авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ  БИБЛИОТЕКА

АВТОРЕФЕРАТЫ КАНДИДАТСКИХ, ДОКТОРСКИХ ДИССЕРТАЦИЙ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


На правах рукописи

Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед

ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА ОТ УСЛОВИЙ ОСАЖДЕНИЯ И

УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ АТОМАМИ ГАЛЛИЯ

Специальность 01.04.04 - физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Махачкала – 2012 1

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования

«ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор Рабаданов Муртазали Хулатаевич

Официальные оппоненты: Гаджиев Синдибад Магомедович доктор химических наук, профессор кафедры общей физики ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный университет»

Шалдин Юрий Витальевич кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории высокотемпературной кристаллизации Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН

Ведущая организация: Учреждение Российской академии наук «Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН»

Защита диссертации состоится «29» декабря 2012 г. в 1400 на заседании диссертационного совета Д.212.053.02 при ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный университет» по адресу: 367000, г. Махачкала, ул. Дзержинского,12, актовый зал.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный университет».

Автореферат разослан «_» ноября 2012 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, доктор физико-математических наук Курбанисмаилов В.С.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы диссертации заключается в том, что оксид цинка обладает широким спектром оптических свойств, имеющих практическое значение. Ему характерна люминесценция в зеленой и желто-оранжевой областях спектра. Большая энергия связи экситона в оксиде цинка обеспечивает перспективу для создания на его основе источников света видимой и ультрафиолетовой (УФ) областей спектра, а также сцинтилляторов для регистрации рентгеновского и радиоактивного излучений. Высокая электропроводность слоев ZnO, оптическая прозрачность в широком диапазоне спектра делают их также перспективными для использования в качестве прозрачных электродов в оптоэлектронных устройствах.

Для создания стабильных и надежных оптоэлектронных устройств необходимы эпитаксиальные пленки высокого качества с максимальной фотолюминесценцией (ФЛ), минимальным удельным сопротивлением, высоким кристаллическим совершенством. Эпитаксиальные слои ZnO с близкими к указанным свойствами можно получить методом химического транспорта в атмосфере водорода в замкнутом вертикальном реакторе среднего давления (1,5 – 2)105 Па. Свойства слоев окиси цинка существенно зависят от условий нанесения, примесного состава и состояния поверхности, поэтому актуальны исследования влияния условий осаждения, последующих термообработок в различных средах на их электрические и оптические свойства, а так же установление природы и состава собственных и примесных дефектов.

Целью диссертационной работы являлось установление оптимальных технологических условий осаждения эпитаксиальных пленок ZnO методом химического транспорта в замкнутом реакторе в атмосфере водорода, а так же изучение влияния термообработки в разных средах и уровня легирования атомами галлия на электрические и люминесцентные свойства.

Задачи, решаемые в данной работе:

1. Изучение зависимости структурного совершенства и электрических параметров слоев ZnO, получаемых химическим транспортом в атмосфере водорода при давлении (1,5 – 2)105 Па, от технологических параметров роста. Установление температурной области ориентированного роста пленок, характера зависимости температурных пределов ориентированного роста от давления рабочего газа в системе и температуры источника.

2. Определение оптимальных технологических условий осаждения, обеспечивающих достаточное структурное совершенство слоев и максимальную дрейфовую подвижность носителей заряда.

3. Исследование температурных зависимостей концентрации и подвижности электронов в слоях оксида цинка для оценки энергии ионизации доноров, установления предполагаемого механизма рассеяния носителей заряда в пленках и природы рассеивающих центров.

4. Исследование зависимости интенсивности полос люминесценции нелегированных слоев ZnO от давления водорода в системе и температур зон тигля и подложки, сравнение их с соответствующими зависимостями электрических параметров.

5. Изучение влияния послеростовой термообработки в атмосфере водорода на люминесцентные свойства слоев ZnO.

6. Изучение влияния концентрации примесных атомов галлия, вводимых в дозированном количестве в исходный материал, на структурное совершенство, электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO:Ga/(0001)Аl2O3 для оптимизации их параметров.

7. Исследование влияния различных способов возбуждения на спектры люминесценции слоев ZnO:Ga/(0001)Аl2O3.

Научная новизна. Впервые исследовано влияние температуры выдержки в водороде слоев ZnO/Al2O3, полученных методом химического переноса в замкнутом реакторе, на интенсивность зеленой люминесценции.

Экспериментально обнаружено, что растворение водорода в оксиде цинка при температурах выше 600 К необратимо, а термообработкой слоев ZnO в водороде можно существенно изменять их электрические и люминесцентные свойства.

Впервые систематически исследована зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев ZnO, осажденных методом ХТР на плоскости (0001) сапфира (Al2O3), от уровня легирования атомами галлия.

Установлено, что легирование галлием способствует активации краевой полосы катодолюминесценции и тушению видимого свечения, что связывается с изменением концентрации собственных и примесных дефектов в оксиде цинка. Проведено сравнение спектров люминесценции при различных способах возбуждения: пучком электронов; излучением ксеноновой лампы и азотного лазера.

Научная и практическая значимость работы. Результаты работы будут способствовать установлению природы центров, ответственных за видимую и УФ- люминесценции в ZnO, и механизмов электронно-дырочных переходов в этом материале. Практическая значимость работы заключается в реализации оптимальных режимов метода химического переноса для получения эпитаксиальных пленок ZnO n–типа проводимости с воспроизводимыми электрофизическими и оптическими характеристиками с целью поиска возможности создания на их основе светоизлучающих устройств видимого и ближнего УФ-диапазонов спектра и расширения материалов элементной базы коротковолновой оптоэлектроники.

Методы исследования, использованные в работе.

Для осаждения эпитаксиальных пленок ZnO на ориентирующих подложках сапфира Аl2O3 использовался метод химических транспортных реакций в замкнутой системе.

Ориентация подложек определялась рентгеновским или оптическим способами. Структурное совершенство слоев ZnO и подложек Аl2O контролировалось электронографическим методом (с помощью горизонтального электронографа), а оптическая однородность (гладкость) поверхности металлографическим методом с помощью МИИ-4 и МИММ.

