авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ  БИБЛИОТЕКА

АВТОРЕФЕРАТЫ КАНДИДАТСКИХ, ДОКТОРСКИХ ДИССЕРТАЦИЙ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 ||

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБО ЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ На правах рукописи ...»

-- [ Страница 2 ] --

Механические свойства лепестка, такие как жесткость и резонансная частота, задаются геометрией и размерами. Из проволоки диаметром 0,2 мм удается вытравить довольно плоский, зеркально гладкий лепесток толщиной вплоть до 5 мкм, шириной 50-100 мкм и длиной до 5 мм. В диапазоне этих размеров жесткость такой пружины можно варьировать от 0,1 до 100 Н/м, т.е. во всем диапазоне работы SРМ методов. Резонансные частоты при этом лежат в области от 5 до 50 кГц.

Собственно зонд-игла вытравливается из предварительно согнутого [50]. Возможность лепестка, так как это описано в работе электрохимически вытравить плоскую пружинку из W проволоки основана на следующих особенностях этого процесса. Сам факт перетрава W прволоки, вертикально опущенной в раствор NаОН, Рисунок РЭМ фотография вольфрамовой проволоки с кантилевером изготовленным электрохимическим травлением.

Рисунок Другая проекция проволоки с вольфрамовым кантилевером.

говорит о существенной неоднородности скорости травления по длине погруженной части. Скорость травления почти нулевая на самой поверхности электролита, что связано с ограничением по скорости диффузии в область реакции. До глубины погружения порядка 0,5 мм скорость травления возрастает, а затем опять падает. Уменьшение скорости реакции опять-таки связано с диффузионным ограничением, которое возникает не из-за близости поверхности раздела электролит-воздух, а из-за экранировки нижней части продуктами реакции. Эта экранировка возникает потому, что H 2 WО 4 имеет плотность, существенно превышающую плотность раствора. Положение точки максимальной скорости реакции, то есть точки перетрава, можно варьировать, меняя напряжение на аноде. Следовательно, цилиндрическая проволока W, помещенная горизонтально в раствор NаОН близко к поверхности раздела с воздухом, будет травиться с боковых сторон быстрее, чем сверху и снизу.

Чтобы получить максимальную анизотропию, мы экспериментально подобрали глубину погружения и напряжение травления. Глубина погружения оказалась “отрицательной”, то есть необходимо, чтобы проволока помещалась в мениск, образовавшийся из-за смачивания W электролитом. Оптимальное напряжение близко к +4У. Чтобы травление происходило в заданном месте проволоки, вся остальная часть W, которая соприкасается с электролитом, предварительно покрывается цветным лаком для ногтей. Его затем легко смыть в ацетоне или в горячей щелочи. При таком способе травления удается надежно получать "плоские" пружинки толщиной 5-10 мкм, шириной 50-100 мкм и длиной от 0.5 до 5 мм, ограниченные с двух сторон цилиндрической частью проволоки.

Способов изготовить из такой пружинки лепесток-сенсор можно Сначала придумать несколько. Мы остановились на следующем.

оттравливается почти вся цилиндрическая часть на свободном конце заготовки. Оставляется ~ 0,3 мм на конце, чтобы обеспечить достаточную для работы автоматики силу тока при изготовлении иглы. Затем лепесток вертикально опускается в электролит таким образом, чтобы над поверхностью осталась часть пружинки заданной длины, и травится, пока ширина пружинки в узком месте не станет вдвое меньше. Заготовка вынимается из раствора и пружина загибается. Место изгиба будет в самом тонком месте, и именно в этом месте получится в дальнейшем игла. Загнув утоненную часть пружинки под углом, близким к л/2, опускаем эту часть в раствор и вытравливаем иглу под контролем автоматики. Поменяв электролит на Na 2 SO 3, проводим очистку иглы от окисла backpolishing процессом, как описано ранее.

Другой важной характеристикой сенсора является жесткость к.

