авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ  БИБЛИОТЕКА

АВТОРЕФЕРАТЫ КАНДИДАТСКИХ, ДОКТОРСКИХ ДИССЕРТАЦИЙ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Контакты:

тел. (495) 579-96-45, 617-41-83

e-mail: zakaz

id-intellect@mail.ru

Cайт: www.id-intellect.ru

Почтовый адрес издательства:

141700, г. Долгопрудный, МО, Промышленный проезд, 14.

КАТАЛОГ - I полугодие 2014г.

Нанотехнологии Издательский Дом “Интеллект” 2 Конкурс рукописей Фахльман Б.

Химия новых материалов и нанотехнологии, пер с англ. Рамбиди Н.Г.

Структура и свойства наноразмерных образований. Реалии сегодняшней нанотехнологии Келсалл Р., Хемли И., Джиогхеган М. (ред.) Научные основы нанотехнологий и новые приборы, пер. с англ. Лич Р.

Инженерные основы измерений нанометровой точности, пер с англ. Рамсден Дж.

Физико-технические основы современных бионанотехнологий и наноиндустрии, пер с англ. Р. Мартин-Пальма, А. Лахтакия Нанотехнологии- ударный вводный курс, пер с англ. Зевайль А., Томас Дж.

Трёхмерная электронная микроскопия в реальном времени, пер. англ. Петров Ю.В.

Основы физики конденсированного состояния Мейлихов Е.З.

Зачем и как писать научные статьи Контакты:

тел. (495) 579-96-45, 617-41- e-mail: zakaz@id-intellect.ru, id-intellect@mail.ru Cайт: www.id-intellect.ru Уважаемые читатели!

Издательский Дом «Интеллект» выпускает научно-техническую литературу по всему спектру ес тественных и технических наук и современным технологиям.

Наша целевая аудитория – студенты и аспиранты, преподаватели высшей школы, специалисты – исследователи и разработчики.

Приоритетные тематические направления выбраны с учетом потребностей высшей школы и реа лий мирового научно-технического развития. Отсутствие современных учебных пособий на рус ском языке по большому числу разделов фундаментальной и прикладной науки заставляет нас уделять этим областям особое внимание. Особенно это касается новейших направлений, возник ших «на стыках» традиционных дисциплин.

В планах Издательского Дома – переводы книг ведущих западных издательств и в равной мере учебные пособия и учебно-справочные руководства авторитетных отечественных авторов.

Генеральный директор Л.Ф.Соловейчик Издательский дом «Интеллект» предлагает Вашему вниманию разделы электронного Каталога с аннотациями и полными оглавлениями:

• История науки • Общая физика • Теоретическая и математическая физика • Методы и техника эксперимента. Прикладная физика • Оптика и фотоника • Радиофизика и электроника • Прикладная и вычислительная математика • Материаловедение • Нанотехнологии • Химия и химические технологии • Биомедицинские науки • Науки о Земле. Экология • Нефтегазовый комплекс • Энергетика и электротехника • Промышленные технологии. Машиностроение По Вашему желанию мы можем выслать на e-mail любые из вышеуказанных разделов Более подробную информацию о вышедших и готовящихся к изданию книгах Издательского Дома «Интеллект» Вы можете получить на сайте www.id-intellect.ru а также по тел. (495) 617-41- Издательский Дом «Интеллект» объявляет конкурс рукописей учебных пособий!

Тематика конкурса включает в себя актуальные, по нашему мнению, направления, важные для возрож дения отечественного образования и науки. Ниже перечислены некоторые из предлагаемых тем.

- Экспериментальные методы современного естествознания - Методы и приборы современной наблюдательной астрономии (физические основы) - Астрономия для физиков - Экспериментальная проверка эффектов общей теории относительности - Экспериментальная физика в задачах - Современный курс общей физики для инженеров - Основы акустики для физиков и инженеров - Основы физики твёрдого тела - Физика и техника высоких давлений - Физика фазовых переходов и критических явлений - Физика Земли – модели и методы эксперимента - Физические основы исследований глобального климата - Методы и приборы современной спектроскопии - Квантовые состояния света - Высокочастотная электродинамика сплошных сред и метаматериалов. Физические основы - Физические основы техники ИК-диапазона - Методы и техника эксперимента в рентгеновском диапазоне - Современные источники света - Твердотельные светоизлучающие структуры - Основы современной метрологии (воспроизведение единиц физических величин) - Физика шумов и флуктуаций - Методы и приборы для исследования быстропротекающих процессов - Электрические и магнитные измерения - Электроника в технике эксперимента - Расходометрия – физические основы и приборы - Электромеханические устройства для физиков и инженеров - Жидкие кристаллы - физические основы и применения - Современные магнитные материалы и приборы - Введение в спинтронику - Ядерный магнитный резонанс. Принципы и применения - Элементоорганическая химия - Физика массопереноса в химических и биологических системах - Экспериментальные методы исследования химических реакций - Химические источники тока - Проблема предбиологической эволюции - Методы исследований в физике и химии полимеров - Технологии секвенирования в биоинформатике - Введение в экспериментальные методы молекулярной биологии - Основы биоинформатики - Биологическая эволюция - Радиофизика и техника передающих и приёмных антенных решёток и устройств СВЧ - Радиофизические основы современной связи - Томографические методы в науке, технике и медицине - Прикладные плазменные технологии и плазмохимия - Физические основы технологических процессов в машиностроении - Промышленная автоматика - Физико-технические основы записи, хранения и сжатия цифровой информации Мы внимательно рассмотрим все предложения по другим темам, относящимся к естественным и техни ческим наукам.

По нашему мнению, важность и актуальность тематики определяется в первую очередь уровнем высших достижений мировой науки и университетского образования К рассмотрению принимаются не только готовые рукописи, но и план-проспекты учебных пособий!

План-проспект обязательно должен включать в себя:

- развёрнутое предварительное оглавление создаваемой книги (желательно трёхуровневое);

- сопоставительный анализ (сравнение с книгами, выходившими на русском языке в последние годы и, по возможности, с наиболее известными современными учебными изданиями в мировой литературе).

Адреса для предложений:

lfs@id-intellect.ru solo@id-intellect.ru Тел. (495) 579-96-45, (495) 617-41- НАНОТЕХНОЛОГИИ Фахльман Б.

Химия новых материалов и нанотехнологии, пер с англ.

ISBN: 978-5-91559-029- 2011, 464 с., 70х100/16, твёрдый переплёт Изложение химического материаловедения сфокусировано на определяющей связи структуры и свойств. Особое внимание уделено химии твердого тела. Подробно представ Б. ФАХЛЬМАН лены характеристики металлов и сплавов, полупроводниковые и «мягкие» органические материалы, применения полимерных добавок. Чётко излагаются методы диагностики ХИМИЯ НОВЫХ обычных и наноструктурированных материалов.

МАТЕРИАЛОВ И В части нанотехнологий «переднего края» описаны использование наноразмерных НАНОТЕХНОЛОГИИ «строительных блоков», нульмерные и одномерные наноматериалы, лабораторные тех нологии получения углеродных нанотрубок, наночастиц меди, золота и оксида алюминия, никелевых нанопроволок.

Для всех материаловедческих специальностей, физических и химических факультетов университетов.

Оглавление Предисловие редакторов перевода Введение Глава 1.

Что такое «химия материалов»?

1.1. Исторические аспекты 1.2. Создание новых материалов 1.3. Системный подход к созданию новых материалов Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Глава 2.

Химия твердого тела 2.1. Аморфные и кристаллические твердые тела 2.2. Типы связей в твердых телах 2.2.1. Ионные твердые тела 2.2.2. Металлические твердые тела 2.2.3. Молекулярные твердые тела 2.2.4. Kовалентные твердые тела 2.3. Kристаллическое состояние 2.3.1. Методы роста кристаллов 2.3.2. Элементарная ячейка 2.3.3. Kристаллическая решетка 2.3.4. Дефекты в кристаллах 2.3.5. Фазовые диаграммы 2.3.6. Симметрия кристаллов и пространственные группы симметрии 2.3.7. Физические свойства кристаллов 2.4. Аморфное состояние 2.4.1. Золь-гель метод 2.4.2. Стекла 2.4.3. Цементные материалы Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Глава 3.

Металлы 3.1. Добыча руд и выплавка металлов 3.1.1. Порошковая металлургия 3.2. Структуры и свойства металлов 3.2.1. Фазовые отношения в системе железо—углерод 3.2.2. Механизмы упрочнения сталей 3.2.3. Нержавеющие стали 3.2.4. Цветные металлы и их сплавы 3.3. Антикоррозионная обработка поверхностей металлов 3.4. Магнетизм металлов и сплавов ИД Интеллект Раздел: Фахльман Б.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Химия новых материалов и нанотехнологии www.id-intellect.ru 3.5. Обратимое связывание водорода Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Глава 4.

Полупроводниковые материалы 4.1. Свойства и типы полупроводников 4.2. Применения полупроводников на основе кремния 4.2.1. Производство кремниевых подложек 4.2.2. Интегральные схемы 4.3. Светоизлучающие диоды: есть жизнь и за пределами кремния!

4.4. Термоэлектрические (ТЭ) материалы Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Глава 5.

«Мягкие» органические материалы 5.1. Kлассификация и номенклатура полимеров 5.1.1. Механизмы полимеризации 5.2. Применение «мягких» материалов: взаимосвязь между структурой и свойствами 5.2.1. Молекулярные магниты 5.2.2. Добавки к полимерам: пластификаторы и замедлители горения Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Глава 6.

Наноматериалы 6.1. Что такое «нанотехнологии»

6.2. Наноразмерные строительные блоки и их применение 6.2.1. Нульмерные наноматериалы 6.2.2. Одномерные наноструктуры 6.3. Нанотехнология «сверху вниз»: «мягкая литография»

Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Глава 7.

Диагностика материалов 7.1. Оптическая микроскопия 7.2. Электронная микроскопия 7.2.1. Просвечивающая электронная микроскопия 7.2.2. Сканирующая электронная микроскопия 7.2.3. Фотоэлектронная спектроскопия 7.3. Методы исследования поверхностей, основанные на ионной бомбардировке 7.4. Сканирующая зондовая микроскопия 7.5. Методы объемного исследования Какой метод исследования выбрать?