Электрические параметры пленок определялись путем измерения электропроводности и эффекта Холла. ЭДС измерялась компенсационным методом с помощью потенциометра Р363-2.

Спектры люминесценции снимались с помощью оптоэлектронного спектрофотометрического комплекса на основе дифракционной решетки и ССD детектора.

Морфология поверхности слоев исследовалась в сканирующем электронном микроскопе Аspex.

Положения, выносимые на защиту:

1. Степень влияния послеростовой термообработки в водороде на свойства слоев ZnO/Al2O3, полученных методом ХТР, определяется температурным диапазоном (ТО), в частности:

а) при ТО < 600 К наблюдается рост электропроводности, обусловленный адсорбцией водорода на поверхность ZnO, и образованием донорных комплексов (О-Н);

б) при 600 < ТО < 820 К интенсивность полосы люминесценции с m 510 нм уменьшается, что связано с диффузией водорода в объем ZnO и образованием центров безызлучательной рекомбинации (Н-Vо);

в) при 820 < ТО< 980 К наблюдается рост интенсивности полосы люминесценции с m 510 нм, обусловленной выделением (диффузией) кислорода из объема ZnO и увеличением концентрации центров излучательной рекомбинации Vо+.

2. Легирование слоев ZnO/Al2O3, полученных методом ХТР, атомами галлия (до 1 ат. % Ga) приводит к уменьшению удельного сопротивления ZnO на два порядка, что обусловлено образованием дополнительных донорных центров GaZn3+.

Термообработка слоев ZnO:Ga/Al2O3 в водороде р = 1.5105 Па, Т = 550о С, t =10 мин.) приводит к дальнейшему уменьшению удельного сопротивления на один порядок.

3. Легирование слоев ZnO/Al2O3 атомами галлия способствует активации ультрафиолетовой люминесценции и гашению интенсивности видимого (m 510 нм) излучения, что обусловлено увеличением концентрации экситонов, связанных на мелких нейтральных донорах.

Достоверность экспериментальных данных обеспечивалась использованием апробированных и обоснованных физических методик и экспериментальных установок; аттестацией установок по эталонным образцам и всесторонним анализом погрешностей измерений воспроизводимостью результатов, a также согласием полученных данных с признанными положениями по исследуемым вопросам и результатами других исследователей. Обработка данных проводилась с помощью стандартных математических пакетов прикладных программ.

Апробация результатов работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: II Всероссийская научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика» (Toмск, 2009); XVI Международная научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика». (Томск, 2010); Международная заочная научно-практическая конференция «Физико-математические науки и информационные технологии: проблемы и тенденции развития» (Новосибирск, 2012); VII Всероссийская конференция «Физическая электроника» (Махачкала, 2012).

Публикации. Основное содержание диссертационной работы отражено в 11 научных работах, в том числе 4 статьи, опубликованные в изданиях, рекомендованных Перечнем ВАК.

Автор выражает благодарность профессорам Рабаданову Р.А., Рабаданову М.Х. – научным руководителям настоящей работы; доцентам Алиеву И.Ш. и Исмаилову А.М. за помощь в проведении исследований и обсуждении результатов; доценту Гираеву К.М. за помощь в исследованиях структуры образцов.

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения. Материал работы изложен на страницах, содержит 48 рисунка, 9 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 220 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность диссертационной работы, сформулированы цель и задачи исследований, обсуждается новизна и практическая значимость работы, приведены основные положения, выносимые на защиту и методы исследования, использованные в работе.

Первая глава диссертации посвящена общим характеристикам оксида цинка и литературному обзору работ по исследованию электрических и люминесцентных свойств этого соединения. Рассмотрены особенности вюрцитной структуры кристалла ZnO, типы междоузлий. Показано, что слои ионов Zn+2 и O-2 образуют полярные поверхности, которые можно рассматривать как последовательность конденсаторов с поверхностным зарядом, в результате чего внутренние межслойные электрические поля должны приводить к энергетически нестабильной ситуации в кристалле.

Подчеркивается, что такая структурная особенность является причиной стремления ZnO к нестехиометрическому составу, а именно к отклонению от стехиометрии в сторону избытка цинка в кристаллической решетке, что обусловливает наличие собственных дефектов типа междоузельных атомов цинка (Zni) или вакансий кислорода (V0), которые проявляют свойства доноров и определяют электропроводность и другие свойства ZnO.

Сегодня для получения эпитаксиальных пленок ZnO используются почти все известные в технологии методы, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. К наиболее технологичным для производства и часто используемым методам осаждения следует отнести методы магнетронного распыления и кристаллизации из газовой фазы. Однако некоторые ограничения магнетронного распыления, такие как недостаточное структурное совершенство слоев, неравномерное по площади легирование, неустойчивость электрических свойств к последующей технологической обработке, сдерживают его широкое применение. Данных недостатков лишен метод химического транспорта из газовой фазы, который позволяет получать с относительно большой скоростью (~ 5 мкм/мин) эпитаксиальные пленки оксида цинка высокого структурного совершенства с хорошо воспроизводимыми свойствами.

Рассмотрены методы легирования пленок ZnO элементами III и V групп с целью получения пленок, соответственно, п- типа и р- типа. В естественном состоянии оксид цинка имеет электронную проводимость из-за большого количества природных точечных дефектов. В качестве основных донорных примесей замещения используются элементы III группы (Al, Ga, In, Sn), поскольку они более стабильны и могут быть введены до высоких концентраций. Большие трудности в получении пленок ZnO р–типа связаны с большой концентрацией донорных дефектов, низкой растворимостью легирующих примесей и с эффектом самокомпенсации. Эта проблема все еще остается актуальной, актуальными остаются и вопросы стабильности и воспроизводимости свойств таких пленок.

Приведен обзор работ, посвященных исследованию люминесцентных свойств оксида цинка. Отмечается, что для ZnO, в отличие от других полупроводниковых материалов, характерно большое значение энергии связи экситона Eэкс., что позволяет получать интенсивное экситонное свечение при комнатной температуре и выше, т.е. подчеркивается перспективность применения этого материала в оптоэлектронике.