Используя оптический микроскоп, можно оценить габариты изготовленной плоской пружины. Исходя из ширины и толщины исходной пружинки перед изготовлением иглы вычисляется длина сенсора для обеспечения требуемой жесткости:

где Е=4-1011 н/м2 - модуль Юнга для W, b - ширина лепестка, а - толщина лепестка, к - требуемая жесткость. На расстоянии l от основания сенсора изготавливается игла. Действительное значение жесткости кантилевера может быть получено из измерения резонансной частоты. Для этого кантилевер помещали в цилиндрический держатель на конце пьезокерамической трубки и подавали на неё синусоидальное напряжение от генератора, чтобы колебания были ортогональны плоскости кантилевера.

Меняя частоту генератора и наблюдая в оптический микроскоп за амплитудой колебания лепестка, определяли его резонансную частоту.

Затем вычисляли к, исключая самый неопределенный параметр - толщину:

k=2b (lf)3 3/2 E-1/ здесь =19.103 кг/м3 - плотность W. Изготовленные таким образом сенсоры имеют добротность на воздухе порядка 102.

Для демонстрации работоспособности W кантилеверов исследовалась поверхность термически напыленного на кремниевую подложку золота в режиме туннельного микроскопа, то есть между иглой и поверхностью поддерживался постоянным туннельный ток I ~ 1 nА, при напряжении на образце V~0.03V. Одновременно с помощью оптоволоконного интерферометра измеряли изгибы лепестка. Результаты измерений показаны на рис 36,-37 Второй из приведенных рисунков показывает карту тангенциальных сил действующих на иглу туннельного микроскопа при сканировании развитого рельефа.

Рисунок Изображение поверхности золотой пленки полученное в режиме постоянного туннельного тока.

Рисунок Карта сил действующих на иглу в процессе получения изображения рис 36.

В дальнейших исследованиях мы широко использовали подобные W кантилеверы и убедились, что они хорошо подходят для использования в приборах, совмещающих в себе SТМ и АFМ Метод точечных контактов в AFM.

Непрерывное развитие методов и техники STM и AFM микроскопии совершенно логично предопределило возникновение ряда новых способов исследования поверхности, то, что в современной научной литературе объединено под одним названием SPM микроскопия.

Главным в любом методе, конечно же, является чувствительный элемент – зонд, с помощью которого измеряют то или иное свойство поверхности. Современные зондовые микроскопы используют проводящие иглы для измерения проводимости, плотности электронных состояний (STM), механические зонды для измерения рельефа или жесткости поверхности, магнитные зонды (MFM), оптические (NSOM), термопарные и т.д. Объединяет все эти методы то, что в каждую точку поверхности необходимо поместить тот или иной зонд, провести измерение, а затем перейти к следующей точке. При этом важно как можно точнее знать координаты точек, в которых производятся измерения, и обеспечить сохранность зонда, т.е. избежать его разрушения и загрязнения.

В зондовой микроскопии для решения этих задач используют пьезоэлементы различных видов для прецизионного сканирования поверхности и широкий спектр модуляционных методик, позволяющих достаточно хорошо избежать вязкого трения при движении зонда над поверхностью. Однако при этом приходится жертвовать разрешением, так как зонд движется достаточно высоко над поверхностью.и жестких. На самом деле при работе любого SPM микроскопа нет никакой необходимости все время поддерживать зонд в контакте с поверхностью.

Более надежным был бы метод, когда зонд подводится к поверхности - при этом контролируются силы взаимодействия, чтобы избежать разрушения зонда, проводятся необходимые измерения и зонд удаляется от поверхности в область, где нет взаимодействия, а затем переводится в следующую точку измерения. По существу, такое сканирование напоминает работу швейной машинки.

В этой главе я хочу продемонстрировать результаты, полученные таким методом сканирования различных поверхностей и показать возможности, которые открывает метод точечных контактов при одновременном измерении нескольких свойств поверхности.

