-Петербургский государственный электротехнический университет 12.30 – 12.45 У11-1. ФАЗОВРАЩАТЕЛИ СВЧ ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С НАНОРАЗМЕРНЫМИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЁНКАМИ П. А. Зеленчук, А. А. Маматов ФГУП РНИИРС г. Ростов-на-Дону 12.45 – 13.00 У11-2. ДИСПЕРСИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СЕГНЕТО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СВЧ КОНДЕНСАТОРА В ОБЛАСТИ АКУСТИЧЕСКО ГО РЕЗОНАНСА МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ А.М.Прудан, А.Б.Козырев, А.К.Михайлов С-Петербургский государственный электротехнический университет 13.00 – 13.15 У11-3. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ НАХОДЯТ СВОЮ «НИШУ» СРЕДИ УПРАВЛЯЮЩИХ УСТРОЙСТВ СВЧ О.Г.Вендик С-Петербургский государственный электротехнический университет 13.30 – 15.00 Обед 15.00 – 15.15 У11-4. ИЗОТРОПНЫЙ МЕТАМАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИХ СФЕРИЧЕСКИХ ВКЛЮЧЕНИЙ И.Б. Вендик, О. Г. Вендик, М. А. Одит С-Петербургский государственный электротехнический университет 15.15 – 15.30 У11-5. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА НА ВОЗДЕЙСТВИЕ СВЧ ПОЛЯ БОЛЬШОЙ АМПЛИТУДЫ А.Н.Васильев, С.П.Зубко С-Петербургский государственный электротехнический университет 15.30 – 15.45 У11-6. БЕЗЭЛЕКТРОДНЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК В.М.Пашков, В.И.Молчанов, А.В.Еременко, Ю.М.Поплавко Национальный технический университет Украины 15.45 – 16.00 У11-7. ЛИНИИ ПЕРЕДАЧИ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК В ДИАПАЗОНАХ СВЧ И КВЧ А.А. Иванов, С.Ф. Карманенко, И.Г. Мироненко, А.А. Семенов С-Петербургский государственный электротехнический университет 16.45 – 19.00 Кофе-брэйк Стендовые секции Секция 1 - Фазовые переходы, критические явления:
С1-1. ПОЛНЫЙ КОНДЕНСАТ ПАРАМЕТРОВ ПОРЯДКА И СМЕЩЕНИЯ АТОМОВ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ В ПЕРОВСКИТОПОДОБНЫХ КРИСТАЛЛАХ К.С.Александров1,2, С.В.Мисюль Сибирский федеральный университет Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН Красноярск С1-2. ДИСПЕРСИЯ ФОНОНОВ В КРИСТАЛЛАХ Hg 2 Cl А.А.Квасов1, Ю.Ф.Марков2, Е.М.Рогинский2, М.Б.Смирнов Санкт-Петербургский государственный университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С1-3. СТРУКТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В (NH 4 ) 2 NbOF Е.В.Богданов1, В.Д.Фокина1, М.В.Горев1, И.Н.Флёров1,А.Д.Васильев1, Е.И.Погорельцев2, Н.М.Лапташ Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН;
Сибирский Федеральный Университет Институт химии ДВО РАН С1-4. ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В KDP: СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДА ИЛИ УПОРЯДОЧЕНИЕ ПРОТОНОВ?
В.К. Малиновский, А.М. Пугачев, Н.В. Суровцев Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск С1-5. ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ ПРЕДЫСТОРИИ НА ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НИОБАТА НАТРИЯ – ЛИТИЯ В.С.Бондарев1, М.В.Горев1, И.Н.Флёров1, С.И. Раевская2, И.П.Раевский Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН;
Департамент физики Южного Федерального университета С1-6. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И КИСЛОРОДНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В СОЕДИНЕНИЯХ СЕМЕЙСТВА LAMOX В.И.Воронкова, Е.П.Харитонова МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет С1-7. ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В ОКСИФТОРИДЕ (NH 4 ) 3 WO 3 F МЕТОДАМИ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Ю. В. Герасимова1, А. Н. Втюрин1, А. С. Крылов1, А. А. Иваненко1, Н. П. Шестаков, Е. И. Погорельцев1,Н. М. Лапташ2, Е. И. Войт Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Институт химии ДВО РАН Институт химии твердого тела СО РАН С1-8. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛИЭТИЛЕНОКСИДА ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ ПЕРВОГО РОДА Н.И. Коротких, Н.Н. Матвеев Воронежская государственная лесотехническая академия С1-9. ОСОБЕННОСТИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ОКСИФТОРИДАХ (NH 4 ) 3-X K X MoO 3 F Е.И.Погорельцев1, В.Д.Фокина2, М.С.Молокеев2, А.Ф.Бовина2, Е.В.Богданов2, И.Н.Флёров2, Н.М.Лапташ Сибирский федеральный университет Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН;
3Институт химии ДВО РАН С1-10. СМЕЩЕНИЕ ТОЧКИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КРИСТАЛЛАХ ГЕПТАГЕРМАНАТА ЛИТИЯ С ПРИМЕСЯМИ М.Д.Волнянский, В.Г.Поздеев, М.П.Трубицын Днепропетровский национальный университет С1-11. СТРУКТУРНАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ И КИСЛОРОДНАЯ НЕСТЕХИОМЕТРИЯ В ФАЗЕ NdSr 2 Mn 2 O 7± О.М.Федорова, А.М. Янкин, Л.Б. Ведмидь Институт металлургии УрО РАН, Екатеринбург С1-12. ОСОБЕННОСТИ ПОЛ ИМОРФИЗМА ОДНОСЛОЙНЫХ ФАЗ АУРИВИЛЛИУСА В СИСТЕМЕ Bi 2 WO 6 -Bi 2 MoO О.Г. Рудницкая, Е.П. Харитонова, В.И. Воронкова МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет С1-13. СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ФЕРРОИКОВ СЕМЕЙСТВА Ni 2+x+y Mn 1-x Ga 1-y Т.М. Бречко1, Р.М. Гречишкин2, В.В. Нелаев3, М. Брамович4, О.