Вертикальный электронный транспорт в слоистых полупроводниковых структурах

На правах рукописи

Пупышева Ольга Владимировна ВЕРТИКАЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ 01.04.09 – физика низких температур

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва – 2003

Работа выполнена на кафедре физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова.

доктор физико-математических наук, профессор

Научный консультант:

А.В. Дмитриев доктор физико-математических наук, профессор

Официальные оппоненты:

И.П. Звягин доктор физико-математических наук С.Д. Бенеславский Владимирский государственный университет,

Ведущая организация:

г. Владимир

Защита состоится " 4 " декабря 2003 года в 16 00 часов на заседании Диссертационного Совета Д 501.001.70 в МГУ им. М.В. Ломоносова по адресу:

119992, г. Москва, Ленинские горы, МГУ, физический факультет, криогенный корпус, аудитория 2-05а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова.

Автореферат разослан " " ноября 2003 г.

Ученый секретарь Диссертационного Совета Д 501.001. доктор физико-математических наук, профессор Г.С. Плотников µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ.

µ µ V /e 90 µ t µ I t µ µ t µ t t(E) V µ µ Ei, (V ) Ei, eV ai /L, ai i 90 mV 80 mV 70 mV 60 mV 50 mV 40 mV - lg (I, A/cm 2 ) lg(t) E, meV 30 mV - 20 mV - 10 mV V=0 - 0 10 20 30 40 50 60 70 80 V, mV 0 20 40 60 80 E, meV µ µ µ µ Ei, L i Ei, I(V ) µµ t(E) µ V V 14 µ V I(V ) d u b U 90 mV 80 mV 70 mV 60 mV 50 mV - 40 mV lg (I, A/cm 2 ) lg(t) E, meV 30 mV - 20 mV - 10 mV - V=0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 V, mV 0 20 40 60 80 E, meV /d = 0.33µ µ µ µ µ t d = 10c b = 2c d = 8c d = 6c b = 1c d = 4c lg(t) lg(t) d = 2c d = 12c b = 3c 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 E, meV E, meV µ µ µµ µ i Ei, Ej, µ i 0 j j ai aj V 9 I(V ) µµ d = 10c b = 2c d = 8c d = 6c lg(I) lg(I) b = 1c d = 4c d = 2c d = 12c b = 3c 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 10 20 30 40 50 60 70 80 V, mV V, mV µ µ ui Di i i µ Di Di1 = 4e(Si0 Si ), Si Si i µ · N. µ Si = i= µ I = Pi Si Ri Si+1, Pi Ri ui = ui ui+ Pi ui µ µ Si ui I V µ µ Ri Pi Si SN 0 Pi Ri ui Pi (ui) Ri (ui) Wi,;

i+1, Wi,;

i+1, E = ± Wi,;

i+1, E u E w(E) w(E) Pi (ui) µ µ N I(V ) r I V V + rI Ri Si+1 Pi Si µ Pi Si I ui i (i + 1) ui V (ui) I(ui) i »» »» »» o »» »» »» »» »» » »» »» »» »» »» »»