Описание метода.

При работе мы использовали самодельные приборы AFM с различными оптическими схемами контроля изгиба кантилевера. В одном приборе использовался оптоволоконный интерферометр, в другом – схема регистрации смещения отраженного луча света (beam deflection). В качестве зондов использовались иглы на конце прямоугольной кремниевой консоли - кантилевера и самодельного прямоугольного кантилевера, изготовленного электрохимическим травлением из вольфрамовой проволоки диаметром 0,2 мм. Использование самодельного кантилевера связано с тем, что мы всегда можем получить требуемую жесткость, а главное, с тем, что из вольфрама удается получать проводящие иглы с радиусом на конце до 1нм.

Для объяснения принципа работы наших приборов следует рассмотреть поведение зонда-иглы на упругой консоли вблизи исследуемой поверхности. На рис.38а показана типичная зависимость силы, действующей на иглу, от расстояния до поверхности.

Рассмотрим простейший случай чистой жесткой поверхности. Пусть жесткость консоли к меньше, чем максимум функции F/z;

и к = F/x, где x - отклонение конца консоли с иглой от равновесного положения под действием силы F. Если держатель консоли расположить в точке z 1, то под действием сил притяжения консоль изогнется, игла будет находиться в точке z 2 - пересечение кривой F(z) и прямой из точки z 1, с наклоном tg =к, где выполняется условие равенства сил F(z 1 ) = к x(z 1 ), где x(z 1 ) = (z 2 –z 1 ).

Построим качественную зависимость функции x (z) от положения держателя (рис.38б) при уменьшении z. В точке А такой, что F/z =к при соблюдении равенства сил нарушаются условия устойчивого равновесия, так как слева от нее F/z к, поэтому игла вынужденно перейдет в точку А 1. На зависимости x(z) мы получим разрыв функции – скачок. При дальнейшем уменьшении z функция x(z) - почти прямая с единичным наклоном в силу резкой в этой области зависимости F(z), асимптотически приближающейся к оси ординат. В точке С происходит смена знака.x(z), эту точку можно назвать точкой касания поверхности.При обратном ходе по z, то есть при увеличении z, проявляется неустойчивость в точке В такой, что F/z = к, и мы вновь получим скачок функции x(z). Такой гистерезис в зависимости Рисунок 38a.

Теоретическая зависимость сил от расстояния для двух атомов кремния.

Демонстрирует порядки величин сил и расстояний.

Рисунок Зависимость силы, действующей на иглу, от расстояния до поверхности а), и зависимость сигнала оптической следящей системы б) отклонения кантилевера от расстояния до поверхности проявляется всегда, когда жесткость кантилевера к меньше максимума производной (F/z) max.

Сама функция F(z), а с ней и F/z, зависит от целого ряда параметров, из которых наиболее существенным для нас является радиус иглы. Тем не менее, можно утверждать, что если к порядка 1 Н/м, для достаточно острых игл вы всегда получите гистерезис при измерении зависимости отклонения кантиливера от расстояния до поверхности.

Условимся называть максимальную силу притяжения F max – силой адгезии. Понятно, что в случае, когда поверхность покрыта жидкой подвижной пленкой, поведение x(z) существенно изменится. На рис. приведена типичная зависимость x(t) при наличии на поверхности пленки воды. В этом случае F max есть сумма сил адгезии и капиллярных сил, и в таком случае ее лучше назвать силой прилипания (gluing force) F gl. Точка А на рис.38, точка скачка к поверхности, характеризуется условием F/z = к.

Расстояние от А до С условимся называть расстоянием равного градиента S tap. Обозначение tap позаимствовано из названия tapping mode, название одного из самых распространённых методов работы AFM, так как по сути, именно поверхность постоянного F/z и получают в этом методе.

Как мы уже условились, точка С – точка касания поверхности.

Множество этих точек описывают рельеф поверхности S tch с точки зрения касания (tuch).