Обсуждается состав спектра люминесценции нелегированного ZnO, который независимо от условий выращивания, как правило, состоит из узкой краевой ультрафиолетовой полосы с максимумом в области 365 – 390 нм, и широкой примесно-дефектной полосы в зеленой области с максимумом, обычно, при 480 – 550 нм. Интенсивность и полуширина краевой полосы определяются степенью совершенства кристаллической структуры ZnO.

Полоса может включать излучение как экситонного, так и неэкситонного характера. Как правило, эта полоса у ZnO достаточно интенсивна даже при 300 К и выше, вследствие большой энергии связи экситона (~ 60 10-3 эВ).

Несмотря на большое количество опубликованных работ по изучению люминесцентных свойств ZnO, окончательно не решен вопрос и о природе центров, ответственных за зеленую полосу с m = 500 – 540 нм. Эта полоса связывается то с неконтролируемой примесью меди, то с однократно заряженными вакансиями кислорода, являющимися аналогом F-центров в щелочно-галоидных кристаллах, то с вакансиями цинка.

Таким образом, анализ работ и данных относительно природы зеленой и ультрафиолетовой полос люминесценции в ZnO показывает их достаточную противоречивость, поэтому еще предстоит окончательно выяснить механизмы их появлений.

Во второй главе описана установка для выращивания эпитаксиальных пленок оксида цинка методом химических транспортных реакций в замкнутом реакторе. Приведены методики подготовки подложек различной природы к нанесению слоев ZnO и определения совершенства их структуры и ориентации, измерения электрических и люминесцентных параметров.

Показаны преимущества метода химического переноса, к главным из которых можно отнести возможность осуществления процесса при низких температурах, что приводит к малым концентрациям дефектов (дислокаций, вакансий) и минимальному загрязнению конденсата тигельной примесью.

Используемый в данной работе метод ХТР основан на химическом переносе оксида цинка в атмосфере водорода и позволяет управлять процессом роста слоев путем изменения в системе давление рабочего газа, температуры зоны источника и подложки, разбавления водорода инертным газом или парами воды. К достоинствам этого метода также относятся достаточно высокие скорости роста и хорошая воспроизводимость результатов.

В качестве подложек использовались монокристаллические пластины Al2O3 разной ориентации, но преимущественно, базисной (0001). Степень совершенства структуры оценивалась по электронограммам и изучением морфологии поверхности пленок с помощью металлографического микроскопа МИМ-8м. Для измерения толщины слоев использовался интерференционный микроскоп МИИ–4. Оценка основных электрических параметров пленок проводилась измерением электропроводности и эффекта Холла.

электронным пучком электронографа, снимались с помощью оптоэлектронного спектрофотометрического комплекса AvaSpec. ФЛ возбуждалась ксеноновой лампой ДКСШ мощностью 150 Вт, совмещенной с монохроматором МДР-206. Для регистрации и анализа ответных фотосигналов служили монохроматор-спектрограф MS-3505 и ФЭУ-модуль, совмещенные с помощью предусилителя и двухканального АЦП с персональным компьютером.

В третьей главе представлены результаты и обсуждение экспериментальных исследований зависимости электрических и люминесцентных свойств ориентированных слоев ZnO от технологических условий осаждения и термообработок.

Установлены температурные пределы эпитаксиального роста слоев ZnO на ориентирующих плоскостях Al2O3 и оптимальные технологические параметры осаждения наиболее совершенных по электрическим и оптическим свойствам слоев. Значения критической температуры подложки ТПмин. и ТПмакс., соответственно ниже и выше которых происходит образование поликристаллических пленок, зависят от величины давления водорода в системе, величины относительного пересыщения, которое определяет скорость поступления материала на подложку, а также от ориентации и теплопроводности подложки.

Результаты исследования температурных зависимостей электрических параметров слоев ZnO свидетельствуют, что концентрация носителей заряда в слоях достигает насыщения при температурах выше 500 К, тогда как для монокристаллических образцов, легированных цинком и водородом, насыщение наблюдается уже при 300 К. Это связывается с наличием в пленках ZnO атомов нейтрального цинка, обладающих тенденцией к накоплению в местах нарушения регулярности решетки при 300 К и растворению в объеме материала при более высоких температурах.

Температурная зависимость подвижности электронов (T ) описывается степенной зависимостью ~ T, где = 0,2 – 0,8 при Т < 150 К и (0,5 – 2,3) при Т > 150 К, т.е. отличается от теоретического ( = 3/2), как и для большинства полупроводников. Такая зависимость (T ) не объясняется действием какого либо одного механизма рассеяния при данной температуре и для ее объяснения необходимо предположить параллельное действие нескольких механизмов, связанных с дефектами разной природы, каждый из которых преобладает в том или ином температурном интервале.

Обсуждаются возможные механизмы рассеяния электронов, связанные с собственными и примесными дефектами в оксиде цинка.

Исследование зависимости электрических и оптических свойств слоев ZnO от технологических параметров осаждения показало, что наиболее совершенные по кристаллической структуре слои получаются при давлении водорода в реакторе p H =1,7105 Па, температуре источника (тигля) ТТ = К и температуре в зоне подложки ТП = 880 К. О совершенстве слоев, полученных в данных условиях свидетельствуют наблюдаемые максимумы подвижности электронов и интенсивности зеленой люминесценции, а также электронографические исследования образцов.

Изучено влияние температуры послеростовой термообработки слоев ZnO/Al2O3 в водороде на интенсивность зеленой люминесценции. Характер влияния выдержки в водороде на свойства образцов (при одинаковой ее продолжительности) различно в разных температурных интервалах (рис. 1).

Как видно из рисунка, по характеру влияния температуры отжига график зависимости делится на четыре участка: 1- область постоянной интенсивности, 2 и 4 - области спада и 3- область резкого возрастания.