М. Корпусов Университет в Белостоке (Польша) Тверской государственный университет (Россия) Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Беларусь) Вармиско-Мазурский университет (Польша) С1-14. МОДЕЛЬ МЕХАНИЗМА ПРОЦЕССОВ ОБРАЗОВАНИЯ И РАСПАДА ВЫСОКО ТЕМПЕРАТУРНЫХ ФАЗ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СОСТАВА H x Li 1-x MO 3 (M=Nb, Ta) И.Е.Калабин, Б.И.Кидяров Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН С1-15. АНОМАЛИИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА TmMnO Л.Б.Ведмидь, А.М.Янкин, О.М.Федорова, Р.И.Гуляева, В.Ф.Балакирев Институт металлургии УрО РАН С1-16. МЯГКАЯ МОДА В ДВАЖДЫ ДОПИРОВАННОМ ВИРТУАЛЬНОМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ KTO М.А.Кораблев-Дайсон 1, С.Б. Вахрушев1,2, В. Трепаков2, Б. Дорнер3, А. Иванов3, Д.Штраух С-Петербургский Политехнический Университет, СПб, Россия, Физико-Технический Институт им. Иоффе, СПб, Россия, Институт Лау-Ланжевена, Гренобль, Франция, Регенстбургский Университет, Регенсбург, Германия С1-17. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ Ca НА СТРУКТУРНЫЕ СОСТОЯНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Y 1-x Ca x MnO 3 (0x1) А.Г. Рудская, Н.Б. Кофанова, Ю.В. Кабиров, Л.Е.Пустовая, А.Г. Разумная, М.Ф. Куприянов, Южный федеральный университет С1-18. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ИЗМЕНЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ K3H(SO4)2 С ТЕМПЕРАТУРОЙ И.П.Макарова, Т.С.Черная, И.А.Верин, А.А.Филаретов, А.А.Симонов, В.В.Гребенев, А.И.Баранов, В.В.Долбинина Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва С1-19. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ И ДИНАМИКИ СМЕШАННЫХ КРИСТАЛЛОВ Me1-X(NH4)XSCN (Me=K, Rb) Л.С.Смирнов1,2, И.Натканец2,3, А.В.Белушкин2, М.Прагер ФГУП ГНЦ РФ Институт Теоретической и Экспериментальной Физики им.
А.И.Алиханова, Россия Лаборатория Нейтронной Физики им. И.М.Франка, Россия H.Niewodniczanski Institute of Nuclear Physics, Krakow, Poland Institut fьr Festkцrperforschung Forschungszentrum Jьlich, Germany С1-20. РАЗЛОЖЕНИЕ ЛАНДАУ ДЛЯ ТИТАНАТА БАРИЯ Й.Уонг1, А.К.Таганцев1, Д.Дамьянович1, Н.Сеттер1, В.К.Ярмаркин2, А.И.Соколов3, И.А.Лукьянчук Федеральная политехническая школа, Лозанна, Швейцария;
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН;
СПбГЭТУ Университет Пикардии “Жюль Верн”, Амьен, Франция С1-21. КОРРЕЛЯЦИЯ СТРУКТУРНЫХ НЕУСТОЙЧИВОСТЕЙ С ОСОБЕННОСТЯМИ ТЕПЛОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ БЕССВИНЦОВЫХ СЕГНЕТОЭЛЕК ТРИЧЕСКИХ КЕРАМИК О.Ю. Кравченко, Г.Г. Гаджиев, З.М. Омаров, Л.А. Шилкина Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета С1-22. СТРУКТУРА И ДИСПЕРСИОННОЕ ПОВЕДЕНИЕ НИОБАТА НАТРИЯ С ШИРОКОЙ ВАРИАЦИЕЙ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ИНДЕКСА О.Ю. Кравченко, Л.А. Шилкина Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета С1-23. ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРИСТАЛЛЕ (NH 4 ) 3 Ti(O 2 )F С.В. Мельникова1, А.С. Крылов1, А.Л. Жогаль1, Н.М.Лапташ Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН, 660036, Красноярск Институт химии ДВО РАН С1-24. О ПРИМЕНЕНИИ ПСЕВДОСИММЕТРИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ ВТОРОГО РОДА В.А. Иванов, М.А.Фаддеев, Е.В.Чупрунов Нижегородский государственный университет С1-25. ГЕЛИКОИДАЛЬНАЯ СТРУКТУРА НЕОДНОРОДНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ПОЛИ МЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ Н.П.Стадная1, А.В.Долгих2,А.Ф.Клинских Воронежский государственный университет Секция 7 - Сегнетоэлектрики – релаксоры:
С7-1. ТЕРМОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ С ПРИМЕСЯМИ РОДИЯ И ЕВРОПИЯ К.А.Бобров, Н.Н.Большакова, Б.Б.Педько, Н.Н.Черешнева Тверской государственный университет С7-2. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ КВАЗИУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ НЕЙТРОНОВ НА МОНОКРИСТАЛЛЕ Sr 0.6 Ba 0.4 Nb 2 0 С.А.Борисов, С.Б.Вахрушев, А.А.Набережнов, Н.М.Окунева Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С7-3. ВЛИЯНИЕ ОСВЕЩЕНИЯ НА НИЗКО- И ИНФРА- НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК МОНОКРИСТАЛЛА SBN - А.И.Бурханов1, К.П.Гужаковская1, Л.И.Ивлева Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН С7-4. ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РЕЛАКСОРНОЙ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА С.Н. Каллаев1, З.М. Омаров1, Х.Х. Абдуллаев1,Г.Г.Гаджиев1,Р.М. Ферзилаев1, С.А. Садыков2, К. Борманис3. 1Институт физики Дагестанского НЦ РАН Дагестанский государственный университет Институт физики твердого тела Латвийского университета С7-5. ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ SBN ПЕРЕМЕННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ А.А.Богомолов1, А.В.Солнышкин1, И.Л.Кислова2, В.Н.Иванов1, А.Ю.Лазарев1, Л.И.Ивлева Тверской государственный университет Тверской государственный технический университет Институт общей физики РАН С7-6. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ БЕССВИНЦОВЫХ КЕРАМИК СИСТЕМЫ NaNbO 3 - Sr 0,5 NbO 3 - LiNbO 3 :