Таким образом, измерив параметры функции x(z), скажем, в квадратной сетке точек NxN на исследуемой поверхности, мы можем построить собственно рельеф S tch, карту высот постоянного градиента S tap, а так же карту сил прилипания F gl. Если при этом в NxN точках Рисунок Типичная зависимость x(t) при наличии на поверхности пленки воды.

произвести любое другое X измерение, например проводимость в точках С (рис.38) функции x(z) или жесткости поверхности, как тангенс наклона функции x(z) в области сил отталкивания (z 0), то мы получим дополнительную карту S x поверхности по параметру X.

Достоинство такого подхода к измерениям свойств поверхности в том, что нет необходимости «тащить» иглу по поверхности, рискуя поломать ее о резкий выступ или «испачкать» в мягкой липкой «грязи» на поверхности. Для контроля движения иглы к поверхности не нужно запоминать всю зависимость x(z), достаточно отметить точку S tap по резкому изменению оптического сигнала, а затем аккуратно произвести подвод иглы к поверхности. Этот метод существенно облегчает борьбу с дрейфом оптического тракта, так как каждый раз, когда игла находится вне действия сил со стороны поверхности, можно переопределить «ноль»

оптической схемы.

Основной параметр, по которому этот метод уступает всем ранее известным, это время получения информации. В зависимости от сложности образца это время меняется от 5 до 20 минут при кадре 128X128.

Быстродействие во многом определяется качеством изготовления всего микроскопа, его резонансной частотой, быстродействием электроники и, главное, радиусом иглы. Если игла тупая (r 10нм), сила прилипания велика, то есть приходится далеко отводить держатель кантилевера от образца, а затем долго ждать пока затухнут колебания после отрыва иглы от поверхности. С другой стороны, все эти требования относятся и к любому другому методу. Но в отличие от всех остальных, метод точечных контактов не позволяет работать с тупыми (r 10нм) иглами.

Приведённые ниже примеры демонстрируют возможности метода точечных контактов на различных материалах, а также возможности использования AFM для измерения таких свойств, как проводимость, поляризуемость, наличие загряз нений.

На рис.40, и рис.41 представлена поверхность некоторого катализатора на основе оксида алюминия с разным увеличением.

Поверхность отличается сильно развитым рельефом, диапазон от черного до белого на рис.40 соответствует 0,2 микрона. На рис.42 приведена карта сил прилипания снятая одновременно с рельефом. Видно, что сила прилипания сильно меняется по площади кадра, причем это различие не связано с особенностями рельефа, а, скорее всего, связано с наличием загрязнений адсорбированных пористым материалом. И, наконец, на рис. представлено полное изображение поверхности с нанесённой зелёным цветом карты сил прилипания.

На рис.44 представлено изображение фрагмента матрицы островков золота на поверхности GaAs. Золото вжигалось в полупроводник для получения омического контакта. Соответствующая карта проводимости представлена жёлтым. Проводимость измерялась при напряжении +0.3V на образце.

Рисунок Поверхность катализатора 4х4 микрона.

Рисунок Поверхность катализатора 100х100 нанометров. На правом рисунке добавлена функция освещения.

Рисунок Карта сил прилипания к поверхности катализатора полученная одновременно с изображением рельефа рис.41.

Рисунок Рисунок Изображение фрагмента матрицы островков золота на поверхности GaAs.

Размер кадра 4х4 микрона. Справа показана карта проводимости снятая одновременно с топографией при напряжении 1 V на образце.