Спад интенсивности люминесценции с ростом температуры воздействия Н2 на втором участке (2) (Т = 550 – 820 К) приближенно описывается линейной зависимостью I / I 0 3 4 10 T (рис.1,б), на участке (3) (Т = 820 – 960 К) наблюдается довольно резкий, почти экспоненциальный рост (с энергией активации E 3,27эВ, определённой по наклону участка).

относительной интенсивности ФЛ слоев ZnO от температуры термообработки в водороде (РН2=1,810 Па, = 2 мин, Io исходных образцах): а) в координатах lg I I o f 10 T ;

б) первый (1) и второй (2) участки зависимости ( 550 К < Т < 820 К) в линейном масштабе.

Температура измерений 300 К.

интервале низких температур (300– взаимодействия водорода с ZnO сводится к адсорбции его на поверхности в виде донорных комплексов (О-Н), приводящих к увеличению проводимости, так как диффузия ионов водорода в объем ZnO ограничена большой энергией активации диффузии (~ 1 эВ). Это свойство пленочных структур ZnO можно использовать для создания детектора водорода и других электроактивных газов.

Уменьшение интенсивности люминесценции наблюдается при температурах выше 600 К, когда начинается заметная диффузия водорода в объем материала и образование безызлучательных комплексов с кислородом решетки и его вакансиями. Резкое увеличение интенсивности видимого излучения образцов, термообработанных в интервале 820–980 К, обусловлено выделением кислорода из решетки и ростом концентрации излучательных центров Vо+ в объеме, а его спад при более высоких температурах (Т > 980 К) – с преобладанием процесса выделения цинка и его накоплением в решетке.

Таким образом, отжигом в водороде можно существенно изменять электрические и оптические свойства слоев ZnO/Al2O3 и использовать их для изготовления детектора водорода, источников видимого излучения или эффективных сцинтилляторов для преобразования ионизирующего излучения в видимый свет.

В четвертой главе впервые систематически исследовано влияние уровня легирования атомами галлия на электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO, осаждаемых методом ХТР в замкнутой системе при Па. на плоскости (0001) Al2O3. Измерения удельного р H 2 =1, сопротивления слоев при 300 К (рис. 2) показали, что резкое уменьшение сопротивления от ~ 1 Омсм (нелегированный образец) до ~ 10-2 Омсм наблюдается в образцах при умеренном легировании их (до 1 ат. % Ga).

удельного сопротивления концентрации Ga до отжига (1), после отжига в воздухе (2) и в вакууме (3).

уровня легирования галлием не приводит к существенному сопротивления (кривая 1).

Отжиг на воздухе при атмосферном давлении и продолжительностью 50 мин мало изменяет величину удельного сопротивления нелегированных и легированных слоев ZnO (кривая 2), что указывает на уникальную устойчивость электрофизических свойств их к термообработке в окислительной среде, неизбежной в технологии микроэлектроники. Такая устойчивость свойств к последующей технологической обработке не характерна для пленок ZnO, полученных другими методами (например, магнетронным распылением). Последующая термообработка в водороде при давлении 1,5 атм. (550 оС, 10 мин.) приводит к уменьшению удельного сопротивления слоев, легированных до концентрации 3-6 ат. %, ещё на порядок величины (кривая 3).

Исследованы спектры катодо- и фотолюминесценции нелегированных и легированных атомами галлия до различной концентрации эпитаксиальных слоев ZnO/(0001)Al2O3, полученных в оптимальных технологических условиях. Нелегированные слои характеризуются интенсивным максимумом в видимой (зелено-голубой) области спектра (рис.3), который связывается с собственными дефектами в кристаллической решетке ZnO вакансиями кислорода Vо+/++, и слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области.

УФ полоса слабой интенсивности с двумя максимумами 375 нм и нм, которая обнаруживается в спектрах КЛ нелегированных образцов при температуре 80 К, приписывается первому и второму фононному повторениям свободного А1-LO-экситона.

Рис. 3. Спектры КЛ слоев оксида цинка при 300К: кривая 1нелегированного образца (интенсивность уменьшена 10 раз) и легированных галлием до концентраций;

6 ат. %. Ток электронного пучка 1 мкА, ускоряющее напряжение 75103 эВ, значения интенсивностей единицах (мкВт/см2)/нм.

Таблица 1. Спектральный состав КЛ слоев ZnO:Ga/Al2O3 в зависимости от концентрации Ga и соответствующие интенсивности в максимуме Из зависимостей амплитудных значений сигнала КЛ от концентрации атомов галлия ( рис.4 и табл. 1) видно, что с ростом уровня легирования слоев от 0 до 2 ат. % интенсивность зеленой полосы в максимуме уменьшается при 300 К более 70 раз, а при азотных температурах- более раз (кривые 3,4).

Рис.4. Зависимости амплитуды интенсивности УФ (1,2) и зеленой (3,4) ZnO:Ga/(0001)Al2О3 от концентрации галлия СGa в пленке при 80 К (1,3) и К (2,4).

Можно полагать, что интенсивности видимой преобладание концентрации атомов галлия (которые могут как замещать атомы цинка, так и располагаться в междоузлиях) над собственными дефектами – вакансиями кислорода. Увеличение равновесной концентрации электронов в зоне проводимости вследствие легирования, видимо, приводит к переходу некоторой части заряженных вакансий кислорода Vо+/++ в нейтральное состояние Vох, а, следовательно, к уменьшению выхода ЗЛ. При концентрации СGa = 1 ат. % появляется заметная УФ полоса и при комнатной температуре ( кривая 2 на рис.3; m = 388,98 нм), которая отсутствовала в нелегированных образцах и которая может быть обусловлена аннигиляцией экситонов, связанных с донорами - атомами галлия (D0X). Такое допущение позволяет объяснить более десятикратное увеличение амплитуды коротковолновой полосы, наблюдаемое в наших образцах (при 300 и 80 К) с ростом уровня легирования в интервале (1–6) ат. % (рис. 4, кривые 1,2 и табл.1), увеличением концентрации доноров.

Таким образом, в образцах, легированных галлием до 6 ат.%, наблюдается узкая полоса краевой люминесценции при комнатной температуре и почти полностью подавлена видимая полоса, что свидетельствует о резком уменьшении концентрации вакансий кислорода в объеме. Легирование галлием приводит к переключению интенсивности катодолюминесценции с зелено-голубой области на ультрафиолетовую.