СРАВНЕНИЕ СО СВИНЕЦСОДЕРЖАЩИМИ РЕЛАКСОРАМИ С.И.Раевская, В.В.Титов, Л.А.Резниченко, А.Ф.Семенчев, М.А.Малицкая, И.П.Раевский, С.О.Лисицына, В.С.Николаев Департамент физики Южного федерального университета С7-7. ОПТИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ NaNbO 3 -Gd 1/3 NbO В.В.Титов1, В.А.Шуваева1,2, A.M.Glazer2, С.И.Раевская1, М.А.Малицкая1, И.П.Раевский1, С.И.Шевцова Департамент физики Южного федерального университета Clarendon Laboratory, Oxford University, UK С7-8. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ Na 0.5 Bi 0.5 TiO 3 -BaTiO Т.В.Крузина, В.М.Дуда, В.Г.Поздеев, С.А.Попов Днепропетровский национальный университет, Украина, г.Днепропетровск С7-9. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ЭВОЛЮЦИЮ РЕЛАКСОРНОЙ ФАЗЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ PMN-xPT Л.С.Камзина1, И.П.Раевский Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН НИИ физики Ростовского Государственного университета С7-10. ВЛИЯНИЕ НЕЭРГОДИЧНОСТИ И ФРАКТАЛЬНОСТИ ПОЛИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСОБЕННОСТИ НИЗКОЧАСТОТНОЙ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ДИГИДРОФОСФАТЕ ЦЕЗИЯ Н.М.Галиярова Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет С7-11. ПОЛИДИЭТИЛСИЛОКСАН - СТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ТЕРМОПОЛЯРИ ЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ И.В.Попов Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д.Глинки С7-12. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ И ОСОБЕННОСТИ ПРОВОДИМОСТИ В -ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ TlInS Р.М.Сардарлы1, О.А.Самедов1, А.А.Байрамов2, Ф.Т.Салманов1, Г.Р.Сафарова Институт Радиационных Проблем НАН Азербайджана Институт Физики НАН Азербайджана С7-13. ТОКИ ДЕПОЛЯРИЗАЦИИ В СЛОИСТЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ Na 0,5 Bi 8.5 Ti 2 Nb 4 O 27 И Na 0,5 Bi 8.5 Ti 2 Ta 4 O А.И. Бурханов1, Ю.В. Кочергин1, К. Борманис2, А. Калване2, М. Дамбекалне Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет Институт физики твердого тела Латвийского университета С7-14. ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЙ ТОК В НЕСИММЕТРИЧНОЙ СЭНДВИЧНОЙ СТРУКТУРЕ МЕТАЛЛ-LiNbO3:Fe-МЕТАЛЛ С.В. Климентьев, В.И. Иванов, Г.Г. Здоровцев Дальневосточный государственный университет путей сообщения Секция 9 - Доменная структура и процессы переключения:
С9-1. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ РОСТОВОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОИДАМИ М.Н. Палатников, О.Б. Щербина, Н.В. Сидоров, И.В. Бирюкова Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра РАН С9-2. ИССЛЕДОВАНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА-ПОЛУПРОВОДНИКА СУЛЬФОИОДИДА СУРЬМЫ В.В.Иванов, И.А.Битков Тверской государственный университет С9-3. ИЗУЧЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ КРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ ВБЛИЗИ ДОМЕННЫХ ГРАНИЦ Д.В.Иржак, Л.С.Коханчик, Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН, г. Черноголовка С9-4. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ КИСЛОРОДА НА КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МАНГАНИТОВ La 1-x Ca x MnO 3± (0x0.2) С.Х Эстемирова, А.М.Янкин, В.Ф.Балакирев Институт металлургии УрО РАН г.Екатеринбург С9-5. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ SBN С ПРИМЕСЯМИ МЕТОДОМ ТРАВЛЕНИЯ К.Н. Бойцова Тверской государственный университет С9-6. ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ Y- СРЕЗОВ ПРИ ВНЕДРЕНИИ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ ЗАРЯДОВ В ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ КРИСТАЛЛОВ LiTaO Л.С.Коханчик, Д.В.Иржак Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН С9-7. ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ VTE И.С.Батурин1, В.Я.Шур1, А.Р.Ахматханов1, R.Route2, R.Roussev2, D.Hum2, L.L.Galambos2, R.O.Miles Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
Stanford University, CA, USA С9-8. КОМПЛЕКСНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ОБЪЕМНОГО ЭКРАНИРОВА НИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СЕМЕЙСТВА НИОБАТА ЛИТИЯ И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ А.Р.Ахматханов1, В.Я.Шур1, И.С.Батурин1, М.С.Небогатиков1, М.А.Долбилов1, E.A.Родина1, M.Н.Палатников Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В.Тананаева, Кольский научный центр РАН С9-9. СКАЧКООБРАЗНОЕ ДВИЖЕНИЕ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В НИОБАТЕ ЛИТИЯ И.С.Батурин, М.В.Конев, А.Р.Ахматханов, А.И.Лобов, В.Я.Шур Уральский государственный университет им. А.М. Горького С9-10. ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННЫЕ СКАЧКООБРАЗНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КРИСТАЛЛЕ SBN С ПРИМЕСЯМИ МЕТАЛЛОВ А.В. Бурцев, Б.Б. Педько, А. Юпатов, Т.О. Зазнобин, К.Н. Котрова Тверской государственный университет С9-11. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕ СКИХ КРИСТАЛЛАХ И ТОНКИХ ПЛЕНКАХ С ПОМОЩЬЮ СКАНИРУЮЩЕГО ЗОН ДОВОГО МИКРОСКОПА А.В.Иевлев1, В.Я.Шур1, Е.В.Николаева1, Е.И.Шишкин1, V.V.Shvartsman2, W.Kleemann Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
University of Duisburg-Essen, Duisburg, Germany С9-12. ГЕОМЕТРИЯ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК ЗАРЯЖЕННЫХ ДОМЕННЫХ СТЕНОК, СОЗДАННЫХ ЦИКЛИЧЕСКИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ В НИОБАТЕ ЛИТИЯ И ТАНТАЛАТЕ ЛИТИЯ Е.В.Николаева1, В.Я.Шур1, П.В.Самарин1, Е.И.Шишкин1, А.Р.Ахматханов1, И.С.Батурин1, R.Route2, D.Hum2, L.L.Galambos2, R.O.Miles2, V.V.Shvartsman3, W.Kleemann Уральский государственный университет им. А.М. Горького;