Возможности метода при работе с мягкими образцами демонстрируется на поверхности 2 миллиметрового шарика ртути. На рис.46 изображение поверхности ртути размером 1x1 микрон полученное в режиме, когда игла не касалась поверхности, то есть после скачка иглы к поверхности она сразу же отводилась. Таким образом построена поверхность постоянного градиента сил (F/z = 4Н/м). Данные представленные на рис.47 и рис.48 получены при повторном сканировании нижней левой четверти этой же поверхности. Но в этом случае игла приводилась в контакт с силой отталкивания 10-9 Н. Рельеф представлен на рис.47, а на рис.48 изображена карта S tap. Если совместить два Рисунок изображения (рис.47 и рис.48 ), то получится точная копия нижней левой четверти кадра на рис.46. Этот пример иллюстрирует насколько сильно могут различаться изображения поверхности полученные по постоянному уровню сил отталкивания и по постоянному градиенту.

Следующий пример демонстрирует возможность различать вещества с разной диэлектрической проницаемостью. На поверхности кремниевой пластины ( 11) методом электроннолучевой литографии создан рельеф в виде матрицы плоских треугольников толщиной 200нм из PMMA (полиметилметакрилат - электронный резист, 2 ). Фрагмент этого рельефа представлен на рис.49. На рис.50 изображена карта поляризационных сил, которые определялись как добавка к F gl возникающая при приложении к образцу напряжения+5V.

Рисунок Рисунок 47/ Рисунок Рисунок 49 Рисунок Рисунок Рисунок Разрешающая способность метода точечных контактов хорошо демонстрируется на примере топографического изображения поверхности кристалла фуллерита. На рис.23 и рис.24 представлены изображения поверхности кристалла С 60. Мономолекулярная ступенька рис.23 имеет высоту 1нм в полном соответствии с размером молекулы С 60.

Из приведенных примеров следует, что метод точечных контактов позволяет надёжно работать на поверхностях с самыми разными физическими характеристиками и пригоден для реализации практически любого метода SPM микроскопии. При этом он не требует сложной электроники, всё, что нужно, это компьютер типа IBM PC, три 16 разрядных ЦАПа, АЦП, усилители для пьезосканера, оптическая следящая система.

Реализация метода точечных контактов возможна при работе, как в вакууме, так и в жидкости.

Вольфрамовые кантилеверы обладают существенным недостатком – сложностью изготовления, кроме того, W игла подвержена окислению, что приводит к увеличению её радиуса. Для преодоления этих проблем была развита технология выращивания игл из аморфного углерода в растровом электронном микроскопе (РЭМ). Иглы выращивались на кремниевых пирамидах стандартных кантилеверов для AFM. Рост происходит в направлении перпендикулярном направлению потока электронов в РЭМ. Иглы формируются или из остаточных паров масла в камере микроскопа, или из предварительно нанесённого на поверхность пирамиды органического вещества.

рис.25 рис. рис. Этот метод позволяет выращивать иглы в заданном направлении (рис.25), сложной формы (рис.27), при этом радиус на конце иглы получается не больше 5нм (рис.26). Прочность и химическая стойкость зондов AFM из аморфного углерода значительно выше, чем у кремниевых или металлических зондов.

Заключение.

В заключении хочется отметить, что, результаты представленные в 1 и главах являются во многом оригинальными и в основном отвечают на поставленные вопросы. Однако в поведении проводимости одномерных систем проявляются особенности (дробное 0.5G 0 квантование), которые не объяснены в рамках признанных теорий. Кроме того, в некоторых наших экспериментах мы наблюдали прыжки проводимости на величину 1/3G 0 и 1/4G 0. Пока эти результаты нельзя признать доказанными, хотя в ряде теоретических работ предложены механизмы гипотетической дробной проводимости. Все неудачи поиска дробной проводимости, по видимому, связаны с отсутствием одномерных объектов с необходимой структурой и достаточно стабильных во времени. Точечный контакт между твёрдотельными электродами не удовлетворяет этим требованиям.

Улучшение временной стабильности можно добиться использованием жидкого электрода (ртуть, галлий), а также заменой иглы STM на гибкий кантилевер. При такой постановке эксперимента появляется возможность обратимым образом изменять конфигурацию контакта, не разрушая сверхтонкую иглу. Одновременно можно буквально заморозить контакт в определённом состоянии, в случае Ga электрода.