Для исследования влияния типа источника возбуждения на люминесценцию слоев использовались два способа фотовозбуждения:

1- ксеноновой лампой ДКСШ мощностью 150 Вт, совмещенной с монохроматором МДР-206, служащим для выделения длины волны возбуждающего излучения ( = 295 нм) и 2- импульсным азотным лазером ЛГИ 503 с длиной волны излучения 337,1 нм.

Спектры люминесцентного излучения нелегированных слоев ZnO/(0001)Аl2O3, полученных нами в оптимальных технологических условиях, при разных способах их возбуждения при комнатной температуре приведены на рис. 5, а спектры легированных до 6 ат. % Ga слоев – на рис.6.

Смещение максимума видимой полосы ФЛ нелегированного слоя ( нм; 2,51эВ) при 300 К в синюю область на 7010-3 эВ по отношению к максимуму КЛ (508 нм; 2,44 эВ) (рис.5), связывается с разными условиями для формирования центров свечения на поверхности (ФЛ) и в объеме (КЛ) слоя. Существенные изменения интенсивности свечения нелегированного слоя при охлаждении от 300 до 80 К в случае возбуждения фотонами (ФЛ) (зеленого – в 15 раз; УФ- излучения в 155 раз) по сравнению с изменениями при возбуждении электронами (КЛ) (около двух раз), объясняются тем, что концентрация дефектов, образующих глубокие уровни и ответственных за температурное тушение люминесценции, на поверхности слоя больше, чем в объеме.

Рис.5. Спектральное распределение интенсивности излучения нелегированного слоя ZnO/Al2O3 при различных способах возбуждения: 1электронным пучком (КЛ); - линией 295 нм ксеноновой лампы (ФЛ); 3 - импульсами азотного лазера (=337,1 нм) (ФЛ). На вставках – УФобласть спектра, выделенная увеличенном виде).

Рис. 6. Спектральное распределение интенсивности излучения легированного ( до 6 ат. % Ga ) слоя ZnO/Al2O3 при возбуждения: электронным пучком(КЛ), линией 295 нм ксеноновой лампы (ФЛ) и лазера( = 337,1 нм) (ФЛ). На вставке – видимая область спектра, выделенная увеличенном виде. T = 300 К.

Относительно слабую интенсивность УФ-полосы при низком уровне легирования донорами Ga можно объяснить наличием канала безызлучательной рекомбинации через уровни глубоких ловушек, которыми могут служить собственные дефекты ZnO. В отличие от случаев легирования ZnO другими атомами III группы, рост концентрации атомов Ga не сопровождается одновременным ростом концентрации глубоких центров безызлучательной рекомбинации, о чем свидетельствует рост интенсивности УФ- полосы с легированием.

интенсивности зеленой (а) и ультрафиолетовой (б) полос фотолюминесценции слоев концентрации галлия СGa в пленке при 300 К (1) и 80 К (2).

Из зависимости положения пика зеленой ФЛ наших слоев от концентрации атомов Ga (рис. 7, а) видно, что при малых концентрациях (до 3%) пик смещается от 493 до 485 нм в коротковолновую сторону величину ~ 4010 эВ), затем, при наблюдается смещение в красную область (кривая 1). При 80К наблюдается при еще меньших концентрациях (до 1 %), затем пик смещается в красную область ( кривая 2 ).

Можно предположить, что изменения положения максимума зеленой полосы, обусловлены изменением локального окружения центров свечения (вакансий кислорода Vо+/++) в связи с введением ионов галлия в решетку ZnO.

Красное смещение УФ - полосы с ростом уровня легирования атомами Ga (рис.7, б) указывает на размытие уровня мелкой примеси в энергетическую полосу (или зону) и связанное с этим уменьшение энергетического расстояния до валентной зоны. За уширение УФ - полосы с легированием может отвечать механизм флуктуаций потенциала кристаллической решетки.

Спектр ФЛ при возбуждении нелегированного слоя ZnO/Al2O3 азотным лазером при 300 К (кривая 3 на рис. 5) отличается от спектров при возбуждении электронным пучком и излучением ксеноновой лампы противоположным распределением интенсивности люминесценции между максимумами. Он состоит из интенсивной УФ полосы с максимумом при m = 378,4 нм (Еm = 3,277эВ), полушириной 0.5 = 14,72 нм (Еm = 0,126 эВ) и слабой (значение интенсивности в максимуме меньше в ~10 раз) широкой (0.5 = 99 нм (Еm = 0,486 эВ) видимой полосы с максимумом около m = 499,6 нм (Еm = 2,48 эВ), т.е. эффективность возбуждения люминесценции в УФ области выше, чем в видимой. Такое перераспределение интенсивности излучения между полосами можно объяснить увеличением внутреннего квантового выхода in для краевой (собственной) люминесценции из-за высокого уровня возбуждения в случае азотного лазера. При этом время жизни неравновесных носителей заряда относительно глубоких центров возрастает (уменьшается вероятность рекомбинации через глубокие уровни) из-за насыщения примесных рекомбинационных каналов.

Рисунок 6 демонстрирует, что легирование галлием до 6 ат.% приводит к уменьшению интенсивности зеленой полосы при всех трех видах возбуждения, использованных нами и переключению свечения на УФ область.

В заключении приводятся основные результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы:

1. Изучено влияние условий осаждения слоев ZnO, полученных методом ХТР в замкнутом реакторе при давлениях рабочего газа (водорода) (1,5–2)105 Па на кристаллическую структуру, электрические и люминесцентные свойства. Установлены температурные пределы эпитаксиального роста на ориентирующих плоскостях Al2O3 и оптимальные технологические параметры осаждения наиболее совершенных по электрическим и оптическим свойствам слоев.

2. Путем исследования температурных зависимостей концентрации и подвижности электронов в слоях ZnO/Al2O3 установлено, что концентрация носителей заряда в них достигает насыщения при температурах выше 500 К.