Ginzton Lab, Stanford University, Stanford, CA;
University of Duisburg-Essen, Duisburg, Germany С9-13. ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ СЕГНЕТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРАДИЕНТНЫМ ТЕПЛОВЫМ ПОЛЕМ Ю.Н. Пархоменко, В.В. Антипов, М.Д. Малинкович, А.С. Быков Московский институт стали и сплавов С9-14. ДИСКРЕТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МОНОКРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ И РОСТ НАНО-ДОМЕННЫХ ЛУЧЕЙ В СИЛЬНО НЕРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ А.И.Лобов, В.Я.Шур, Д.К.Кузнецов, С.А.Негашев, Д.В.Пелегов, Е.И.Шишкин Уральский государственный университет им. А.М. Горького С9-15. НЕОБЫЧНАЯ КИНЕТИКА ДОМЕНОВ В ГЕРМАНАТЕ СВИНЦА В.Я.Шур, Е.А.Мингалиев, И.С.Батурин, А.В.Ежов, Е.И.Шишкин, М.С.Небогатиков Уральский государственный университет им. А.М. Горького С9-16. ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА ДВИЖЕНИЕ ДОМЕННЫХ ГРАНИЦ В ТГС А.М. Метальников, В.Ф. Тиллес, Е.С. Соловьева, Р.М. Печерская Пензенский государственный университет С9-17. ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА БАРКГАУЗЕНА И ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ ГЕРМАНАТА СВИНЦА М. Т. Бречко1, Р.М. Гречишкин2, С.Е. Ильяшенко3, О.М. Корпусов2, О.В. Малышкина2, Н.О. Мамкина Университет в г. Белосток, Польша Тверской государственный университет Тверской государственный технический университет С9-18. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ ХРОМА НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ SBN В СИЛЬНЫХ ПОЛЯХ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ А.С.Пилипенко1, А.И.Бурханов1, Л.И.Ивлева Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН С9-19. ИМПЕДАНСНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕЛАКСАЦИИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ ТГС В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ С.А.Садыков1, А.Ш.Агаларов1, С.Н.Каллаев2, С.М.Алиева Дагестанский государственный университет Институт физики Дагестанского НЦ РАН С9-20. РЕЛАКСАЦИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ ТРИГЛИЦИНСУЛЬ ФАТА, СТИМУЛИРОВАННАЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫМ ОТЖИГОМ О.М.Голицына, С.Н.Дрождин Воронежский государственный университет С9-21. ОБ ОДНОЙ МОДЕЛИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЕГНЕТОЭЛАСТИКОВ А.С. Скалиух Южный Федеральный университет, Ростов-на-Дону Секция 11 - Сегнетоэлектрики на сверхвысоких частотах С11-1. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК В СИЛЬНОМ ПОЛЕ СВЧ А.И.Соколов С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-2. ВЛИЯНИЕ КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК НА ФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЁМНОГО ЗАРЯДА В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРАХ А.В. Тумаркин, А.Г. Алтынников, А.Г. Гагарин, М.М. Гайдуков, А.Б. Козырев С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-3. ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЁНОК ТИТАНАТА БАРИЯ-СТРОНЦИЯ В ПАРАЭЛЕКТРИЧЕСКОМ СОСТОЯНИИ А.Г. Алтынников, Г.А. Коноплёв, А.М. Василевский, А.В. Тумаркин, М.М. Гайдуков, А.Б. Козырев С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-4. СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ТИТАНАТА БАРИЯ-СТРОНЦИЯ А.В.Тумаркин, С.В.Разумов, А.Г. Гагарин, А.Г. Алтынников, М.М. Гайдуков, А.Б. Козырев С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-5. СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЧ-ЭНЕРГИИ ПРОМЫШЛЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ ТИПА ПКР В.В. Гершенович, Е.Н. Сидоренко, Л.А. Резниченко, И.И. Натхин Южный Федеральный университет С11-6. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ ПОЛОСНОПРОПУСКАЮ ЩИЙ ФИЛЬТР НА ПЛАНАРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРАХ О.Ю. Буслов, В.Н. Кейс, А.Б. Козырев, А.Ю. Шимко С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-7. СЛОИСТЫЙ ФЕРРИТ-СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР С ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ И МАГНИТНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ П.Ю. Белявский, С.Ф. Карманенко, А.А. Никитин, А.А. Семенов С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-8. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КЕРАМИКИ BST-Mg ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ В УСКОРИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКЕ А.Д.Канарейкин1, Е.А.Ненашева2,А.И. Дедык1, Ю.В.Павлова С-Петербургский электротехнический университет Научно-исследовательский институт «ГИРИКОНД»