Первые такие эксперименты проведённые с W иглой и ртутью подтверждают высокую стабильность точечных контактов. Вместе с тем в них же проявилась быстрая деградация проводимость связанная с химическим взаимодействием Hg и W.

Необычные свойства электронной эмиссии из сверхтонких вольфрамовых игл так же требуют дальнейшего экспериментального изучения. В первую очередь необходимо измерить распределение потока электронов по углам вылета и их функцию распределения по энергии.

Такие измерения предполагается провести в условиях высокого вакуумы с эмиттером в виде иглы на конце W кантилевера. Предполагаемая схема измерения – классическая трёхэлектродная [50]. Отличительной особенностью является использование катода в виде тонкой мембраны с микронным отверстием затянутым платиновой плёнкой толщиной 2-5 нм.

Известно, что такая плёнка прозрачна для электронов с энергией порядка 100 eV. Ожидается, что с помощью SPM, работающего методом точечных контактов, удастся поместить эмиттер строго по центру отверстия на заданном расстоянии от анода. Как показывает опыт, в этом случае этот метод гарантирует сохранность сверхтонкой иглы эмиттера.

Но это задачи на будущее, а пока на основании приведенных в общие диссертации результатов можно сформулировать следующие выводы.

1. Впервые продемонстрировано, что при измерении проводимости точечного контакта с помощью туннельного микроскопа при комнатной температуре проявляется размерное квантование на целых и дробных () числах. Разработана методика отбора и измерения вольт-амперных характеристик квантующих контактов. Использование этой методики позволило подтвердить наличие зон одномерной проводимости в точечном контакте.

2. Показано, что проводимость точечного контакта образованного золотыми электродами меняет характер квантования в зависимости от среды, в которой формируется контакт. Если на воздухе проявляется целочисленное квантование, то в среде масла появляется дробное квантование, кратное 0,5G 0.

3. Измерены вольт-амперные характеристики автоэмиссии электронов из ультратонких вольфрамовых игл в условиях глубокого вакуума. Особенности, обнаруженные на экспериментальных кривых dI/dV(V), позволяют сделать предположение о наличии уровней размерного квантования в зоне проводимости вольфрамовых игл.

Дуплетный характер пиков dI/dV(V), по-видимому, является следствием спинового расщепления, что согласуется с дробным квантованием в точечных контактах образованных вольфрамовыми иглами.

4. Разработаны электрохимические методики изготовления вольфрамовых игл с углом конуса порядка 10° и радиусом острия ~1нм, а так же вольфрамовых кантилеверов для сканирующих зондовых микроскопов.

5. Реализован новый алгоритм измерения физических свойств объектов методами сканирующей зондовой микроскопии, позволяющий избежать разрушения сверхтонких игл при контактах с поверхностью.

Алгоритм позволяет одновременно измерять серию параметров, характеризующих поверхность и объёмные свойства образца – проводимость, жесткость, работу выхода электронов, поляризуемость, адгезию и др.

6. Разработана технология выращивания игл из аморфного углерода. Иглы испытаны в качестве зонда сканирующего зондового микроскопа, доказано их несомненное преимущество по сравнению со стандартными кремниевыми иглами.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. V.V.Dremov, V.A.Makarenko, S.Yu.Shapoval, O.V.Trofimov, V.G.Beshenkov, I.I.Khodos, Sharp and clean tungsten tips for STM investigations. - Nanobiology, 1994, 3, pp.83-88.

2. V.V.Dremov, S.Yu.Shapoval, and E.V.Sukhorukov, The conductance jumps in STM at room temperature in air. - Phys. Low.-Dim. Struct., 1994, 11/12, pp.29-36.

3. В.В.Дрёмов, С.Ю.Шаповал, Квантование проводимости металлических наноконтактов при комнатной температуре. - Письма в ЖЭТФ, 1995, том 61, вып.4, стр.321-324.