Для объяснения температурной зависимости подвижности электронов предполагается параллельное действие нескольких механизмов рассеяния электронов, связанных с дефектами разной физико-химической природы. Два линейных участка низкотемпературный (при Т= 80 –150 К) с энергией активации Е = 0,012 – 0,08 эВ и высокотемпературный (при Т = 200 –500 К) с энергией активации Е = 0,14 – 0,50 эВ соответствуют энергии ионизации соответственно мелких (Zni+, VO+) и более глубоких (Zni++ ) доноров.

3. Впервые исследовано влияние температуры термообработки слоев ZnO/Al2O3 в водороде, полученных методом ХТР при р H = 1,7105 Па на интенсивность зеленой люминесценции. Показано, что термообработкой в водороде можно существенно изменять электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO.

4. Впервые систематически исследована зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев ZnO, осажденных методом ХТР в замкнутой системе при р H = 1,7105 Па на плоскости (0001) сапфира (Al2O3), от уровня легирования атомами галлия. Обнаружено, что резкое уменьшение удельного сопротивления от значения ~1 Омсм (нелегированный образец) до ~ 10- Омсм при 300 К, наблюдается в слоях при умеренном легировании их (до ат. % Ga) и обусловлено ростом концентрации мелких доноров.

Термообработка в водороде при давлении 1,5 105 Па (550 оС, 10 мин.) приводит к уменьшению удельного сопротивления слоев, легированных до концентрации 3–6 ат.% на порядок величины.

5. КЛ нелегированных эпитаксиальных пленок ZnO/(0001)Al2O3, полученных в оптимальных технологических условиях, характеризуется интенсивным пиком в видимой (зелено-голубой) области спектра (m = нм), обусловленным вакансиями кислорода в кристаллической решетке ZnO и пренебрежимо слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области. УФ полоса слабой интенсивности с двумя максимумами – 375 нм и 384 нм, которая обнаруживается в нелегированных образцах при 80 К, приписывается первому и второму фононному повторениям свободного А1-LO-экситона. Увеличение интенсивности УФ полосы с легированием можно объяснить ростом концентрации экситонов, связанных с донорными атомами галлия (D0X).

6. Обнаружено, что в образцах, легированных галлием до 6 ат.%, наблюдается узкая ( = 21 нм (Е =17710-3 эВ) полоса краевой (фиолетовой) (m = 397 нм (Еm= 3,13 эВ) КЛ при комнатной температуре и почти полностью подавлена видимая полоса, что свидетельствует о резком уменьшении концентрации вакансий кислорода в объеме. Легирование галлием приводит к перемещению максимума интенсивности КЛ из зеленоголубой области в фиолетовую. При этом интенсивность зеленой полосы в максимуме уменьшается при 300 К более, чем в 70 раз, а при азотных температурах – более, чем в 180 раз. При охлаждении легированного образца до 80 К краевой максимум смещается в УФ-область (m= нм, Еm = 3,28 эВ) и сужается до =18 нм (Е= 15010-3 эВ).

7. Спектр ФЛ (возбуждение монохроматическим ( = 295 нм) излучением ксеноновой лампы) нелегированного слоя ZnO/Al2O характеризуется относительно интенсивной и широкой полосой свечения в зелено-голубой области (m = 493 нм) и слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области (m = 375 нм) при комнатной температуре.

Максимум видимой полосы ФЛ (493 нм, 2,51 эВ) при 300 К смещен в синюю область по отношению к максимуму КЛ (508 нм, 2,44 эВ) на 7010-3 эВ, что можно связать с разными условиями для формирования центров свечения на поверхности (ФЛ) и в объеме (КЛ) слоя. Изменения интенсивности свечения нелегированного слоя при охлаждении от 300 до 80 К в случае возбуждения фотонами (ФЛ) значительно больше (зеленой – в 15 раз, УФ – в 155 раз) по сравнению с изменениями их при возбуждении электронами (КЛ) (около двух раз), что можно объяснить тем, что концентрация дефектов, образующих глубокие уровни и ответственных за температурное тушение люминесценции, на поверхности слоя больше, чем в объеме.

8 Спектра ФЛ при возбуждении нелегированного слоя ZnO/Al2O излучением лазера отличается от спектров при возбуждении другими источниками противоположным распределением интенсивности между видимой и УФ- полосами, которое можно объяснить насыщением рекомбинационных каналов через глубокие центры из-за высокого уровня возбуждения и увеличением внутреннего квантового выхода in для краевой люминесценции.

9. С ростом концентрации атомов галлия в слоях ZnO:Ga/Al2O3, осажденных методом ХТР в замкнутой системе, происходят следующие изменения в спектрах люминесценции:

- интенсивность зеленой полосы люминесценции уменьшается, а ультрафиолетовой – растет;

- происходит смещение максимумов видимой и УФ- полос в длинноволновую сторону и рост их полуширины.

Таким образом, в ходе выполнения данной диссертационной работы показано, что изменением технологических условий осаждения слоев ZnO, условий их последующих термообработок и уровня легирования атомами Ga, можно управлять их электрическими и люминесцентными свойствами. На основе пленочных структур ZnO/диэлектрик можно создавать детекторы водорода и других электроактивных газов, источники света в зелено-голубой и ультрафиолетовой областях спектра.

Основные публикации автора по теме диссертации Статьи в научных изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

1. Аль-Обайди, Н.Дж. Катодолюминестенция эпитаксиальных пленок ZnO, полученных методом химического транспорта / Н.Дж. АльОбайди, Р.А. Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов, К.М. Гираев // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. 2012. № 6. С.5457.

2. Аль-Обайди, Н.Дж. Люминесценция эпитаксиальных слоев ZnO:Ga / Н.Дж. Аль-Обайди // Известия ДГПУ. Естественные и точные науки. 2012. №2(19). С.59.

3. Рабаданов, М.Х. Влияние водорода на электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка / М.Х. Рабаданов, Н.Дж. АльАбайди, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // Естеств. и техн. Науки.-М.:

изд."Спутник+". 2012. №2(58). С.5255.

4. Аль-Обайди, Н.Дж. Влияние условий синтеза на электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка / Н.Дж. Аль-Абайди, Р.А.

Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // Вестник ДГУ, Естественные науки. 2012. Вып.1. С.2227.

Публикации в других изданиях 5. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость совершенство структуры оксида цинка от условий его синтеза / Н.Дж. Аль-Обайди, Р.А. Рабаданов // II Всероссийская научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика». Toмск: Томский полетехнический университет. 2009. С.225227.

6. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимостьи интенсивности катодолюминесценции оксида цинка от ускоряющего напряжения / Н.Дж. АльОбайди, С.А. Алтухели // Труды молодых ученых. Махачкала:

Дагестанский государственный университет, 2010. С.3335.

7. Алтухели С.А. Зависимость проводимости пленок оксида цинка от условий получения методом ионного распыления / С.А. Алтухели, Н.Дж.

Аль-Обайди // Труды молодых ученых. Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2010. С.3538.

8. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость интенсивности катодолюминесценции монокристаллического оксида цинка от энергии и плотности электронного пучка / Н.Дж. Аль-Обайди, И.М. Шапиев // Сборник трудов XVI Международной научно-практической конференции «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика». Томск. 2010. С.301302.

9. Аль-Обайди, Н. Дж. Влияние условий осождения на структуру и электрические свойства пленок оксида цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, Р.А.

Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // Материалы международной заочной научно-практической конференции «Физико-математические науки и информационные технологии: проблемы и тенденции развития». Новосибирск. 2012. С.137142.

10. Аль-Обайди, Н.Дж. Активация собственной полосы фотолюминесценции в оксиде цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, М.Х. Рабаданов, И.Ш.

Алиев, А.М. Исмаилов // В сб.: Материалы VII Всероссийской конференции «Физическая электроника». Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2012. С.4346.

11. Аль-Обайди, Н. Дж. Электрические и катодолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев ZnO, легированных галлием / Н.Дж. АльОбайди, М.Х. Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // В сб.: Материалы VII Всероссийской конференции «Физическая электроника». Махачкала:

Дагестанский государственный университет, 2012. С.3539.

Подписано в печать 27.11.12. Бумага офсетная.

Печать офестная. Формат 60*84 1/16. Усл. печ.л-1,25.

_ Отпечатано в Типографии,,Радуга-1,, г. Махачкала, ул. Коркмасова 11,,а,,















Похожие работы:

«АНТИПИНА ОКСАНА ВИКТОРОВНА ИННОВАЦИОННО-ИНВЕСТИЦИОННОЕ РАЗВИТИЕ ТЕРРИТОРИЙ В СИСТЕМЕ МУНИЦИПАЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ Специальность: 08.00.05 – Экономика и управление народным хозяйством (управление инновациями) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Иркутск – 2011     Раб бота выпо олнена на кафедре экономи а е ической т теории и финансов ФГБОУ в У ВПО Ир ркутский государс й ственный техничес ский унив верситет Научны руково ый одитель:...»

«Чалов Владимир Александрович ПРОТИВОТОЧНЫЙ ЦИКЛОН С НАПРАВЛЯЮЩИМ УСТРОЙСТВОМ ВЫХОДНОГО ПАТРУБКА 05.02.13 – Машины, агрегаты и процессы (строительство) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Белгород 2012 2 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова Научный руководитель : доктор...»

«БУДЫЛЕВ СЕРГЕЙ АНАТОЛЬЕВИЧ ОСОБЕННОСТИ КОМОРБИДНОГО СТАТУСА У ПАЦИЕНТОВ С ХРОНИЧЕСКОЙ ПОЧЕЧНОЙ НЕДОСТАТОЧНОСТЬЮ 14.01.23 – Урология 14.01.04 – Внутренние болезни АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата медицинских наук Москва – 2012 Работа выполнена в Государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московском государственном медико-стоматологическом университете Минздравсоцразвития РФ (ГБОУ ВПО МГМСУ...»

«ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность Демонстрация первого волоконного лазера на ионах Nd3+ в 1961 году открыло новую веху в истории развития оптических квантовых генераторов. Однако широкий интерес к волоконным лазерам и усилителям возник лишь в конце 80х – начале 90х годов 20 столетия, когда появились мощные полупроводниковые источники накачки. Интенсивное развитие этого направления в течение вот уже почти 20 лет обусловлено теми преимуществами, которые отличают волоконные лазеры от всех...»

«             µ    µ              µ    min R:(R)=0, Mpc = 1/...»

«Гапонова Надежда Ильинична Совершенствование системы оказания скорой медицинской помощи больным с гипертоническими кризами на догоспитальном этапе 14.01.05 – Кардиология (мед. наук и) 14.02.03 – Общественное здоровье и здравоохранение (мед. науки) Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора медицинских наук Москва – 2012 Работа выполнена в Государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский государственный...»

«Усмонов Рустам Ахмаджонович ЛИНГВОКУЛЬТУРОЛОГИЧЕСКАЯ СПЕЦИФИКА ТЕКСТОВ ПУБЛИЧНЫХ ВЫСТУПЛЕНИЙ В СОВРЕМЕННОМ РУССКОМ ПОЛИТИЧЕСКОМ ДИСКУРСЕ (на материале выступлений должностных лиц Таджикистана) Специальность 10.02.01 – русский язык АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени доктора филологических наук Москва – 2012 1 Работа выполнена на кафедре русского языка и методики его преподавания филологического факультета РУДН Научный консультант : академик РАЕН, доктор...»

«ГОРИНА Лариса Михайловна ФОРМИРОВАНИЕ КОМПЛЕКСА ИНОЯЗЫЧНЫХ УМЕНИЙ И НАВЫКОВ В ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ КОМПЕТЕНТНОСТИ СТУДЕНТОВ-ПРОГРАММИСТОВ 13.00.08 – Теория и методика профессионального образования АВТОРЕФЕРАТ Диссертации на соискание ученой степени кандидата педагогических наук Научный руководитель : доктор педагогических наук, профессор А.Т. Глазунов Москва 2012 Работа выполнена в Центре профессионального развития и подготовки кадров Федерального государственного автономного...»

«ЛЕВЧЕНКО АЛЕКСЕЙ ОЛЕГОВИЧ ФЛЮОРЕСЦЕНЦИЯ И НЕСТАЦИОНАРНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ВО ФТОРСОДЕРЖАЩИХ ЭКСИМЕРНЫХ ЛАЗЕРНЫХ СМЕСЯХ ПРИ НАКАЧКЕ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ Специальность 01.04.21 – лазерная физика ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель : кандидат физико-математических наук Зворыкин В.Д. Москва – Работа выполнена в...»

«НГУЕН НГОК ХОА ПЛОСКИЕ НЕСТАЦИОНАРНЫЕ КОНТАКТНЫЕ ЗАДАЧИ ДЛЯ УПРУГО-ПОРИСТЫХ СРЕД 01.02.04 – Механика деформируемого твердого тела АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва – 2012 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) доктор физико-математических наук, профессор,...»

«НИКИФОРОВА АННА ПЛАТОНОВНА РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ВАРЕНО-КОПЧЕНЫХ ПРОДУКТОВ ИЗ ГОВЯДИНЫ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОПИОНОВОКИСЛЫХ БАКТЕРИЙ Специальность: 05.18.04 – Технология мясных, молочных и рыбных продуктов и холодильных производств АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Улан-Удэ – 2012 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления (ВСГУТУ) Научный руководитель : доктор технических наук,...»

«621.039.526 УДК ЖУКОВ АЛЕКСАНДР МАКСИМОВИЧ МИНИМИЗАЦИЯ ВЛИЯНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ЭФФЕКТОВ НА ИЗМЕРЕНИЯ РЕАКТИВНОСТИ В БЫСТРЫХ РЕАКТОРАХ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ 05.14.03 – Ядерные энергетические установки, включая проектирование, эксплуатацию и вывод из эксплуатации АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Обнинск-2012 Работа выполнена в Федеральном государственном унитарном предприятии Государственный научный центр Российской Федерации –...»

«Ра, а а На аа Ф Е. А. С а а а а а а а Б, а : Ма а М. а.- а...(, 2007). – Е а : ИД У ГЮА, 2008. С. 324 – 327. – 0,3.. Ф Е. А. П а Р ФИЛИМОНОВ а // С а - аЕ А а а. Ма а III М а. а.- а.. (18 а 2008). Ч. 1. Е а : И - УИЭУ П, 2008. – 0,2.. Ф Е. А. С а а - а аа - НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОГРЕСС аР а а а // С. а.. а.- а.. На - –, В АГРАРНОЙ СФЕРЕ В КОНТЕКСТЕ РАЗВИТИЯ а аа ( 2008.). – М. МГСУ, 2008, С. 332 – 333. – 0,3.. Ф Е. А. Э а а ГЕННО-ИНЖЕНЕРНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ а а // С а...»

«Тильзо Вадим Викторович Совершенствование процесса производства фрикционных накладок применением СВЧ диэлектрического нагрева непосредственно в пресс-форме Специальность 05.17.08 – Процессы и аппараты химических технологий Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Бийск – 2012 Работа выполнена в Бийском технологическом институте (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального...»

«Греков Денис Александрович ОБЩЕСТВЕННО-ЧАСТНОЕ ПАРТНЕРСТВО – СТРАТЕГИЧЕСКИЙ РЕСУРС РАЗВИТИЯ ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ОСНОВЫ МЕСТНОГО САМОУПРАВЛЕНИЯ Специальность: 08.00.05 – Экономика и управление народным хозяйством (региональная экономика) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Воронеж – 2012 2 Диссертационная работа выполнена на кафедре региональной экономики и территориального управления Федерального государственного бюджетного...»

«Мельник Алексей Юрьевич Профессиональная и социальная адаптация молодежи в условиях современного рынка труда Специальность 08.00.05 – экономика и управление народным хозяйством (экономика труда) Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Москва - 2012 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении Научно-исследовательский институт труда и социального страхования Министерства здравоохранения и социального развития...»

«ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность проблемы. Изучение особенностей течений жидкости со свободными границами является очень актуальной задачей, поскольку такого рода течения встречаются повсеместно. Достаточно привести в качестве примеров такие сложные физические процессы, как накат волны на наклонный берег, взаимодействие волн с береговыми и донными сооружениями, погруженными в жидкость телами: задачи глиссирования, посадки гидросамолетов на поверхность водоемов и т. д. Практический...»

«Метелева Елена Растиславна ФОРМИРОВАНИЕ КРУПНЫХ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ СОЦИАЛЬНОЭКОНОМИЧЕСКИХ СИСТЕМ В СИБИРСКОМ РЕГИОНЕ Специальность 08.00.05 — Экономика и управление народным хозяйством (региональная экономика) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора экономических наук Иркутск 2012 Диссертация выполнена на кафедре Экономика и государственное управление федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования...»

«05.12.14 – - – 2012 -. ( ) :, :,,,. (. ),,, -.. (. ) – - 12 2012 _ 212.238. -.. ( ) : 197376, -,.., 5. -. ( ). _ 2012... - ( )..,, ( ) ( )., -.,,.,,,.,,,, -. ( ), ( ),. : 1. -. 2.. 3....»

«КАУРОВ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ ТЕПЛООТДАЧА В ПОЛУСФЕРИЧЕСКИХ ВЫЕМКАХ, ОБТЕКАЕМЫХ ПУЛЬСИРУЮЩИМ ТУРБУЛЕНТНЫМ ПОТОКОМ Специальность: 01.04.14 – Теплофизика и теоретическая теплотехника; 05.07.05. – Тепловые, электроракетные двигатели и энергоустановки летательных аппаратов АВТОРЕФЕРАТ на соискание ученой степени кандидата технических наук Казань 2012 2 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н.Туполева-КАИ (КГТУ им....»

 
2013 www.netess.ru - «Бесплатная библиотека авторефератов кандидатских и докторских диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.