С11-9. “ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИ-ПРОЗРАЧНЫЙ” ЭЛЕКТРОД В УПРАВЛЯЕМЫХ СЛОИСТЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ А.А.Никитин, Ю.В.Павлова А.А.Семенов, С.Ф. Карманенко С-Петербургский электротехнический университет С11-10. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ СВЧ ФИЛЬТРЫ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ В ПЛЕНКЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ НАВЕДЕННОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА П.А.Туральчук, И.Б.Вендик, О.Г.Вендик С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-11. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФАЗОВРАЩАТЕЛИ ИЗЛУЧАТЕЛИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В РУПОРНЫХ СКАНИРУЮЩИХ АНТЕННАХ П.Ю. Белявский, А.А. Иванов, И.Г.Мироненко, А.А. Семёнов С-Петербургский государственный электротехнический университет С11-12. ПЬЕЗОУПРАВЛЯЕМЫЕ УСТРОЙСТВА СВЧ В.И.Молчанов, В.М.Пашков, Ю.В.Прокопенко, В.А.Казмиренко, Ю.М.Поплавко Национальный технический университет Украины С11-13. СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЧ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛАХ И КЕРАМИКЕ ТИТАНАТА БАРИЯ Е.Н.Сидоренко1, В.Г.Гавриляченко1, А.В.Турик1, И.И.Натхин1, М.Е.Агаркова Южный федеральный университет Филиал С-Петербургского гидро-метеорологического университета 13 ИЮНЯ, ПЯТНИЦА 09.30 – 09.40 Пленарное заседание, посвященное памяти Л. А. Шувалова Председатель - К.С. Александров 09.40 – 10.20 Пл-9. LIGHT SCATTERING STUDY OF THE ISOTOPE-INDUCED PHASE TRANSITION IN QUANTUM PARAELECTRIC STRONTIUM TITANATE T. Yagi Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Sapporo, Japan 10.20 – 11.00 Пл-10. CONTINUOUS CROSS OVER FROM FERROELECTRIC TO RELAXOR STATE IN LEAD-FREE PEROVSKITES : A PERCOLATION MODEL M. Maglione ICMCB-CNRS, Universit de Bordeaux 1, France 11.00 – 11.40 Пл-11. SOFT MODES, FERROELECTRICS AND PHOTONICS P. Guenter Institute of Quantum Electronics ETH Hoenggerberg, Zuerich / Switzerland 11.40 – 12.00 Кофе-брейк Зал заседаний № 1. Сессия, посвященная памяти Л. А. Шувалова Председатели: К.С. Александров, В.В. Леманов 12.00 – 12.30 Пл-12. LEV SHUVALOV’S CONTRIBUTION TO THE DEVELOPMENT OF THE SCHOOL OF FERROELECTRICITY IN THE UNIVERSITY OF LATVIA A. Sternbergs Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Riga 12.30 – 13.00 Пл-13. FERROTOROICS D. G. Sannikov Institute of Crystallography Russian Academy of Science, Moscow 13.00 – 13.30 Пл-14. HIGH PRESSURE PHASES OF LIGHT BOROHYDRIDES – NEW OPPORTUNITIES FOR HYDROGEN STORAGE V. Dmitriev ESRF, France 13.30 – 15.00 Обед 15.00 – 15.30 Пл-15. WIDELINE NMR OF DISORDERED FERROELECTRICS AND MAGNETOELECTRICS B. Zalar J. Stefan Institute, Ljubljana, Slovenia 15.30 – 16.00 Пл-16. ELECTROCALORIC CHARACTERISTICS OF THE RELAXOR FER ROELECTRIC PMN-PT AND ITS MODEL APPROXIMATIONS Juha Hagberg University of Oulu, Finland 16.00 – 16.30 Пл-17. NEUTRON POLARIMETRY IN FERROIC NDFE3(11BO3) B. Roessli Laboratory for Neutron Scattering, ETHZ & PSI, Switzerland 16.30 – 17.00 Пл-18. PHASE TRANSITIONS AND LATTICE DYNAMICS OF RELAXOR FERROELECTRICS: NEUTRON SCATTERING STUDIES S.N.Gvasaliya1, G.M. Rotaru 1, B. Roessli1, R.A. Cowley2,S. Kojima3, S.G.Lushnikov Laboratory for Neutron Scattering, PAUL Scherrer Institute, Villigen, Switzerland Clarendon Laboratory, Oxford University, Parks Road, Oxford, UK Institute of Material Science, University of Tsukuba, Japan;
Ioffe Physico-Technical Institute RAS, St.-Petersbourg, Зал заседаний № 2. Секция 4 - Физические свойства сегнетоэлектриков (монокристаллы, керамика, композиты, жидкие кристаллы, новые материалы) Председатели: Б.А. Струков, Л.А. Резниченко 12.00 – 12.15 У4-1. РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИЕ И УЛЬТРАЗВУКОВЫЕ ИССЛЕДОВА НИЯ КРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ K 1-x Rb x TiOPO А.У. Шелег, Е.М. Зуб, В.Г. Гуртовой, С.А. Гурецкий ГНУ «Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси»
12.15 – 12.30 У4-2. ВИТЛОКИТОПОДОБНЫЕ ФОСФАТЫ И ВАНАДАТЫ – НОВОЕ СЕМЕЙСТВО ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ И АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ С.Ю.Стефанович, Б.И.Лазоряк, В.А.Морозов Химический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова 12.30 - 12.45 У4-3. ВЛИЯНИЕ КАТИОННЫХ ЗАМЕЩЕНИЙ НА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИ ЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ НА ОСНОВЕ ВАНАДАТА ВИСМУТА Е.А.Фортальнова1,2, В.В.Мурашева1, М.Г.Сафроненко1, Н.У.Венсковский1, Г.М.Калева2, С.Ю.Стефанович2, Е.Д.Политова Российский университет дружбы народов Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова 12.45 - 13.00 У4-4. СТРУКТУРА-МИКРОСТРУКТУРА (МУЛЬТИФРАКТАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ) – ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РЕАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЦТС, PMN-PT И ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНОЙ СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ Л.А. Резниченко, Л.А. Шилкина, О.Н.Разумовская, С.И. Дудкина, И.Н. Андрюшина, А.А. Павелко, В.В.Ахназарова, Е.А. Ярославцева, А.Н. Завгородний Научно-исследовательский институт физики ЮФУ 13.00 - 13.15 У4-5. КОМПОЗИТЫ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ А.Л.Заграничек1, М.М.Сычев1, С.В.Мякин1, В.Г.Корсаков1, С.А.Алексеев2, Б.Ли Санкт-Петербургский государственный технологический институт ОАО Авангард, Санкт-Петербург 3Clemson University, School of Materials Science & Engineering, Clemson, U.S.A.