Примечания и ссылки Вопросы для обдумывания Список литературы Приложение А вехи основных открытий и изобретений в области материалов и технологий Примечания и ссылки Приложение Б Лабораторный практикум по материаловедению Б.1. Получение углеродных нанотрубок из газовой фазы Б.1.1. Теоретическая часть Б.1.2. Техника проведения эксперимента Б.2. Рост наночастиц меди и оксида алюминия в сверхкритической среде Б.2.1. Техника проведения эксперимента Б.3. Синтез и диагностика жидких кристаллов Б.3.1. Теоретическая часть Б.3.2. Техника проведения эксперимента Б.4. Шаблонный синтез и манипулирование никелевыми нанопроволоками с помощью магнита Б.4.1. Техника выполнения эксперимента ИД Интеллект Раздел: Фахльман Б.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Химия новых материалов и нанотехнологии www.id-intellect.ru Б.5. Введение в фотолитографию Б.5.1. Техника выполнения эксперимента Б.6. Получение нанокластеров золота Б.6.1. Техника выполнения эксперимента Список литературы на тему роста нанокластеров ИД Интеллект Раздел: Фахльман Б.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Химия новых материалов и нанотехнологии www.id-intellect.ru НАНОТЕХНОЛОГИИ Рамбиди Н.Г.

Структура и свойства наноразмерных образований. Реалии сегодняшней нанотехнологии ISBN 978-5-91559-089- 2011, 376 с., 60х90/16, обложка Учебное пособие по физическим и химическим основам нанотехнологий детально описывает структуру и свойства наноразмерных образований, которые активно изучаются на протяжении последних десятилетий и используются на практике. К ним относятся на Н.Г. РАМБИДИ норазмерные частицы, большие (в том числе полимерные) молекулы, атомно-молекуляр СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ные комплексы с направленно созданной структурой — квантовые точки, нанотрубки, НАНОРАЗМЕРНЫХ тонкопленочные гетероструктуры, молекулярные кластеры. Основное внимание уделено ОБРАЗОВАНИЙ. выявлению физических механизмов, ответственных за возникновение новых свойств при переходе от «макровещества» к наноструктурам, построенным из тех же самых атомных РЕАЛИИ СЕГОДНЕШНЕЙ и молекулярных элементов, что и вещество.

НАНОТЕХНОЛОГИИ Подробно рассмотрено соотношение научных идей и практического выхода иссле дований в области нанотехнологий. Обсуждаются существенные затруднения в реализа ции экономически выгодных промышленных инноваций.

Учебное пособие будет полезно студентам, аспирантам и преподавателям физических и химических факультетов, а также исследователям и разработчикам новых технологий.

Оглавление Введение: несколько слов о проблеме и книге Глава 1.

Миниатюризация в окружающем нас мире 1.1. Исторические и психологические корни 1.2. Соблазн нанотехнологии: истоки, особенности становления, результаты и перспективы 1.2.1. Первые шаги 1.2.2. Нанотехнология выходит на государственный уровень 1.2.3. Нанотехнология сегодня – основные принципы и их неожиданные воплощения Глава 2.

Миниатюризация – мощный инструмент технического прогресса 2.1. Вакуумные электронные лампы, транзисторы, планарные чипы в вычислительной технике 2.1.1. Немного об истории вычислительных средств 2.1.2. Полупроводниковые приборы – революция в электронике 2.1.3. Планарная полупроводниковая технология – всеобщее признание и ограничения 2.2. Биомолекулярные векторы, переносящие генетическую информацию, производсто трансгенных организмов 2.2.1. Трансгенная инженерия 2.2.2. Трансплантация клеточных ядер – клонирование 2.3. Биочипы, наномоторы - неожиданные возможности нанобиологии 2.3.1. Биочипы – эффективное аналитическое средство 2.3.2. Молекулярные моторы Глава 3.

Самобытный мир наноразмеров 3.1. Размерное квантование в полупроводниках 3.2. Наномедицина: истоки и реалии 3.2.1. Наночастицы в медицине 3.3. Квантовые точки и обработка информации 3.4. Методы получения наночастиц 3.5. Лазеры на гетеропереходах Глава 4.

Самосборка и самоорганизация: их роль в нанотехнологии и не только 4.1. Процессы самоорганизации и их особенности 4.2. Синергетические принципы процессов самоорганизации Глава 5.

Молекулы и молекулярные ансамбли – естественные пределы миниатюризации 5.1. Что такое молекулярная структура?

5.2. Обработка и хранение инфрмации на молекулярном уровне 5.2.1. Первые идеи, инициировавшие становление молекулярной электроники 5.2.2. Дискретные молекулярные устройства хранения и обработки информации 5.2.3. Конформационные переходы в молекулах – перспективная элементная база вычислительных устройств ИД Интеллект Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Рамбиди Н.Г. Структура и свойства наноразмерных Нанотехнологии www.id-intellect.ru образований. Реалии сегодняшней нанотехнологии 5.2.4. Нужна ли молекулярная элементная база разработчикам цифровых компьютеров с фон Нейманов ской архитектурой?

5.3. Биологические принципы обработки информации 5.3.1. Информационные потребности постиндустриального общества и парадигма фон Неймана 5.3.2. Вычислительная техника и задачи искусственного интеллекта 5.3.3. Биологически инспирированные средства обработки информации: нейронные сети и нейрокомпью теры 5.3.4. Обработка информации в биологических нейронных сетях и полупроводниковыми цифровыми компью терами 5.3.5. Аморфный компьютинг 5.3.6. ДНК-компьютинг – изощренное сочетание биологических принципов и «инструментов» обработки ин формации 5.3.7. Новые идеи: мемристоры и моделирование интеллекта 5.4. Распределенные реакционно-диффузионные системы и обработка ими информации 5.4.1. Реакционно-диффузионные системы: принципы организации и поведения 5.4.2. Химические реакционно-диффузионные среды типа Белоусова-Жаботинского 5.4.3. «Возникающие» информационные механизмы 5.4.4. Принципы обработки информации реакционно-диффузионными устройствами 5.4.5. Реакционно-диффузионный процессор 5.4.6. Обработка изображений средами типа Белоусова-Жаботинского 5.4.7. Реакционно-диффузионные среды: моделирование оптических иллюзий 5.4.8. Реакционно-диффузионный процессор: определение кратчайшего пути в лабиринте 5.4.9. Системы взаимосвязанных реакционно-диффузионных реакторов: распознающие устройства 5.4.10. Полупроводниковые реакционно-диффузионные устройства – первые попытки 5.4.11. Необходимые эксплуатационные требования к реакционно-диффузионному процессору 5.4.12. Мозг и реакционно-диффузионный компьютер Глава 6.

Гигантские молекулы – полимеры 6.1. Химическое строение, структура и пространственная конфигурация полимерной цепи 6.2. Молекулярные комплексы полимерных молекул 6.3. Гидрогели 6.4. Каркасные аллотропные формы углерода – фуллерены и нанотрубки 6.5. Полиэлектролиты: литий-полимерные аккумуляторы 6.6. Суперконденсаторы Глава 7.

Атомные и молекулярные нанообразования Список литературы Приложение Развитие в России работ в области нанотехнологий Введение Перспективы использования нанотехнологий Ключевые проблемы развития нанотехнологий в России Список литературы ИД Интеллект Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Рамбиди Н.Г. Структура и свойства наноразмерных Нанотехнологии www.id-intellect.ru образований. Реалии сегодняшней нанотехнологии НАНОТЕХНОЛОГИИ Келсалл Р., Хемли И., Джиогхеган М. (ред.) Научные основы нанотехнологий и новые приборы, пер. с англ.

ISBN 978-5-91559-048- 2010, 528 с., 70х100/16, твёрдый переплёт Книга является коллективной монографией британских специалистов с разнообраз ными научными и техническими интересами от электротехники до биотехнологий и мате Р. КЕЛСАЛЛ, И. ХЕМЛИ, М. ДЖИОГХЕГАН риаловедения. Она представляет собой подробный обзор современных физико-химических проблем, лежащих в основе нанотехнологий. В ней рассмотрены мно НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ гочисленные примеры того, что принято называть нанометровыми системами. Авторы НАНОТЕХНОЛОГИЙ И определяют понятие наносистем, опираясь на тот факт, что они обладают новыми свой НОВЫЕ ПРИБОРЫ ствами, которые уже более не могут рассматриваться как простая экстраполяция свойств аналогичных макроскопических систем в диапазон малых размеров. Отдельные главы по священы методам получения и исследования наносистем, применяемых в современных электронике, фотонике и биотехнологиях, а также производству новых наноструктуриро ванных материалов. Даётся подробный обзор новых приборов и инструментов, необхо димых для работы с нанометровом диапазоне размеров.

Книга во многом основана на учебных курсах, читаемых авторами в университетах Лидса и Шеффилда.

Данная книга нацелена прежде всего, на студентов старших курсов, учёных и инженеров, сфера интересов которых связана с нанотехнологиями, а также на преподавателей физических, химических, биологических и материаловедче ских факультетов университетов.

Оглавление Список участников Предисловие Глава 1.

Общие методологии нанотехнологий: классификация и изготовление 1.1. Введение и классификация 1.1.1. Что такое нанотехнология?

1.1.2. Классификация наноструктур 1.1.3. Нанометровая архитектура 1.2. Основные электронные свойства атомов и твердых тел 1.2.1. Изолированный атом 1.2.2. Связь между атомами 1.2.3. Многоатомные твердые тела 1.2.4. Модель свободного электрона и энергетические зоны 1.2.5. Кристаллы 1.2.6. Периодичность кристаллических решеток 1.2.7. Электронная проводимость 1.3. Эффекты нанометрового масштаба длин 1.3.1. Изменения полной энергии системы 1.3.2. Изменения структуры системы 1.3.2.1. Вакансии в нанокристаллах 1.3.2.2. Дислокации в нанокристаллах 1.3.3. Как нанометровые размеры влияют на свойства 1.3.3.1. Структурные свойства 1.3.3.2. Тепловые свойства 1.3.3.3. Химические свойства 1.3.3.4. Механические свойства 1.3.3.5. Магнитные свойства 1.3.3.6. Оптические свойства 1.3.3.7. Электронные свойства 1.3.3.8. Биологические системы 1.4. Технологии изготовления 1.4.1. Процессы «сверху вниз»

1.4.1.1. Измельчение 1.4.1.2. Литография 1.4.1.3. Механическая обработка 1.4.2. Процессы «снизу вверх»

1.4.2.1. Методы осаждения из газовой фазы 1.4.2.2. Плазменное осаждение 1.4.2.3. МПЭ и МОГФЭ 1.4.2.4. Жидкофазные методики 1.4.2.5. Коллоидные методики 1.4.2.6. Методы золь—гель ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru 1.4.2.7. Электроосаждение 1.4.3. Методы шаблонного роста наноматериалов 1.4.4. Упорядочение наносистем 1.4.4.1. Самосборка и самоорганизация 1.5. Вопросы изготовления, безопасности и хранения Литература Глава 2.

Общие методологии нанотехнологий: снятие характеристик 2.1. Общая классификация методов исследования 2.1.1. Аналитические методы и способы визуализации 2.1.2. Некоторые вопросы физики рассеяния 2.1.2.1. Рентгеновские лучи и их взаимодействие с веществом 2.1.2.2. Электроны и их взаимодействие с веществом 2.1.2.3. Нейтроны и их взаимодействие с веществом 2.1.2.4. Ионы и их взаимодействие с веществом 2.1.2.5. Упругое рассеяние и дифракция 2.2. Методы микроскопии 2.2.1. Общие вопросы визуализации 2.2.2. Увеличение изображения и разрешающая способность 2.2.3. Прочие вопросы визуализации 2.2.4. Оптическая микроскопия 2.2.4.1. Сканирующая ближнеполевая оптическая микроскопия 2.3. Электронная микроскопия 2.3.1. Общие аспекты электронной оптики 2.3.2. Получение электронного луча 2.3.3. Взаимодействие электронов с образцом 2.3.3.1. Вторичные электроны 2.3.3.2. Обратно рассеянные электроны 2.3.3.3. Оже-электроны и рентгеновское излучение 2.3.4. Сканирующая электронная микроскопия 2.3.4.1. Визуализация вторичных электронов 2.3.4.2. Визуализация электронов обратного рассеяния 2.3.4.3. Визуализация потенциального контраста 2.3.4.4. Визуализация наведенного электронным пучком тока 2.3.4.5. Визуализация магнитного контраста 2.3.4.6. Сканирующая электронная микроскопия в нормальных условиях 2.3.5. Просвечивающая электронная микроскопия 2.3.5.1. Дифракция электронов 2.3.5.2. Получение ПЭМ-изображения 2.3.6. Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия 2.4. Полевая ионная микроскопия 2.5. Сканирующие зондовые методы 2.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия 2.5.2. Атомно-силовая микроскопия 2.5.3. Другие сканирующие зондовые методы 2.6. Дифракционные методы 2.6.1. Объемные дифракционные методики 2.6.2. Дифракционные методы изучения поверхности 2.7. Методы спектроскопии 2.7.1. Фотонная спектроскопия 2.7.1.1. Оптические измерения 2.7.1.2. Фотолюминесценция 2.7.1.3. Рамановская и ИК-спектроскопия 2.7.1.4. Рентгеновская спектроскопия 2.7.2. Радиочастотная спектроскопия 2.7.3. Электронная спектроскопия 2.7.3.1. Излучение рентгеновских лучей в СЭМ и ПЭМ 2.7.3.2. Катодолюминесценция в СЭМ и СПЭМ 2.7.3.3. Спектроскопия характерных потерь энергии электрона 2.8. Анализ поверхности и профиль глубины 2.8.1. Электронная спектроскопия поверхностей 2.8.2. Масс-спектрометрия поверхности 2.8.3. Ионно-пучковый анализ 2.8.4. Рефлектометрия 2.9. Обзор методов измерения физических свойств 2.9.1. Механические свойства 2.9.2. Электрические свойства 2.9.3. Магнитные свойства 2.9.4. Термические свойства ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru Литература Глава 3.

Неорганические полупроводящие наноструктуры 3.1. Введение 3.2. Краткое введение в физику полупроводников 3.2.1. Что такое полупроводник?

3.2.2. Легирование 3.2.3. Эффективная масса 3.2.4. Перенос и подвижность носителей и электрическая проводимость 3.2.5. Оптические свойства полупроводников 3.2.6. Экситоны 3.2.7. p-n-переход 3.2.8. Фононы 3.2.9. Типы полупроводников 3.3. Квантовые ограничения в полупроводящих наноструктурах 3.3.1. Квантовые ограничения в одном измерении: квантовые ямы 3.3.2. Квантовые ограничения в двух измерениях: квантовые проволоки 3.3.3. Квантовые ограничения в трех измерениях: квантовые точки 3.3.4. Сверхрешетки 3.3.5 Разрывы зон 3.4. Плотность электронных состояний 3.5. Методы изготовления 3.5.1. Требования к идеальной полупроводниковой наноструктуре 3.5.2. Эпитаксиальное выращивание квантовых ям 3.5.3. Литография и травление 3.5.4. Выращивание на краю скола 3.5.5. Рост на вицинальных подложках 3.5.6. Деформационные точки и проволоки 3.5.7. Электрически наведенные точки и проволоки 3.5.8. Квантовые ямы с флуктуациями 3.5.9. Термический отжиг квантовых ям 3.5.10. Полупроводниковые нанокристаллы 3.5.11. Коллоидные квантовые точки 3.5.12. Методы самосборки 3.5.13. Резюме по методам изготовления 3.6. Физические явления в полупроводниковых наноструктурах 3.6.1. Модуляционное легирование 3.6.2. Квантовый эффект Холла 3.6.3. Резонансное туннелирование 3.6.4. Эффект зарядки 3.6.5. Баллистический перенос носителей 3.6.6. Межзонное поглощение в полупроводящих наноструктурах 3.6.7. Внутризонное поглощение в полупроводящих наноструктурах 3.6.8. Процессы светоизлучения в наноструктурах 3.6.9. Фононное горло в квантовых точках 3.6.10. Квантово-ограниченный эффект Штарка 3.6.11. Нелинейные эффекты 3.6.12. Когерентность и процессы дефазировки 3.7. Характеристики полупроводящих наноструктур 3.7.1. Оптические и электрические исследования 3.7.2. Структурные исследования 3.8. Применение полупроводящих наноструктур 3.8.1. Инжекционные лазеры 3.8.2. Квантовые каскадные лазеры 3.8.3. Однофотонные источники 3.8.4. Биологические метки 3.8.5. Оптические запоминающие устройства 3.8.6. Влияние нанотехнологий на традиционную электронику 3.8.7. Устройства на основе кулоновской блокады 3.8.8. Фотонные структуры 3.9. Итоги и перспективы Литература Глава 4.

Наномагнитные материалы и устройства 4.1. Магнетизм 4.1.1. Магнитостатика 4.1.2. Диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики 4.1.3. Магнитная анизотропия ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru 4.1.4. Домены и доменные стенки 4.1.5. Процесс намагничивания 4.2. Наномагнитные материалы 4.2.1. Порошковые наномагниты 4.2.2. Геометрические наномагниты 4.3. Магнитосопротивление 4.3.1. Магнитные вклады в сопротивление металлов 4.3.2. Гигантское магнитосопротивление 4.3.3. Спиновые вентили 4.3.4. Туннельное магнитосопротивление 4.4. Зондовая техника наномагнитных материалов 4.5. Наномагнетизм в технике 4.6. Новые вызовы для наномагнетизма Литература Глава 5.

Технология и свойства неорганических наноматериалов 5.1. Введение 5.1.1. Классификация 5.2. Термодинамика и кинетика фазовых превращений 5.2.1. Термодинамика 5.2.2. Гомогенная нуклеация 5.2.3. Гетерогенная нуклеация 5.2.4. Рост 5.2.5. Полная скорость превращения 5.3. Методы получения 5.3.1. Процесс быстрого отверждения жидкости 5.3.2. Расстекловывание 5.3.3. Конденсация в инертном газе 5.3.3.1. Факторы, влияющие на нуклеацию и рост наночастиц 5.3.3.2. Улучшение выхода, качества порошка, производительности 5.3.4. Электроосаждение 5.3.4.1. Импульсное электроосаждение 5.3.4.2. Ингибиторы роста 5.3.4.3. Температура 5.3.4.4. Кислотность (pH) электролита 5.3.4.5. Продукты 5.3.5. Механические методы 5.3.5.1. Механическое сплавление, или механический помол 5.3.5.2. Механохимическая обработка 5.4. Структура 5.4.1. Микроструктура 5.4.1.1. Размер зерна и деформация матрицы 5.4.1.2. Измерение размера частицы 5.4.2. Структура границ зерен 5.4.3. Структурная метастабильность 5.5. Стабильность микроструктуры 5.5.1. Диффузия 5.5.2. Рост зерна 5.5.3. Пиннинг 5.5.4. Торможение движения границ зерен растворенным веществом 5.6. Консолидация порошков 5.6.1. Компактирование нанопорошков 5.6.2. Спекание 5.6.3. Роль примесей 5.6.4. Пористость 5.6.5. Нетрадиционные методы обработки 5.7. Механические свойства 5.7.1. Жесткость и прочность 5.7.2. Пластичность и вязкость 5.7.3. Ползучесть и суперпластичность 5.8. Ферромагнитные свойства 5.8.1. Фундаментальные магнитные свойства 5.8.2. Нанокомпозитные мягкие магнитные материалы 5.8.3. Жесткие магнитные материалы 5.9. Каталитические возможности 5.10. Настоящие и перспективные приложения наноматериалов 5.10.1. Поглотители ультрафиолета 5.10.2. Магнитные приложения 5.10.3. Покрытия ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru Литература Глава 6.

Материалы для молекулярной электроники и электро-оптических устройств 6.1. Основные понятия 6.1.1. Твердое состояние: кристаллы и стекла 6.1.2. Химия углерода 6.1.2.1. Гибридизованные орбитали 6.1.2.2. Бензольное кольцо 6.1.2.3 Сопряженные молекулы 6.1.2.4. Бакминстерфуллерен 6.1.3. Примеры органических полупроводников 6.1.4. Возбуждения в органических полупроводниках 6.1.4.1. Поляроны и экситоны 6.1.4.2. Светоизлучение в органических молекулах 6.1.4.3. Настройка запрещенной зоны 6.1.5. Инжекция и перенос носителей заряда 6.1.5.1. Инжекция носителей заряда 6.1.5.2. Перенос носителей заряда: подвижность 6.1.5.3. Перенос носителей заряда: пространственные заряды 6.1.5.4. Перенос носителей заряда: ловушки 6.1.6. Полимеры или маленькие молекулы 6.1.6.1. Запрещенная зона сопряженных полимеров 6.1.6.2. Растворимость полимеров 6.1.7. Органические металлы?

6.2. Конструирование устройств 6.2.1. Синтетические металлы 6.2.1.1. Растворы синтетических металлов 6.2.1.2. Применения синтетических металлов 6.2.2. Органические полевые транзисторы 6.2.2.1. Принцип работы FET 6.2.2.2. Количественное описание работы FET 6.2.2.3. Требования к материалам OFET 6.2.2.4. Интегральные схемы на базе OFET 6.2.3. Светоизлучающие устройства на основе органических соединений 6.2.3.1. Краткий обзор явления 6.2.3.2. Биполярная инжекция носителей 6.2.3.3. Образование экситона 6.2.3.4. Оптимизация ОСИД с целью повышения их эффективности 6.2.4. Органическая фотоэлектроника 6.2.4.1. Устройство фотодиодов 6.2.4.2. Органические диоды на объемном гетеропереходе 6.3. Углеродные нанотрубки 6.3.1. Структура 6.3.2. Синтез 6.3.3. Электронные свойства 6.3.4. Колебательные свойства 6.3.5. Механические свойства 6.3.6. Применение 6.3.6.1. Транзисторы на основе углеродных нанотрубок 6.3.6.2. Автоэлектронная эмиссия 6.3.6.3. Механическое упрочнение 6.3.6.4. Топливные элементы Приложение Литература Глава 7.

Самособирающиеся мягкие молекулярные материалы и устройства из них 7.1. Введение 7.2. Строительные блоки 7.2.1. Синтетические 7.2.2. Биологические 7.3. Принципы самосборки 7.3.1. Нековалентные взаимодействия 7.3.2. Межмолекулярная упаковка 7.3.3. Биологическая самосборка 7.3.4. Наномоторы 7.4. Самосборка как метод получения и структурирования наночастиц 7.4.1. Наночастицы, получаемые при мицеллярной и везикулярной полимеризации 7.4.2. Функционализированные наночастицы ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru 7.4.3. Кристаллы коллоидных наночастиц 7.4.4. Самоорганизация неорганических наночастиц 7.4.5. Жидкокристаллические нанокапли 7.4.6. Бионаночастицы 7.4.7. Нанообъекты 7.5. Наноструктуры, получаемые по шаблону 7.5.1. Мезопористые кремнеземы 7.5.2. Биоминерализация 7.5.3. Наноструктуры, самособирающиеся по шаблонам из триблок-сополимеров 7.6. Жидкокристаллические мезофазы 7.6.1. Мицеллы и везикулы 7.6.2. Ламеллярная фаза 7.6.3. Триблочная структура ABC 7.6.4. Смектические и нематические жидкие кристаллы 7.6.5. Дискотические жидкие кристаллы 7.7. Выводы и перспективы Литература Глава 8.

Макромолекулы на границах раздела фаз и структурированные органические пленки 8.1. Макромолекулы на границах раздела фаз 8.2. Основы науки о явлениях на поверхности раздела фаз 8.2.1. Энергии поверхности и границ раздела фаз 8.3. Анализ смоченных поверхностей 8.4. Модификация поверхностей 8.4.1. Поверхностно-активная адсорбция 8.4.2. Адсорбция полимеров 8.4.3. Химия привитых поверхностей 8.4.3.1. Химия границы раздела золото—тиол 8.4.3.2. Силановые связующие агенты 8.4.3.3. Макромолекулярные слои 8.4.4. Физические свойства полимерных щеток 8.4.4.1. Полуразбавленные растворы 8.4.4.2. Концентрированные растворы 8.4.4.3. Щетки в расплаве 8.4.5. Наноструктурирование органических покрытий с помощью мягкой литографии и других методов 8.5. Получение тонких органических пленок 8.5.1. Полимерные и коллоидные покрытия, получаемые методом центрифугирования 8.5.2. Изготовление органических мультислоев 8.5.2.1. Метод послойного осаждения 8.5.2.2. Метод Ленгмюра—Блоджетт 8.6. Влияние поверхностей на процесс разделения фаз 8.6.1. Полимерные смеси 8.6.2. Блок-сополимеры 8.7. Наноструктурирование поверхностей путем самосборки 8.7.1. Структурирование на гетерогенных субстратах 8.7.2. Топографически структурированные поверхности 8.7.3. Структурирование тонких пленок посредством десмачивания 8.8. Наноразмерные устройства, использующие макромолекулы на поверхности раздела фаз 8.8.1. Молекулярная и макромолекулярная электроника 8.8.1.1. Полимерная электроника 8.8.1.2. Устройства на одной молекуле 8.8.2. Нанофлюидика 8.8.3. Фильтрация и сортировка Литература Глава 9.

Бионанотехнологии 9.1. Новые методы исследования биологических систем 9.1.1. Сканирующая зондовая микроскопия биомолекулярных систем 9.1.2. Атомно-силовые измерения в биологических системах 9.1.3. Миниатюризация и анализ 9.1.4. Организация биомолекулярной структуры в нанометровом масштабе 9.2. Биомиметические нанотехнологии 9.2.1. ДНК как строительный материал нанотехнологий 9.2.1.1. Направленная сборка с помощью ДНК 9.2.1.2. ДНК как шаблон для молекулярной электроники 9.2.1.3. Моторы и наномашины на основе ДНК 9.2.2. Молекулярные моторы 9.2.2.1. Действие биологических моторов ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru 9.2.2.2. Биологические моторы как часть синтетических систем 9.2.3. Искусственный фотосинтез 9.3. Выводы Литература ИД Интеллект Раздел: Келсалл Р. и др. Научные тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии основы нанотехнологий и новые приборы www.id-intellect.ru НАНОТЕХНОЛОГИИ Лич Р.

Инженерные основы измерений нанометровой точности, пер с англ.

ISBN: 978-5-91559-119- 2012, 400 с., 70х100/16, переплёт Книга известного специалиста Национальной Физической Лаборатории (NPL, Вели кобритания) последовательно рассматривает инженерные аспекты обеспечения нано метровой точности измерений перемещений и параметров рельефа поверхности.

Ричард Лич Детально изложены измерения параметров макрообъектов с помощью координатно-из мерительных машин, различных зондовых, оптических и электронных средств измере ИНЖЕНЕРНЫЕ ний. Проанализировано обеспечение прослеживаемости измерений длины с помощью лазерной интерферометрии и калибровочных образцов. Также рассмотрены вопросы ОСНОВЫ ИЗМЕРЕНИЙ прецизионных измерений масс.

НАНОМЕТРОВОЙ ТОЧНОСТИ Учебное пособие предназначено студентам и преподавателям технических универ ситетов, специалистам промышленных предприятий, инженерам-разработчикам и ис следователям.

Оглавление Глава 1.

Введение в метрологию для микро- и нанотехнологий 1.1 Что такое инженерная нанометрология 1.2 Содержание этой книги 1.3 Список использованных источников Глава 2.

Основы метрологии 2.1 Введение 2.2 Единицы измерения СИ 2.3 Длина 2.4 Масса 2.5 Сила 2.6 Угол 2.7 Прослеживаемость измерений 2.8 Точность, прецизионность, разрешение, погрешность и неопределённость измерений 2.8.1 Точность и прецизионность измерений 2.8.2 Разрешение и погрешность измерений 2.8.3 Неопределённость измерений 2.8.3.1 Суммарная неопределённость измерений 2.8.3.2 Руководство по выражению неопределённости в измерениях (GUM) 2.8.3.3 Метод Монте-Карло 2.9 Список использованных источников Глава 3.

Принципы разработки прецизионных средств измерений 3.1 Геометрия 3.2 Кинематика 3.2.1 Сочленение Кельвина 3.2.2 Реализация единственной степени свободы 3.3 Динамика 3.4 Принцип Аббе 3.5 Упругое сжатие 3.6 Структурные схемы 3.6.1 Механический контур 3.6.2 Тепловой контур 3.6.3 Метрологический контур 3.7 Материалы 3.7.1 Минимизация теплового воздействия 3.7.2 Минимизация механического воздействия 3.8 Симметрия 3.9 Виброизоляция 3.9.1 Источники вибраций 3.9.2 Пассивная виброизоляция 3.9.3 Подавление 3.9.4 Внутренний резонанс 3.9.5 Активная виброизоляция 3.9.6 Акустический шум ИД Интеллект Ричард Лич Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Инженерные основы измерений Нанотехнологии www.id-intellect.ru нанометровой точности 3.10 Список использованных источников Глава 4.

Прослеживаемость длины при помощи интерферометрии 4.1 Лазеры 4.1.1 Принцип действия гелий-неонового лазера 4.1.2 Способы стабилизации длины волны одночастотного лазера 4.1.3 Стабилизация частоты лазера с использованием метода насыщенного поглощения 4.1.3.1 Стабилизация лазера с двухчастотным режимом работы 4.1.4 Стабилизация лазера, излучающего на длине волны 633 нм, с использованием эффекта Зеемана 4.1.5 Калибровка частоты (стабилизированного) лазера, излучающего на длине волны 633 нм 4.1.6 Существующие и перспективные стандарты лазерной частоты 4.2 Обеспечение прослеживаемости длины 4.3 Концевые меры как средство обеспечения прослеживаемости 4.4 Введение в интерферометрию 4.4.1 Свет как волна 4.4.2 Измерение биения в случае, когда 1 4.4.3 Видность и контраст 4.4.4 Интерференция белого света и длина когерентности 4.5 Схемы интерферометров 4.5.1 Интерферометры Майкельсона и Тваймана-Грина 4.5.1.1 Модификация Тваймана-Грина 4.5.2 Интерферометр Физо 4.5.3 Интерферометры Жамена и Маха-Цендера 4.5.4 Интерферометр Фабри-Перо 4.6 Измерение длины концевых мер 4.6.1 Интерферометр для измерения длин концевых мер 4.6.1.1 Анализ интерференционной картины – сдвиг фаз 4.6.1.2 Анализ картин мультиволновой интерференции 4.6.1.3 Длина волны в вакууме 4.6.1.4 Тепловые эффекты 4.6.1.5 Измерение коэффициента преломления 4.6.1.6 Апертурная коррекция 4.6.1.7 Поверхность и эффекты изменения фазы 4.6.4 Источники погрешности 4.6.4.1 Неопределённость разделения интерференционных полос 4.6.4.2 Неопределённость мультиволновой интерферометрии 4.6.4.3 Неопределённость длины волны в вакууме 4.6.4.4 Неопределённость вследствие тепловых эффектов 4.6.4.5 Неопределённость коэффициента преломления 4.6.4.6 Неопределённость апертурной коррекции 4.6.4.7 Неопределённость изменения фазы 4.6.4.8 Косинусная погрешность 4.7 Список использованных источников Глава 5.

Измерения перемещений 5.1 Введение 5.2 Интерферометрия перемещений 5.2.1 Основы интерферометрии перемещений 5.2.2 Гомодинная интерферометрия 5.2.3 Гетеродинная интерферометрия 5.2.4 Счет и разделение интерференционных полос 5.2.5 Двухпроходная интерферометрия 5.2.6 Дифференциальная интерферометрия 5.2.7 Интерферометрия с качающейся частотой Глава 6.

Средства измерений параметров рельефа поверхности 6.1 Введение 6.2 Понятие пространственной частоты 6.3 Исторический обзор 6.4 Измерение параметров профиля поверхности 6.5 Измерение параметров трехмерной текстуры поверхности 6.6 Средства измерений 6.6.1 Стилусные профилометры 6.7 Оптические профилометры 6.7.1 Ограничения оптических средств измерений 6.7.2 Методы оптического сканирования 6.7.2.1 Триангуляционные профилометры ИД Интеллект Ричард Лич Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Инженерные основы измерений Нанотехнологии www.id-intellect.ru нанометровой точности 6.7.2.2 Конфокальные микроскопы 6.7.2.2.1 Конфокальная микроскопия в белом свете 6.7.2.3 Профилометрия точечной автофокусировки 6.7.3 Оптические методы исследования поверхности 6.7.3.1 Микроскопия с переменным фокусом 6.7.3.2 Фазосдвигающая интерферометрия 6.7.3.3 Цифровая голографическая интерферометрия 6.7.3.4 Когерентная сканирующая интерферометрия 6.7.4 Методы рассеяния 6.8 Ёмкостные средства измерений 6.9 Пневматические средства измерений 6.10 Калибровка средств измерений параметров рельефа поверхности 6.10.1 Прослеживаемость измерений параметров рельефа поверхности 6.10.2 Калибровка средств измерения параметров профиля поверхности 6.10.3 Калибровка средств измерений параметров трехмерной текстуры поверхности 6.11 Неопределённость измерений параметров рельефа поверхности 6.12 Сравнение средств измерений параметров рельефа поверхности 6.13 Стандарты на программное обеспечение 6.14 Список использованных источников Глава 7.

Сканирующая зондовая, электронная и ионная микроскопия 7.1 Сканирующая зондовая микроскопия 7.2 Сканирующая туннельная микроскопия 7.3 Атомно-силовая микроскопия 7.3.1 Источники шума в атомно-силовой микроскопии 7.3.1.1 Определение уровня статического шума 7.3.1.2 Определение уровня динамического шума 7.3.1.3 Определение уровня шума XY-сканера 7.3.2 Некоторые типичные артефакты АСМ-изображений 7.3.2.1 Размер и форма зонда 7.3.2.2 Загрязнение зонд 7.3.2.3 Прочие артефакты 7.3.3 Определение системы координат атомно-силового микроскопа 7.3.4 Прослеживаемость в атомно-силовой микроскопии 7.3.4.1 Калибровка АСМ 7.3.5 Измерение силы при помощи АСМ 7.3.6 Определение жесткости кантилевера АСМ 7.3.7 Измерение меж- и внутримолекулярных сил при помощи АСМ 7.3.7.1 Придание зонду функциональных свойств 7.3.8 Измерение расстояния между зондом и образцом 7.3.9 Артефакты при измерении сил методом АСМ 7.4 Сканирующая зондовая микроскопия наночастиц 7.5 Электронная микроскопия 7.5.1 Растровая электронная микроскопия 7.5.1.1 Выбор калибровочного образца для растровой электронной микроскопии 7.5.2 Просвечивающая электронная микроскопия 7.5.3 Прослеживаемость и калибровка просвечивающих электронных микроскопов 7.5.3.1 Выбор калибровочного образца 7.5.3.2 Линейная калибровка 7.5.3.3 Локальная калибровка 7.5.3.4 Реперная сетка 7.5.4 Электронная микроскопия наночастиц 7.6 Ионная микроскопия 7.7 Список использованных источников Глава 8.

Характеризация рельефа поверхности 8.1 Введение 8.2 Характеризация профиля поверхности 8.2.1 Базовая длина 8.2.2 Общее перемещение 8.2.3 Фильтрация профиля 8.2.3.1 Первичный профиль 8.2.3.2 Профиль шероховатости 8.2.3.3 Профиль волнистости 8.2.4 Основные параметры характеризации профиля 8.2.4.1 Обозначения параметров профиля 8.2.4.2 Неоднозначность параметров профиля 8.2.5 Параметры амплитуды профиля (от пиков до впадин) ИД Интеллект Ричард Лич Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Инженерные основы измерений Нанотехнологии www.id-intellect.ru нанометровой точности 8.2.5.1 Максимальная высота пика профиля, Rp 8.2.5.2 Максимальная глубина впадины профиля, Rv 8.2.5.3 Максимальная высота профиля, Rz 8.2.5.4 Средняя высота элементов профиля, Rc 8.2.5.5 Общая высота поверхности, Rt 8.2.6 Средние значения параметров профиля 8.2.6.1 Среднее арифметическое отклонение профиля, Ra 8.2.6.2 Среднеквадратичное отклонение профиля, Rq 8.2.6.3 Асимметрия профиля, Rsk 8.2.6.4 Эксцесс профиля, Rku 8.2.7 Пространственные параметры 8.2.7.1 Средняя ширина элементов профиля, RSm 8.2.8 Параметры кривых профиля 8.2.8.1 Коэффициент опорной кривой профиля 8.2.8.2 Коэффициент кривой опорной поверхности 8.2.8.3 Разница высот уровней сечения, Rc 8.2.8.4 Коэффициент относительной опорной кривой профиля, Rmr 8.2.8.5 Кривая амплитуды высоты профиля 8.2.9 Стандарты параметризации профиля 8.3 Характеризация трехмерной текстуры поверхности 8.3.1 Фильтрация изображения поверхности 8.3.2 Пространственная фильтрация 8.3.3 Стандарты параметризации трехмерной текстуры поверхности 8.3.4 Унифицированная система координат для текстуры и формы 8.3.5 Пространственные параметры 8.3.6 Параметры общего изображения 8.3.6.1 Высотные параметры 8.3.6.1.1 Среднеквадратичная высота поверхности, Sq 8.3.6.1.2 Средняя арифметическая высота поверхности, Sa 8.3.6.1.3 Асимметрия распределения высот, Ssk 8.3.6.1.4 Эксцесс распределения высот, Sku 8.3.6.1.5 Максимальная высота пиков, Sp 8.3.6.1.6 Максимальная высота долин, Sv 8.3.6.1.7 Максимальная высота поверхности, Sz 8.3.6.2 Пространственные параметры 8.3.6.2.1 Длина автокорреляции, Sal 8.3.6.2.2 Коэффициент пропорциональности текстуры поверхности, Str 8.3.6.3 Смешанные параметры 8.3.6.3.1 Среднеквадратичный градиент поверхности, Sdq 8.3.6.3.2 Удельная площадь поверхности, Sdr 8.3.6.4 Функциональные параметры и параметры отношений 8.3.6.4.1 Коэффициент пространственных опорных кривых 8.3.6.4.2 Обратный коэффициент пространственных опорных кривых 8.3.6.4.3 Прочие параметры 8.3.6.4.4 Свободный объем, Vv(mr) 8.3.6.4.5 Объем материала, Vm(mr) 8.3.6.4.6 Мера разности высот, Sxp 8.3.6.4.7 Градиент плотности 8.3.6.5 Вспомогательные параметры 8.3.6.5.1 Направление текстуры поверхности, Std 8.3.7 Параметры отдельных элементов поверхности 8.3.7.1 Шаг 1 – Выбор элементов 8.3.7.2 Шаг 2 – Сегментация 8.3.7.2.1 Дерево изменений 8.3.7.3 Шаг 3 – Значимые элементы 8.3.7.4 Шаг 4 – Выбор параметризации элементов 8.3.7.5 Шаг 5 – Статистика параметров элемента 8.3.7.6 Параметры элементов 8.3.7.6.1 Плотность пиков, Spd 8.3.7.6.2 Средняя арифметическая кривизна пиков, Spc 8.3.7.6.3 Высота поверхности по десяти точкам, S10z 8.3.7.6.4 Высота пиков по пяти точкам, S5p 8.3.7.6.5 Высота долин по пяти точкам, S5v 8.3.7.6.6 Площадь замкнутых долин, Sda(c) 8.3.7.6.7 Площадь замкнутых холмов, Sha(c) 8.3.7.6.8 Объем замкнутых долин, Sdc(c) 8.3.7.6.9 Объем замкнутых холмов, Shv(c) 8.4 Фрактальные методы 8.4.1 Методы линейных фракталов 8.4.2 Метод пространственных фракталов ИД Интеллект Ричард Лич Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Инженерные основы измерений Нанотехнологии www.id-intellect.ru нанометровой точности 8.4.2.1 Фрактальное разложение объема 8.4.2.2 Фрактальное разложение поверхности 8.5 Сравнение характеристик профиля и пространственных характеристик 8.6 Список использованных источников Глава 9.

Координатная метрология 9.1 Координатно-измерительные машины (КИМ) 9.1.1 Зондовые системы КИМ 9.1.2 Программное обеспечение КИМ 9.1.3 Юстировка КИМ 9.1.4 КИМ и системы автоматизированного проектирования 9.1.5 Объекты геометрической и свободной формы 9.1.6 Другие типы КИМ 9.2 Источники погрешности КИМ 9.3 Прослеживаемость, калибровка и проверка работы КИМ 9.3.1 Прослеживаемость КИМ 9.4 КИМ малого диапазона 9.4.1 Автономные КИМ малого диапазона 9.4.1.1 КИМ малого диапазона со штриховой шкалой 9.4.1.2 КИМ малого диапазона с лазерным интеферометром 9.5 Зонды КИМ малого диапазона 9.6 Калибровка КИМ малого диапазона 9.6.1 Калибровка КИМ малого диапазона с лазерным интерферометром 9.6.2 Калибровка КИМ малого диапазона со штриховой шкалой 9.7 Список использованных источников Глава 10.

Измерения сил и масс 10.1 Прослеживаемость традиционных измерений масс 10.1.1 Изготовление международного прототипа килограмма и его первичных копий 10.1.2 Текстура поверхности эталонов массы 10.1.3 Внедрение эталона килограмма 10.1.4 Стабильность эталона килограмма после очистки 10.1.5 Ограничения текущего определения килограмма 10.1.6 Исследования в области альтернативных способов определения килограмма 10.1.6.1 Использование ватт-весов 10.1.6.2 Использование метода Авогадро 10.1.6.3 Использование аккумуляции ионов 10.1.6.4 Использование левитирующего сверхпроводника 10.1.7 Применение компараторов массы 10.1.7.1 Современные механические весы с двумя чашами 10.1.7.2 Электронные весы 10.2 Измерения малых масс 10.2.1 Взвешивание путем деления 10.3 Измерения малых сил 10.3.1 Сравнительные величины малых сил 10.3.2 Прослеживаемость измерений малых сил 10.3.3 Весы для измерения малых сил 10.3.4 Эталоны сравнения для измерения малых сил 10.3.4.1 Грузы 10.3.4.2 Упругие элементы 10.3.4.3 Электростатические весы 10.3.4.4 Резонансные сенсоры 10.3.4.5 Прочие эталоны 10.4 Список использованных источников ПРИЛОЖЕНИЕ A ПРИЛОЖЕНИЕ B ИНДЕКС ИД Интеллект Ричард Лич Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Инженерные основы измерений Нанотехнологии www.id-intellect.ru нанометровой точности НАНОТЕХНОЛОГИИ Рамсден Дж.

Физико-технические основы современных бионанотехнологий и наноиндустрии, пер с англ.

ISBN: 978-591559-138- 2013, 336 с., 60х90/16, обложка Учебное пособие обеспечивает обзор быстро растущей и развивающейся области нанотехнологии, фокусируя внимание на самых существенных моментах. Человек, ДЖ.РАМСДЕН впервые знакомящейся с нанотехнологией, но имеющий хорошую подготовку в одной из традиционных дисциплин, таких, как физика, механика или электротехника, химия или ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ биология, или, возможно, работавший в технологии микроэлектромеханических систем ОСНОВЫ СОВРЕМЕННЫХ (МЭМС), сталкивается здесь с большим объемом важной и интересной информации. В книге сосредоточены основные принципы, теория и практика нанотехнологии, что пред БИОНАНОТЕХНОЛОГИЙ ставляет собой авторитетное и обширное введение в возможности и ограничения этой И НАНОИНДУСТРИИ имеющей большие перспективы области.

Для студентов, преподавателей и разработчиков в областях нанобиоинфотехноло гий.

Оглавление Глава 1.

Что такое нанотехнология 1.1. Определения и общие представления 1.1.1. Общепринятые определения 1.1.2. К общим представлениям о нанотехнологии 1.2. Наглядное определение нанотехнологии 1.3. Краткая история нанотехнологии 1.3.1. Ультрапрецизионное производство 1.3.2. Производство полупроводников и микротехнология 1.3.3. Наночастицы 1.4. Биология как парадигма 1.5. Почему нанотехнология?

1.5.1. Новые комбинации свойств 1.5.2. Миниатюризация устройств: расширение функциональных возможностей 1.5.3. Универсальная технология производства 1.6. Выводы 1.7. Дополнительные источники Глава 2.

Наношкала 2.1. Размер томов 2.2. Молекулы и поверхности 2.3. Образование зародышей 2.4. Химическая активность 2.5. Электронные и оптические свойства 2.6. Магнитные и ферроэлектрические свойства 2.7. Механические свойства 2.8. Значение и распространение малых размеров 2.9. Выводы 2.10. Дополнительные источники Глава 3.

Силы, действующие в нанометровом масштабе 3.1. Казимировы силы 3.2. Внутримолекулярные взаимодействия 3.2.1. Концепция поверхностного натяжения 3.2.2. Критика формализации поверхностного натяжения 3.2.3. Экспериментальное определение поверхностного натяжения отдельного вещества 3.2.4. Смачивание и несмачиваемость 3.2.5. Масштабы длины при определения поверхностного натяжения 3.2.6. Переход при смачивании 3.3. Капиллярная сила 3.4. Гетерогенные поверхности 3.4.1. Смачивание на шероховатых и химически негомогенных поверхностях 3.4.2. Смачивание при тройном взаимодействии 3.5. Конкурирующие слабые взаимодействия 3.6. Кооперативный эффект при смачивании ИД Интеллект Дж.Рамсден Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Физико-технические основы современных Нанотехнологии www.id-intellect.ru бионанотехнологий 3.7. Перколяция 3.8. Структура воды 3.9. Выводы 3.10. Дополнительные источники Глава 4.

Нано/Био интерфейс 4.1. „Физическая “ граница раздела нано/био 4.1.1. Организмы 4.1.2. Ткани 4.1.3. Клетки Проникновение нанообъектов внутрь клетки Реакция клетки на внешние наноструктурные воздействия Эукариотические клетки Прокариотические клетки 4.1.4. Биомолекулы 4.2. Наномедицина 4.2.1. Концептуальная система для наномедицины 4.2.2. Более широкое значение 4.3. Нанотоксикология 4.4. Выводы 4.5. Дополнительные источники Глава 5.

Нанометрология 5.1. Методы измерения рельефа поверхности 5.1.1. Контактные методы 5.1.2. Неконтактные (оптические) методы 5.2. Химическая структура поверхности (хемография) 5.3. Метрология самосборки 5.4. Представление текстуры 5.4.1. Шероховатость 5.4.2. Одноразмерная текстура Цепи Маркова Циклы Генетические последовательности Содержание алгоритмической информации Эффективные сложности 5.4.3. Двухмерная текстура ;

лакунарность 5.5. Метрология нано/био интерфейса 5.5.1. Определение наноструктуры протеиновой короны 5.5.2. Измерение адгезии клетки: взаимодействие исчезающего поля с клеткой 5.5.3. Схемы оптических имерений 5.5.4. Волноводы обратной волны 5.5.5. Интерпретация изменений эффективного индекса рефракции 5.5.6. Интерпретация изменений ширины связанных максимумов 5.6. Выводы 5.7. Дополнительные источники Глава 6.

Наноматериалы и их производство 6.1. Наночастицы 6.1.1. Измельчение и дисперсия 6.1.2. Образование зародышей и их рост 6.2. Нановолокна 6.3. Нанопокрытия и ультратонкие покрытия 6.3.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия 6.3.2. Пленки Лангмюра 6.3.3. Самособирающиеся монослои (SAM) 6.4. Кристаллизация и супрамолекулярная химия 6.5. Композиты 6.5.1. Смеси полимеров с нанообъеками 6.5.2. Композиты металл-матрица 6.5.3. Саморемонтирующиеся композиты 6.5.4. Наножидкости для теплопереноса 6.5.5. Попеременное осаждение из полиэлектролитов 6.6. Выводы 6.7. Дополнительные источники ИД Интеллект Дж.Рамсден Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Физико-технические основы современных Нанотехнологии www.id-intellect.ru бионанотехнологий Глава 7.

Наноустройства 7.1. Проблемы миниатюризации 7.2. Обработка цифровой информации 7.3. Квантовые вычисления 7.4. Электронные устройства 7.4.1. Баллистический транспорт 7.4.2. Обедненные слои 7.4.3. Одноэлектронные устройства 7.4.4. Молекулярные электронные устройства 7.4.5. Клеточные автоматы на квантовых точках 7.5. Тенденции в миниатюризации электронных устройств 7.6. Спинтроника (магнитные устройства) 7.6.1. Сверхчувствительные магнитные сенсоры 7.6.2. Другие устройства памяти 7.6.3. Спин-зависимые транзисторы 7.6.4. Односпиновая логика 7.7. Фотонные устройства 7.8. Механические устройства 7.9. Жидкостные устройства 7.9.1. Миксеры и реакторы 7.9.2. Химические и биохимические сенсоры 7.9.3. Устройства преобразования энергии 7.10. Выводы 7.11. Дополнительные источники Глава 8.

Методы создания наноустройств 8.1. Методы „сверху-вниз“ (top-down) 8.1.1. Технология полупроводниковой электроники 8.1.2. Эпитаксия с различными постоянными кристаллических решеток 8.1.3. Электростатическое осаждение распылением (ESD) 8.1.4. Фелтинг 8.1.5. Ультрапрецизионная обработка 8.2. Методы „снизу-вверх“ ( bottom-up) 8.2.1. Самосборка 8.2.2. Термодинамика самоорганизации 8.2.3. „Доброкачественность“ самоорганизации 8.2.4. Смеси частиц 8.2.5. Смешанные полимеры 8.2.6. Блок-сополимеры 8.2.7. Добавление частиц к интерфейсу „твердое/жидкое“.

8.2.8.Программируемая самосборка 8.2.9. Суперсферы 8.2.10. Биологическая самосборка 8.2.11. Фолдинг биополимеров 8.2.12. Биологический рост 8.2.13. Самосборка как технологический процесс 8.3. Методы технологии с манипуляциями отдельными атомами (bottom-to-bottom) 8.3.1. Методы с манипуляциями атомами с помощью зонда 8.3.2. Наноблоки 8.3.3. Dip-Pen нанолитография 8.4. Выводы 8.5. Дополнительные источники Глава 9.

Наноматериалы и устройства на основе углерода 9.1. Графен 9.2. Углеродные нанотрубки 9.3. Углеродные наночастицы (фуллерены) 9.4. Применение материалов 9.5. Компоненты устройств и устройства 9.6. Выводы 9.7. Дополнительные источники Глава 10.

Наносистемы и их конструирование 10.1. Системы 10.2. Выбор материалов ИД Интеллект Дж.Рамсден Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Физико-технические основы современных Нанотехнологии www.id-intellect.ru бионанотехнологий 10.3. Дефекты в наноструктурах 10.4. Особое распределение дефектов 10.5. Стратегия преодоления ошибок при выборе компонентов 10.6. Компьютерное моделирование 10.7. „Эволюционное“ конструирование 10.8. Критерии качества исполнения 10.9. Выбор масштаба 10.10. Стандартизация 10.11. Творческое конструирование 10.12. Технологичность 10.13. Выводы 10.14. Дополнительные источники Глава 11.

Бионанотехнология 11.1. Структурная природа биомолекул 11.2. Некоторые главные характеристики биологических молекул 11.3. Механизм биологических машин 11.3.1. Биологические моторы 11.3.2. Микротрубчатая сборка и разборка 11.3.3. Затраты на обеспечение контроля 11.4. ДНК как конструкционный материал 11.5. Биосенсоры 11.6. Биофотонные устройства 11.7. Выводы 11.8. Дополнительные источники Глава 12.

Воздействие нанотехнологии 12.1. Техническая революция 12.2. Научное воздействие 12.3. Техническое воздействие 12.3.1. Информационные технологии 12.3.2. Энергия 12.3.3. Здравоохранение 12.4. Влияние на промышленность и экономику 12.5. Влияние на окружающую среду 12.6. Социальные последствия 12.6.1. Регулирование 12.6.2. Влияние на области военного назначения 12.6.3. Повышение технической грамотности 12.6.4. Образование 12.7. Влияие на психологию личности 12.8. Некоторые этические проблемы 12.9. Выводы 12.10. Дополнительные источники Приложение: Нано неологизмы Список сокращений Список использованных источников Предметный указатель ИД Интеллект Дж.Рамсден Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Физико-технические основы современных Нанотехнологии www.id-intellect.ru бионанотехнологий НАНОТЕХНОЛОГИИ Р. Мартин-Пальма, А. Лахтакия Нанотехнологии – ударный вводный курс, пер. с англ.

ISBN 978-5-91559-146- 2014, 208 с., 60х90/16,обложка Книга международного научного Общества оптики и фотоники (SPIE) методично знакомит читателя с понятием «нанотехнологий», начиная с изложения основ квантовой механики, определяющей особые свойства малоразмерных объектов (электрические, Р.МАРТИН-ПАЛЬМА, А.ЛАХТАКИЯ магнитные, оптические, механические и т.д.) до описания методов производства, харак теризации и применения различных видов наноструктур и наноматериалов.

НАНОТЕХНОЛОГИИ При небольшом объеме, издание содержит краткое и ёмкое описание практиче УДАРНЫЙ ВВОДНЫЙ КУРС ски всех современных технологий создания и методик исследования нанообъектов.

Для студентов и преподавателей технических университетов, специалистов промышленных предприятий, а также широкого круга читателей, желающих ознако миться с предметной областью нанотехнологий от А до Я.

Оглавление К читателю Благодарности Сокращения и обозначения Глава 1.

Введение 1.1 Необходимые определения 1.2 Что такое нанотехнологии и чего следует ожидать от них?

1.3 Нанотехнологии и общество Список процитированной литературы Библиография Глава 2.

Малоразмерные структуры 2.1 Краткий обзор квантовой механики 2.2 Двумерные структуры: квантовые ямы 2.3 Одномерные структуры: квантовые проволоки и нанопроволоки 2.4 Нульмерные структуры: квантовые точки и наноточки 2.5 Краткое содержание главы Список процитированной литературы Библиография Глава 3.

Свойства наноструктур 3.1 Зонные диаграммыз 3.2 Электропроводность3.3 Теплопроводность 3.4 Магнитные свойства 3.5 Оптические свойства 3.6 Механические свойства 3.7 Краткое содержание главы Список процитированной литературы Библиография Глава 4.

Производство наноматериалов 4.1 Физическое осаждение из паровой фазы 4.2 Химическое осаждение из паровой фазы 4.3 Атомно-слоевое осаждение 4.4 Молекулярно-лучевая эпитаксия 4.5 Нанолитография 4.6 Нанопечатная литография 4.7 Сканирующая зондовая литография 4.8 Использование фокусированного ионного пучка, глубокое ионное фрезерование, литография протонным пучком.

4.9 Самосборка, самоорганизация и самособирающиеся монослои 4.10 Технология Ленгмюра-Блоджетт 4.11 Послойная сборка ИД Интеллект Р.Мартин-Палма, А.Лахтакия Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Нанотехнологии-ударный вводный курс Нанотехнологии www.id-intellect.ru 4.12 Прочие методы Список процитированной литературы Библиография Глава 5.

Характеризация наноструктур и наноматериалов 5.1 Электронная микроскопия 5.2 Прочие электронные методы 5.3 Методы спектроскопии 5.4 Сканирующая зондовая микроскопия 5.5 Магнитно-резонансные методы 5.6 Ионные методы: ОРР (RBS), PIXE, ERDA, ВИМС (SIMS), NRA 5.7 Прочие методы Список процитированной литературы Библиография Глава 6.

Виды наноматериалов и их применение 6.1 Углеродные наноструктуры 6.1.1 Сферические фуллерены 6.1.2 Углеродные нанотрубки 6.1.3 Прочие углеродистые наноматериалы 6.2 Пористые наноматериалы 6.2.1 Пористый кремний 6.2.2 Прочие пористые наноматериалы 6.3 Тонкие пленки с фигурными порами 6.4 Аэрогели 6.5 Полупроводниковые квантовые точки 6.6 Пленки Ленгмюра-Блоджетт 6.7 Нанопроволоки, наностержни и наноколонны 6.8 Полимерные нанокомпозиты Список процитированной литературы Библиография Глава 7.

Перспективы 7.1 Потенциальные области применения нанотехнологий 7.2 История и прогноз развития нанотехнологий 7.3 Возможные риски Список процитированной литературы Библиография ИД Интеллект Р.Мартин-Палма, А.Лахтакия Раздел: тел. (495) 579-96-45, 617-41-83 Нанотехнологии-ударный вводный курс Нанотехнологии www.id-intellect.ru НАНОТЕХНОЛОГИИ Зевайль А., Томас Дж.

Трёхмерная электронная микроскопия в реальном времени, пер. англ.

ISBN 978-5-91559-102- 2013, около 400 с., 60х90/16, твёрдый переплет Книга написана двумя признанными авторитетами в области физической химии и биологии – проф. Ахмедом Хасаном Зевайлом из Калифорнийского Технологического Ин ститута и проф. Джоном М. Томасом из Оксфордского Университета.

А.ЗЕВАЙЛЬ, ДЖ.ТОМАС Представленная работа посвящена последним достижениям в электронной микроскопии, которые позволяют современным ученым проводить наблюдения субнанометрических ТРЁХМЕРНАЯ объектов и химических реакций не просто в 3D пространстве, но ещё и в динамике, фик ЭЛЕКТРОННАЯ сируя в реальном времени сам процесс перемещения атомов и их взаимодействия друг МИКРОСКОПИЯ В с другом. Рассмотрены физические принципы, позволяющие проводить прямое наблюде РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ ние органических и неорганических объектов на атомарном масштабе и их поведение в ультра коротких временных диапазонах.

На конкретных примерах рассмотрены возможности визуализации объектов с использо ванием, как отдельных методов электронной микроскопии, так и их сочетания, что в свою очередь существенно повышает информативность и достоверность получаемых данных.

Основная идея авторов – показать, что электронная микроскопия микро- и наномира, даже в самых казалось бы фантастических задачах и исследованиях, не ограничивается более лишь статичной картинкой, что современное раз витие технологий визуализации позволяет ученым заглянуть гораздо глубже, как в пространственных масштабах, так и в динамике.

Книга будет чрезвычайно полезной и интересной для всех специалистов, и, в том числе для студентов, чьи про фессиональные интересы так или иначе связаны с нанотехнологиями Оглавление Благодарности Предисловие Глава 1.

Ретроспектива: от камеры обскура до изображений в реальном времени Глава 2.

Понятие когерентности в оптике и электронной оптике 2.1 Когерентность – упрощенное введение 2.2 Оптическая когерентизация состояний атомно-молекулярных систем 2.3 Когерентность при дифракции 2.3.1 Критерий Рэлея и разрешение 2.3.2 Дифракция электронов на атомах и молекулах 2.4 Когерентность и дифракция в кристаллографии 2.5 Когерентность в процессах построения изображения 2.5.1 Базовые подходы 2.5.2 Когерентность источника, продольная и поперечная 2.5.3 Построение изображения в электронной микроскопии 2.6 Приборные факторы, ограничивающие когерентности Глава 3.

От двумерного к трехмерному структурному изображению Основополагающие подходы 3.1 Двумерное и трехмерное изображения 3.2 Электронная кристаллография: комбинация дифракции и изображения 3.3 Высокоразрешающая сканирующая электронная просветная микроскопия 3.3.1 Использование STEM для электронной томографии неорганических материалов 3.4 Биологические и другие органические материалы 3.4.1 Визуализация архитектуры макромолекул при помощи криоэлектронной томографии 3.5 Спектроскопия потерь энергии электронов (EELS) и изображение при энергетически фильтрованной ТЕМ 3.5.1 Сочетание EELS и ЕТ в клеточной биологии 3.6 Электронная голография Глава 4.

Приложения двух- и трехмерного изображения и сопутствующих методик 4.1 Введение 4.2 Кристаллография в реальном пространстве посредством HRTEM и HRSTEM 4.2.1 Капсулированные нанокристаллические структуры 4.2.2 Частицы нанокристаллического платинового катализатора 4.2.3 Микропористые катализаторы и молекулярные сита 4.2.4 Другие цеолитные структуры ИД Интеллект Раздел: Зевайль А., Тома Дж.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Трёхмерная электронная микроскопия www.id-intellect.ru 4.2.5 Структуры сложных окисных катализаторов, определенные HRSTEM 4.2.6 Значение дифракции электронов в определении трехмерной структуры 4.3 Электронная томография 4.4 Электронная голография 4.5 Электронная кристаллография 4.5.1 Другие сложные неорганические структуры 4.5.2 Сложные биологические структуры 4.6 Спектроскопия потери энергии электронами и изображение 4.7 Атомное разрешение ТЕМ при газовом окружении образца 4.7.1 Электронная микроскопия атомного разрешения при внешнем давлении, использующая технологию микроэлектромеханических систем Глава 5.

Электронное изображение в пространстве и времени (основы) 5.1 Временное разрешение масштаба атомных движений 5.1.1 Корпускулярно-волновой дуализм материи 5.1.2 Аналогия со светом 5.1.3 Классические атомы: волновые пакеты 5.1.4 Исследование модельного случая: два атома 5.2 От статической фотографии к сверхскоростному изображению 5.2.1 Высокоскоростные затворы 5.2.2 Стробоскопия 5.2.3 Сверхскоростные методики 5.2.4 Фемтосекундные лазеры 5.3 Одноэлектронное построение изображений 5.3.1 Когерентность сверхбыстрых пакетов 5.3.2 Возвращаясь к эксперименту с двумя щелями 5.3.3 Сверхскоростное изображение по сравнению со скоростным 5.3.4 Невязка скоростей и аттосекундный режим 5.4 Микроскопия в реальном времени: яркость, когерентность и вырождение 5.4.1 Объем когерентности и вырождение 5.4.2 Яркость и вырождение 5.4.3 Когерентность и контраст 5.4.4 Контраст, доза и разрешение Глава 6.

Электронное изображение в пространстве и времени (достижения и приложения) 6.1 Достижения Калифорнийского технологического института – краткая история 6.2 Установки и методики 6.3 Структура, морфология и механика 6.3.1 Динамика изображения (дифракции) избранной площади 6.3.2 Динамика морфологии: кривизна, зависимая от времени 6.3.3 Подтверждение принципа: динамика золота 6.3.4 Модельный случай: графит в реальном времени 6.3.4.1 Атомные движения 6.3.4.2 Когерентные резонансы в дифракции: продольный модуль Юнга 6.3.4.3 Резонансы в изображениях: продольная упругость 6.3.4.4 Появление механического звона: поперечная упругость 6.3.4.5 Динамика муаровых штрихов 6.3.4.6 FEELS: фемтосекундная EELS и химические связи 6.4 Другие приложения (выборочно) 6.4.1 Структурные фазовые переходы 6.4.1.1 Переход проводник-диэлектрик 6.4.1.2 Промежуточные фазы сверхпроводящих соединений меди 6.4.2 Явления нуклеации и кристаллизации 6.4.3 Границы раздела и биологические комплексы 6.4.3.1 Вода на гидрофильных и гидрофобных подложках 6.4.3.2 Двойные слои, фосфолипиды и клетки 6.4.4 Наномеханические и оптоэлектронные системы 6.4.4.1 Управление пропусканием канала 6.4.4.2 Функциональные консоли 6.4.4.3 Оптоэлектронные наностержни 6.4.4.4 Дифракция и поверхностный заряд материалов 6.5 UEM в реальном времени в сходящихся пучках: нанодифракция 6.6 UEM в реальном времени в ближней зоне: наноструктуры и плазмоника Глава 7.

Сравнение электронного микроскопа и синхротрона 7.1 Введение 7.2 Рентгеновская просветная микроскопия и микроскопическая томография ИД Интеллект Раздел: Зевайль А., Тома Дж.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Трёхмерная электронная микроскопия www.id-intellect.ru 7.2.1 Рентгеновская томография биологических клеток 7.3 Изображение при когерентной дифракции рентгена 7.4 Определение структуры по порошковым образцам 7.4.1 Определение структур ультрамикрокристаллических образцов 7.4.2 Дифракция рентгена с энергетической дисперсией 7.4.3 Рентгеновская спектроскопия тонкой структуры (EXAFS) 7.4.4 Комбинация поглощения и дифракции рентгена для изучения порошковых катализаторов 7.5 Исследование растворенных веществ 7.6 Статическая и динамическая кристаллография Лауэ 7.7 Вечная проблема радиационного повреждения 7.8 Окончательная оценка Глава 8.

Визуализация в пространстве и времени (прошлое, настоящее и будущее) 8.1 Визуализация и сложность 8.2 Парадокс сложности: когерентность и созидательный хаос 8.3 От двух- и трехмерной – к микроскопии в реальном времени 8.4 Грядущее развитие 8.4.1 Материаловедение 8.4.2 UEM в биологии 8.4.3 Структурная динамика: теория и эксперимент 8.4.4 Изображение ориентированных и одиночных молекул 8.5 Заключение Сведения об авторах ИД Интеллект Раздел: Зевайль А., Тома Дж.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Трёхмерная электронная микроскопия www.id-intellect.ru НАНОТЕХНОЛОГИИ Петров Ю.В.

Основы физики конденсированного состояния ISBN 978-5-91559-110- 2013, 216 с., 60х90/16, обложка Учебное пособие нового поколения отличается в первую очередь тем, что в нем рассматривается конденсированное состояние вещества как в упорядоченном, так и в неупорядоченном состоянии. Наряду со строгими количественными соотношениями Ю.В. ПЕТРОВ большое место уделено приближенным оценкам физических величин, характерных для физики конденсированного состояния. Рассмотрены такие новые состояния конденси ОСНОВЫ ФИЗИКИ рованного вещества как графен и его производные, а также горячее плотное вещество, КОНДЕНСИРОВАННОГО возникающее при взаимодействии ультракоротких фемтосекундных лазерных импуль сов с твердыми телами.

СОСТОЯНИЯ В книге обсуждаются многие темы, ранее не получавшие необходимого внимания в учебной литературе. Это и аномальные зависимости плотности от температуры для ряда веществ, и зонная структура жидкостей и аморфных тел, и новые квантовые эф фекты.

Для студентов и преподавателей физических, химических и материаловедческих факультетов, научных работников и инженеров-исследователей.

Оглавление Глава 1.

Введение 1.1. Порядок величин в атомной физике 1.2. Характерные величины в молекулярной физике 1.3. Типы связи атомов в конденсированном состоянии 1.4. Характерный порядок величин в физике конденсированного состояния 1.5. Кристаллическое и аморфное состояния твердого тела, жидкости, жидкие кристаллы Глава 2.

Кристаллы 2.1. Кристаллическое состояние твердого тела 2.2. Обратная решетка 2.3. Дифракция волн на кристаллической решетке Глава 3.

Динамика кристаллической решетки 3.1. Колебания кристаллической решетки 3.2. Квантование колебаний решетки. Фононы 3.3. Термодинамика колебаний решетки 3.4. Уравнение состояния Ми-Грюнайзена Глава 4.

Электроны в конденсированных веществах 4.1. Энергетические зоны электронов в конденсированных веществах 4.2. Приближение сильной связи для электронов в кристалле 4.3. Эффективная масса электрона 4.4. Металлы и диэлектрики 4.5. Электронный газа в металле 4.6. Термодинамика электронного газа 4.7. Собственные полупроводники 4.8. Примесные полупроводники 4.9. Конденсированное вещество, возникающее при действии ультракоротких лазерных импульсов на металлы Глава 5.

Кинетические эффекты в конденсированных средах 5.1. Электропроводность 5.2. Теплопроводность Глава 6.

Сверхпроводимость и сверхтекучесть 6.1. Сверхпроводимость. Основные свойства сверхпроводников 6.2. Куперовское спаривание 6.3. Токовое состояние сверхпроводника 6.4. Сверхпроводники в магнитном поле 6.5. Сверхпроводники I и II рода 6.6. Туннельные эффекты в сверхпроводниках ИД Интеллект Раздел: Петров Ю.В. Основы тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии физики конденсированного состояния www.id-intellect.ru 6.7. Сверхтекучесть Глава 7.

Магнитные явления 7.1. Эффект Холла 7.2. Спиновый парамагнетизм 7.3. Ферромагнетизм 7.4. Спиновые волны в ферромагнетике Глава 8.

Низкоразмерные системы 8.1. Квантовый эффект Холла 8.2. Трехмерные кристаллические полиморфные модификации углерода: графит и алмаз 8.3. Графен. Энергетический спектр электронов в графене в приближении сильной связи 8.4. Квантование Ландау в графене 8.5. Целочисленный квантовый эффект Холла в графене.

8.6. Углеродные нанотрубки ИД Интеллект Раздел: Петров Ю.В. Основы тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии физики конденсированного состояния www.id-intellect.ru Мейлихов Е.З.

Зачем и как писать научные статьи ISBN: 978-5-91559-157- 2013, 160 с., 60х90/16, обложка Открыв что-то новое, ученый должен рассказать об этом так, чтобы коллеги могли понять его. Это – не простая задача, но этому можно научиться. Хотя предлагаемое по собие не представляет собой исчерпывающего руководства по написанию научных тру дов, оно «в первом приближении» отвечает на вопросы:

• Зачем писать статью?

• Когда писать статью?

• Как писать статью?

• Где публиковать статью?

• На каком языке писать статью?

Нельзя научить, как создать «Евгения Онегина» или «Войну и мир», но дать ра зумные и полезные рекомендации по написанию научных статей вполне возможно. В конце концов, большинство ученых как-то же их пишет. Вот только читают и ссылаются не на всех… Оглавление Предисловие Глава 1.

Зачем писать статьи?

Глава 2.

Где публиковать статьи?

Глава 3.

Как писать статьи Общие требования к статьям Как писать научную статью Глава 4.

Когда писать статью?

Глава 5.

Общий план построения статьи Глава 6.

Составные части статьи 6.1 Название статьи 6.2 Аннотация 6.3 Введение 6.4 Основная часть 6.5 Выводы 6.6 Список литературы Глава 7.

Технология написания статьи 7.1 Некоторые частные, но важные рекомендации 7.2 Работа с рецензентом 7.3 Великий и могучий... английский язык Глава 8.

Как написать хорошую научную статью (Из стилевого руководства журнала Reviews of Modern Physics) Глава 9.

Элементы хорошего стиля для всех 9.1 Активный и пассивный залоги 9.2 Экономичность 9.3 Продвижение вперед 9.4 Приглашение читателя 9.5 Уклонение от прямого ответа 9.6 Аббревиатуры и акронимы 9.7 Путешествие во времени: синдром смешения времен 9.8 Контраст и разнообразие ИД Интеллект Раздел: Мейлихов Е.З.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Зачем и как писать научные статьи www.id-intellect.ru 9.9 Грамматика 9.10 Слова и выражения, которые часто употребляются неправильно 9.11 Будьте приземлены 9.12 Выбор названия Глава 10.

Элементы стиля для неанглоговорящих авторов 10.1 Past tense и present perfect 10.2 Множественное число под личиной единственного 10.3 Помещение глагола ближе к началу предложения 10.4 Расположение наречия 10.5 Существительные как модификатор 10.6 Артикли 10.7 Описание рисунков 10.8 Причастия и инфинитивы 10.9 Описание двух возможностей 10.10 Исключение “it” 10.11 Неправильно используемые слова и выражения Глава 11.

Пунктуация 11.1 Запятая 11.2 Скобки 11.3 Двоеточие 11.4 Апостроф 11.5 Знак восклицания и курсив Глава 12.

Единицы измерения Приложение Как писать научные статьи Инструкция для читателя научных статей Как писать математические тексты Как выступать на заседании американского физического общества Отчеты, которые я читал… и, возможно, писал О стандартизации статей Как писать статьи: гид от научного редактора Как написать по-настоящему скучную научную статью Предпубликация Как писать научные работы Написание статьи с точки зрения редактора Публикуйся или умри ИД Интеллект Раздел: Мейлихов Е.З.

тел. (495) 579-96-45, 617-41- Нанотехнологии Зачем и как писать научные статьи www.id-intellect.ru

 




 
2013 www.netess.ru - «Бесплатная библиотека авторефератов кандидатских и докторских диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.