4. В.Л.Гуртовой, В.В.Дрёмов, В.А.Макаренко, С.Ю.Шаповал, Наблюдение атомарной структуры пассивированной в водородной ЭЦР плазме поверхности Si (111) с помощью сканирующего туннельного микроскопа на воздухе. - Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, вып.10, стр.1888-1892.

5. В.В.Дрёмов, С.П.Молчанов, Альтернативный метод работы SXM при исследовании поверхности. - Материалы Всероссийского Совещание “Зондовая микроскопия -99 “, Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия, 1999, стр. 404-410.

6. V.V.Dremov, S.P.Molchanov, An alternative approach to using SXM in the surface studies. – STM’99: 10th International Concference on Scanning Tunelling Microscopy/Spectroscopy and Related Proximal Probe Miscroscopy, ed. Lotte, Seoul, Korea, 1999, pp. 389-391.

7. В.А.Быков, В.В.Дрёмов, Г.М.Михайлов, В.В.Лосев, С.А.Саунин, Зонды «вискер-типа» и магнито-силовые зонды для СЗМ. - Материалы Всероссийского Совещание “Зондовая микроскопия -2000“, Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия, 2000, стр. 298 302.

Благодарность.

В первую очередь мне хочется высказать слова благодарности моим научным руководителям Тулину Вячеславу Александровичу и Зайцеву Сергею Ивановичу.

Благодарю за ценные критические дискуссии и стимулирование исследований Гантмахера Всеволода Феликсовича и Быкова Виктора Александровича, за сотрудничество и помощь в работе Шаповала Сергея Юрьевича, Сухорукова Евгения Викторовича, Прядкина Сергея Леонидовича, Ходос Игоря Ивановича, а также Дубоноса Сергея Валентиновича, Лапина Николая Васильевича, Матвеева Виктора Николаевича, Трофимов Олега Владимировича.

И, конечно же, дирекцию института за терпение, за предоставленную возможность заниматься научной работой.

Список цитируемой литературы.

1.Bining.G. et al. Surface studies by scanning tunneling microscopy.

Phys.Rev.Lett. 49.57-61,1982.

2. Bining.G. et al. Atomic force microscope. Phys.Rev.Lett. 56,930-933, 1986.

3. Sarid D. Scanning force microscopy. Oxford University, New York, 1991.

4. Landauer R. IBM J. Res. Dev. 1,223,1957.

5. Hansen K. et al. Quantized conductance in relays. Phys.Rev.B, 56,4,2208 2220, 1997.

6. V.V.Dremov, et al. The conductance jumps in STM at room temperature in air. Phys. Low.-Dim. Struct., 11/12, 29-36, 1994.

7. J.Krans et al. Phys. Rev. Lett. 74, 2146, 1995.

8. Olesen L. et al. Phys. Rev. Lett. 74, 2147, 1995.

9. Cuevas J. et al Evolution of conducting channels in metallic atomic contacts under elastic deformation Phys.Rev.Lett., 81, 2990-2993, 1998.

10. Shu C. et al. Fractional conductance in metallic nanoconstrictions under elctrochemical potentoal control. Phys.Rev.Lett. 84, 22, 5196-5199, 2000.

11.Хайкин М.С. ПТЭ, 1, 161, 1987.

12. Dremov V.V. et al. Simple scanning tunneling microscope. The conference on scanning electron microscopy and analytical methods in solid state investigations. Chernogolovda, 26, 1993.

13. Melmed A. The art and science and other aspects of making sharp tips.

J. Vac. Sci. Technol., B9, 601-608, 1991.

14. Hacker B. et al. Preparation and characterisation of tips for scanning tunneling microscopy of biological specimens. Ultramicroscopy, 42-44, 1514 1517, 1992.

15. Ibe J. et al. On the electrochemical etching of tips for scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol. A8, 3570-3575, 1990.

16. Fasth J. et al. Preparation of contamination-free tungsten specimens for the field-ion microscopy. Journal of Scientific Instruments, 44,1044-1045, 1967.

17. Higashi R. et al. Appl.Phys.Lett., 58, 1656, 1991.

18. Nakagawa Y. et al.J.Vac.Sci.Technol. A8, 262, 1990.

19. Neuwald H. et al. Appl.Phys.Lett., 60, 1307, 1992.

20. Ishi M. et al. Appl.Phys.Lett., 58, 1378, 1991.

21.Shapoval S. Et al., J.Vac.Sci.Technol. A9, 3171, 1991.

22. Morita Y. et al., Appl.Phys.Lett., 59, 1347, 1991.

23. Болотов Л. et al. ФТП, 27, 1375, 1991.

24. Chabal Y.. et al.J.Vac.Sci.Technol. A7, 2104, 1989.

25. Agrait N. et al. Phys.Rev., B46, 5814, 1992.

26. Agrait N. et al. Phys.Rev., B47, 12345, 1993.

27. Krans J. et al. Phys.Rev., B48, 14721, 1993.

28. Pethica J.. et al.J.Vac.Sci.Technol.A6, 2494, 1988.

29. Todorov T. et al. Phys.Rev.Lett., 70, 2138, 1993.

30. Maxwell J.C. A Teatise on Electricity and Magnetism, Clarendon, Oxford,1904.

31. Sharvin Yu. JETP, 21, 655, 1965.

32. Glazman L. et al, JETP Lett., 48, 238, 1988.

33. Nixon J.. et al. Phys.Rev., B43, 12638, 1991.

34. Langton M.. et al. Phys.Rev., B40, 1150, 1991.

35. Глазман Л.И., Хаецкий А.Е. Нелинейная квантовая проводимость микросужения. Письма в ЖЭТФ, 48, 10, 546-549, 1988.

36. Дрёмов В.В., Шаповал С.Ю. Квантование проводимости металлических наноконтактов при комнатной температуре. Письма в ЖЭТФ, 61, 4, 321-324, 1995.

37. Добрецов Л.Н. Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. «Наука», Москва, 1966.

38. Fink H.W.. et al. Phys.Rev.Lett., 65, 1204, 1990.

39. Morin R. Fink H.W. Highly monochromatic electron point-source beams.

Appl. Phys. Lett., 65, 18, 2362-2364, 1994.

40. Fink H.W. Mono-atomik tips for scanning tunneling microscopy. IBM J.Res.Develop., 30, N4, 1986.

41. Tekman E. Ciraci S. Theoretical study of collimated field emission s of electrons from a point source. Phys.Rev., B42, 14, 9221-9224, 1990.

42. Topinka M. et al. Imaging coherent electron flow from a quantum point contact. Science, 289, 29 September, 2323-2326, 2000.

43. Pietzsch O. et al. Real-space observation of dipolar antiferromagnetism in magnetic nanowires by spin-polarized scanning tunneling spectroscopy.

Phys.Rev.Lett., 84, 5212-5215, 2000.

44. Meyer G. and Amer N.M. Apll.Phys. Lett., 53, 1045, 1988.

46. Alexander S. et al. J.Appl.Phys., 69, 164, 1989.

47. Erlandsson R. et al. J.Vac.Sci.Technol., A6, 266, 1988.

48. Rugar D. et al. Rev.Sci.Instr., 59, 2337, 1988.

49. Dremov V.V. et al. Sharp and clean tungstem tips for STM investigations.

Nanobiology, 3, 83-88, 1994.

50.Young R.D., Muller E.W. Phys.Rev., 113, 115, 1959.

51. Pohl D. Some design criteria in scanning tunneling microscopy.

IBMJ.Res.Develop., 30, N 4, 417-427, 1986.



Pages:     | 1 ||
 














 
2013 www.netess.ru - «Бесплатная библиотека авторефератов кандидатских и докторских диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.