13.15 - 13.30 У4-6. ПОРИСТАЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ КЕРАМИКА: ТЕОРИЯ, Т ЕХНОЛОГИЯ, ПРИМЕНЕНИЯ А.Н.Рыбянец Южный Федеральный Университет 13.30 – 15.00 Обед 15.00 – 15.15 У4-7. ПЛАВЛЕНЫЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ТВЁРДЫЕ РАСТВОРЫ В СИСТЕМЕ SrFeO 3- – SrTiO 3- : ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА Б.Т. Мелех, В.И. Бахарев, В.Г. Семёнов, В.С. Володин Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН 15.15 – 15.30 У4-8. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЦИРКОНАТА БАРИЯ, BaZrO 3 :
МОНОКРИСТАЛЛЫ И КЕРАМИКА А.В.Сотников1,2, В.В.Леманов1, Б.Т.Мелех1, M. Weihnacht Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden,Germany 15.30 – 15.45 У4-9. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТНЫХ ПЛЕНОК P(VDF-TRFE), СОДЕРЖАЩИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ КЕРАМИКУ ЦТБС А.А.Богомолов, А.В.Солнышкин, И.М.Морсаков, А.А.Сотников Тверской государственный университет 15.45 – 16.00 У4-10. СЕЛЕКТИВНЫЙ РАЗОГРЕВ МЯГКОЙ МОДЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКЕ А.М.Прудан С-Петербургский государственный электротехнический университет Зал заседаний № 3. Секция 5 - Оптические свойства сегнетоэлектриков, фоторефракция Секция 6 - Спектроскопические методы исследования Председатели: Ю.Ф. Марков, Ю. И. Юзюк 12.00 – 12.15 У5,6-1. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРОТОННОГО ОБМЕНА НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КАНАЛЬНЫХ ВОЛНОВОДОВ В КРИСТАЛЛЕ НИОБАТА ЛИТИЯ А.С.Козлов, И.В.Ильичев, П.В Гаенко, А.В.Шамрай, М.П.Петров Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН 12.15 – 12.30 У5,6-2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ КАК ИНДИКАТОР КИНЕТИКИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛАХ В.К Новик, А.М.Лотонов, Н.Д.Гаврилова МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Москва 12.30 – 12.45 У5,6-3. РАЗУПОРЯДОЧЕННЫЕ СОСТОЯНИЯ В СТРУКТУРЕ НЕЛИНЕЙНООПТИЧЕСКОГО МОНОКРИСТАЛЛА НИОБАТА ЛИТИЯ И ИХ ПРОЯВЛЕНИЕ В СПЕКТРАХ КРС Н.В.Сидоров, М.Н.Палатников, П.Г.Чуфырев, А.А.Яничев Институт химии и технологии редких элементов минерального сырья им.
И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН 12.45 – 13.00 У5,6-4. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КРИСТАЛЛАХ DKDP МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В.К. Малиновский, А.М. Пугачев, Н.В. Суровцев Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск 13.00 – 13.15 У5,6-5. ЯМР ИССЛЕДОВАНИЯ ЧАСТИЦ NaNO 2, ВНЕДРЕННЫХ В НАНОПОРИСТЫЕ МАТРИЦЫ MCM-41 И SBA- Е.В. Чарная1, С.В. Барышников2, Cheng Tien3, M.K. Lee3, W. Bhlmann4, D.Michel Физический факультет Санкт-Петербургского государственного универси тета Благовещенский государственный педагогический университет 3Department of Physics, National Cheng Kung University, Taiwan Faculty of Physics and Geosciences, University of Leipzig, Germany 13.15 – 13.30 У5,6-6. ВЛИЯНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ НА ИНТЕНСИВНОСТЬ АНОМАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ (АЭЭ) В СИСТЕМЕ (1-x)PbMg 1/3 Nb 2/3 O 3 +xPbTiO А.Т.Козаков, А.В.Никольский, В.П.Сахненко, А.Н.Павлов, В.Г.Смотраков, В.В.Еремкин Научно – исследовательский институт физики Южного федерального уни верситета, пр. Стачки 194, 344090, Ростов-на-Дону, Россия 13.30 – 15.00 Обед 15.00 – 15.15 У5,6-7. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ Pb 5 Ge 3 O 11 ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ В.М.Дуда, А.С.Ермаков Днепропетровский национальный университет 15.15 – 15.30 У5,6-8. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ И ПОЛЯРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ТИТАНАТА БАРИЯ Н.М.Галиярова Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет 16.45 – 19.00 Кофе-брэйк Стендовая секция Секция 4 - Физические свойства сегнетоэлектриков (монокристаллы, керамика, композиты, жидкие кристаллы, новые материалы) С4-1. МАГНИТНЫЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ ФЕРРИТ-СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК А.Г. Горшков, С.А. Гриднев, О.Н. Королевская Воронежский государственный технический университет Воронеж С4-2. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ba X Sr 1-X TiO НА ПОДЛОЖКАХ MgO, ВЫРАЩЕННЫХ РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ М.С. Иванов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (тех нический университет) Москва С4-3. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПАРАЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФАЗЕ КЕРАМИЧЕСКИХ ОКСИДОВ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА Г.С.Григорян, А.М.Солодуха Воронежский государственный университет С4-4. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ СМЕШАННЫХ СИСТЕМ NaNO 2 -KNO А.Ю.Милинский1, Е.В.Стукова Благовещенский государственный педуниверситет, Амурский государственный университет С4-5. ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ И ТЕКСТУРИРОВАННЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ В СЕГНЕТО- И АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ В.М.Ищук1, В.Л.Соболев2, Н.А.Спиридонов Институт монокристаллов НАН Украины South Dakota School of Mines and Technology НТК «Реактивэлектрон» НАН Украины Харьков, Украина С4-6. ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ КОМПОЗИТА СИСТЕМЫ х PbZr0,53Ti0,47O3 – (1-х) Mn0.4Zn0.6Fe2O А.В. Калгин, С.А. Гриднев Воронежский государственный технический университет Воронеж С4-7. ВОЛОКНИСТЫЕ ТЕКСТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛИДОДЕКАНАМИДА А.П.Лучников, А.С.Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) С4-8. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ТЕКСТУРЫ НА ОСНОВЕ ПВХ, НАПОЛНЕННОГО ДИСПЕРСНЫМ ЦТС- А.П.Лучников, А.С.Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) С4-9. ГИБРИДНАЯ КЕРАМИКА PbTiO3 – Pb(ZrTi)O 3, ПОЛУЧЕННАЯ ОБЪЕМНОЙ ГЕТЕРОДИФФУЗИЕЙ, И ЕЕ СВОЙСТВА К.Г. Абдулвахидов, Б.К. Абдулвахидов, И.В. Мардасова, Э.Н. Ошаева, М.А. Витченко, Б.С. Кульбужев Южный федеральный университет, 344090 г. Ростов-на-Дону, Россия С4-10. НАНОСТРУКТУРИРОВАННАЯ КЕРАМИКА PbFe 0.5 Nb 0.5 O 3 И ЕЕ СВОЙСТВА К.Г. Абдулвахидов1, И.В. Мардасова1, М.А. Витченко1, Э.Н. Ошаева1, А.Г. Гамзатов2, А.А. Амиров2, А.Б. Батдалов Южный федеральный университет, 344090 г. Ростов-на-Дону, Россия Институт физики Дагестанского НЦ РАН, 367003 г. Махачкала, Россия С4-11. СИНТЕЗ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ KTiOPO 4, ЛЕГИРОВАННЫХ ЦИНКОМ Е.И.Агапова1, В.И.Воронкова1, И.Н.Леонтьева1, С.Ю.Стефанович1, О.А.Алексеева Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН С4-12. КИНЕТИКА ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ НИОБАТА ЛИТИЯ Н.Г.Бабичева, С.Д.Миловидова, О.В.Рогазинская, А.С.Сидоркин, А.Б.Плаксицкий Воронежский Государственный Университет С4-13. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ СИСТЕМЫ Al 2 O 3 - ВОДА М.С. Мецик, Н.В. Брянский, А.А. Гаврилюк, Ю.В. Аграфонов Иркутский Государственный Университет С4-14. ВЛИЯНИЕ ТЕРМОБАРИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Li х Na 1-х NbO 3 (х = 0.17, 0.25) В.В. Ефремов, М.Н. Палатников Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья КНЦ РАН С4-15. ОРИЕНТАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭФФЕКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ В НОВЫХ 2–2- И 1–3-ПЬЕЗОКОМПОЗИТАХ А.В.Криворучко1, В.Ю.Тополов1, К.Р.Бауэн2, П.Бисенья Южный федеральный университет (Россия), Университет Бата (Соединенное Королевство), Университет Рима «Тор Вергата» (Италия) С4-16. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЛИТИЙ-ТИТАНОВОЙ ФЕРРИТОВОЙ КЕРАМИКИ А.В.Малышев Томский политехнический университет С4-17. ПОЛЯРНЫЕ СВОЙСТВА НОМИНАЛЬНО ЧИСТЫХ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТГС П.И.Кушнарев1, А.Г.Масловская1, С.В.Барышников Амурский государственный университет Благовещенский государственный педагогический университет С4-18. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЬЕЗОКЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ С ПРИМЕСЬЮ ОЛОВА О.В.Малышкина1, А.А.Мовчикова1, R.Steinhausen2, H.T. Langhammer2, H. Beige Тверской государственный университет, Россия Martin-Luther-University Halle-Wittenberg, Germany С4-19. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ ГРУППЫ ТГС В УСЛОВИЯХ НЕЛИНЕЙНОГО ПИРОЭФФЕКТА.
О.В.Малышкина Тверской государственный университет С4-20. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (1-x)BiMg 1/2 Ti 1/2 O 3 -xBiCoO 3, СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ И ТЕМПЕРАТУРАХ А.В.Пушкарев, Н.М.Олехнович, Ю.В.Радюш Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси С4-21. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ В СИСТЕМЕ ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ (1-x)KNbO 3 – xBiZn 2/3 Nb 1/3 O Ю.В. Радюш, Н.М. Олехнович, А.В. Пушкарёв Объединённый институт физики твёрдого тела и полупроводников НАН Беларуси С4-22. АНИЗОТРОПИЯ ПОТЕРЬ В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА М.А.Саввинов, А.М.Солодуха, А.М.Саввинов, М.А.Чубин Воронежский государственный университет, Воронеж С4-23. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ДАВЛЕНИЯ О.Е.Фесенко Южный федеральный университет С4-24. ПОЛЯРИЗАЦИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛИМЕРОВ РАЗЛИЧНОЙ СТРУКТУРЫ И ИХ ПОВЕДЕНИЕ В ПРЕДПРОБИВНЫХ ПОЛЯХ В.В.Кочервинский, О.И.Василевский, Д.В. Воробьев, А.Хныков, Н.В. Козлова Государственный научный центр Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова С4-25. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В КЕРАМИКЕ PbTiO 3 -PbZrO 3 -PbNb 2/3 Zn 1/3 O 3 PbW 1/2 Mg 1/2 O 3 -PbW 3/5 Li 2/5 O 3 +1%Ge И.В. Юхнов, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев, Г.М. Акбаева Южный федеральный университет г. Батайск С4-26. ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПОСТОЯННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ТВЁРДЫХ РАСТВОРАХ НА ОСНОВЕ ЦТС И.В. Юхнов, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев, О.В. Коляда, И.Н. Гаврилова Южный федеральный университет С4-27. СТРУКТУРНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННЫХ КОМПОЗИТАХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-ФЕРРОМАГНЕТИК А.Г. Горшков, С.А. Гриднев Воронежский государственный технический университет С4-28. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОПОЛИМЕРОВ П(ВДФ/ТеФЭ) И П(ВДФ/ТрФЭ) И КОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ П(ВДФ60/Тр40) – ПОРИСТОЕ СТЕКЛО.
Л.Н. Коротков1, О.А. Караева1, Е.П. Шелестов1, Ewa Rysiakiewicz-Pasek Воронежский государственный технический университет, Institute of Physics, Wroclaw University of Technology С4-29. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ТИТАНАТА-ЦИРКОНАТА СВИНЦА И.А.Аверин, Р.М.Печерская Пензенский государственный университет С4-30. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ НАНОКОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ НИТРИТОВ И НИТРАТОВ НАТРИЯ В ПОРИСТЫХ СТЕКЛАХ Л.Н.Коротков1, В.С.Дворников1, О.А.Караева1, А.А.Набережнов2, А.A.Сысоева2, Ewa Rysiakiewicz-Pasek Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия ФТИ им А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург, Россия;
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, W. Wyspianskiego, Wroclaw, Poland С4-31. УПРУГИЕ, ДЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КЕРАМИЧЕСКИХ ПЬЕЗОКОМПОЗИТОВ А.Н.Рыбянец, А.А.Рыбянец Южный Федеральный Университет С4-32. ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ОТКЛИК МНОГОКОМПОНЕНТНОГО ТВЁРДОГО РАСТВОРА x[yPb-(1-y)Sr]-(1-x)Bi 2/3 TiO А.В. Сопит1, А.И. Бурханов1, Т.П. Сопит2, К. Борманис3, М. Дамбекалне3, А. Штернберг Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет, Волгоградский государственный медицинский университет, Латвийский университет физики твердого тела С4-33. ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА ПЪЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ (K 0.5 Na 0.5 )(Nb 1-x Sb x )O А.Штернберг, К.Борманис, М.Дамбекалне, М.Антонова, М.Ливиньш, А.Калване Институт Физики твердого тела Латвийского Университета С4-34. ВНУТРЕННЕЕ ТРЕНИЕ В НАНОГРАНУЛИРОВАННЫХ КОМПОЗИТАХ (1-x)PZT - xСо Л. Н. Коротков, Д.П.Тарасов, А.В.Ситников, Ю.Е. Калинин Воронежский Государственный Технический Университет С4-35. ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Н.В.Захарова, В.Г.Корсаков, М.М.Сычев Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический уни верситет) С4-36. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ BPI 1-X BP X (X = 0 – 0.1) В ОБЛАСТИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ Е.В.Балашова, В.В. Леманов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С4-37. СИСТЕМАТИЗАЦИЯ И ВЗАИМОСВЯЗЬ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ АЦЕНТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРОЙНЫХ ОКСИДОВ И СУЛЬФИДОВ Б.И.Кидяров, 1В.В. Атучин, 2Н.В. Первухина Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН С4-38. ЭВОЛЮЦИЯ СПЕКТРОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ПРОВОДИМОСТИ ПЬЕЗОКЕРАМИКИ PZTNB-1 В ОБЛАСТИ МОРФОТРОПНОЙ ФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ Н.М.Галиярова, А.Б. Бей Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет С4-39. НЕПРЕРЫВНЫЙ ТВЕРДОФАЗНЫЙ СИНТЕЗ ОКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ Л.М. Кацнельсон НИИ Физики ЮФУ С4-40. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ ОТОЖЖЕННЫХ ПОРОШКОВ СИСТЕМЫ Bi – Cu - O Г.А.Дорогина, А.М.Янкин, С.Х.Эстемирова Институт металлургии УрО РАН С4-41. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕ СКОГО КОЭФФИЦИЕНТА КРИСТАЛЛА НИОБАТА БАРИЯ-СТРОНЦИЯ.
А.А.Мовчикова, О.В.Малышкина, Б.Б.Педько Тверской государственный университет Тверь С4-42. ЛОКАЛЬНЫЙ РАСПАД И ДОЛГОВРЕМЕННАЯ СТРУКТУРНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ОСНОВЕ ЦТС В.М.Ищук1, З.А.Самойленко2, В.Л.Соболев3, Н.А.Спиридонов Институт монокристаллов НАН Украины Донецкий Физикотехнический институт НАН Украины South Dakota School of Mines and Technology 4НТК «Реактивэлектрон» НАН Украины С4-43. МЕТОД ТЕПЛОВЫХ ВОЛН КАК СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ.